半导体分析

前言半导体材料的应用领域非常广泛,它包括电子学材料、磁性材料及光电材料等,其中,以硅为主要基础材料的电子学领域的发展最迅速。最近,用数微米的配线技术和深度数百埃的杂质扩散技术,已能在约5毫米见方的硅单晶片上,制得15万个元件的高集成化的集成电路。半导体材料的高纯化及掺杂的控制等,已进行多年的研究,且进展显著。目前,随着极微细化加工的需要,正在研究更痕量的碳、氧和重金属等杂质元素对元件产生的影响,因此,对这种影响     

NS型配体铜（Ⅱ）配合物的合成及电化学性质的研究

ＮＳ型配体铜（Ⅱ）配合物的合成及电化学性质的研究乐学义谭晓明＊何庭玉（华南农业大学应用化学系广州５１０６４２）石巨恩（华中师范大学化学系武汉４３００７０）关键词铜（Ⅱ）氧还电势ＮＳ型配体模拟中图分类号Ｏ６４１．４蓝铜蛋白在生物体内起着传递电子作用，由...     

聚四氟乙烯薄膜的制备及其红外光谱研究

用射频磁控溅射方法分别在NaCl和Si基底上制备了聚四氟乙烯薄膜．通过红外吸收光谱的研究分析了薄膜中的成分及分子链结构． 关键词：     

复杂厂房噪声传播

本文导出一个工业厂房噪声传播数学模型.这模型适用于任意形状、任意边界条件和有任意障碍物的厂房.发展这个模型的目的是为了电厂噪声预测.电厂厂房噪声传播测量结果表明,模型有很高精度和对各类复杂厂房的适应性.     

Darboux Transformation Method for Solving the Sime—Gordon Equation in a Laboratory Reference

The sine-Gordon equation is solved in a laboratory reference using the method of Darboux transformation.Using the Liouville theorem,explicit expressions of the single soliton solution and the breather solution are derived from the Darboux matrix in the case of a null spectral parameter.     

欧姆放电在HL-2A装置单零偏滤器位形下的安全因子计算

安全因子剖面是表征等离子体放电位形特性的最重要的参数之一。对孔栏位形，常常采用直圆柱近似进行计算分析，安全因子剖面可以写成q（r）=5r^2BT/RIp式中，r为等离子体环的平均小半径，尺为环的大半径（长度的单位为m），Bt为环向磁场（单位为T），Ip为等离子体环向总电流（单位为MA）。考虑环形效应和截面变形，一个有用的公式为     

非晶态Fe-P合金结构的计算机模拟(Ⅱ)——Fe100-xPx结构与成分关系

本文以计算机制作的模拟非晶态Fe_100-xP_x(x分别取25,20,15)合金的无规密堆模型作为初始位形,应用准动态平衡边界条件、截尾Morse势对体系进行松弛(能量极小化)计算。得到了松弛前后三种不同成分模型的体系能量、简约径向分布函数、配位数分布、角分布函数及均匀度,讨论了非晶态Fe_100-xP_x合金结构与成分的关系。 关键词：     

水溶性有机材料的合成与结构的研究

本文采用新的合成方法,合成了双链磺酸盐、多羟基化合物和杂环的磺酸化合物,鉴定其结构,研究了结构与结构与性能的关系,并作为光亮镍的添加剂,获得实际应用。     

具有几何对称性的12参数矩形板元

1 引言 三角形板元中,形式最简单的是九参数元,节点参数是单元三个顶点上的函数值和两个一阶偏导数值,非协调九参三角形板元的研究取得了丰硕成果,根据不同方法已构造出多种收敛性能好的单元.相比之下,矩形板元的研究较少见报道.矩形板元中形式最简单的是12参元,节点参数是单元4个顶点上的函数值和两个一阶偏导数值,这类似于九参三角形板元.常见的12参矩形板元是ACM元,其形函数空间是完整3次多项式空间加上两个4次多项式的基函数,ACM元是C°元,但位移形函数的外法向导数平均值在单元间不连续,这类似于Zienkiewicz九参三角形板元,但由于矩形单元的特殊形状,ACM元是收敛的.龙驭球教授等在[1]中提出一种12参矩形广义协调元,其位移形函数的外法向导数平均值在     

一类改进的Wilson任意四边形单元

Wilson元是工程计算中数值效果很好的一种非协调元,但对任意四边形网格却不能收敛。石钟慈要求四边形单元满足对角线中点距离d_k=O(h_k~2),[2]、[3]提出了一个六参数非协调四边形单元。它对任意四边形网格收敛,但其单元上的形状函数非常依赖单元本