重离子熔合势垒的动力学模型研究

在改进的量子分子动力学模型基础上系统地研究了超重核合成中的入射道静态势和动力学势.从入射道静态势给出了质量不对称度与静态势垒高度以及质量不对称度与接触点驱动势的关系.动力学势垒高度是能量依赖的,随着入射能量的增加而增加,最终趋近于密度冻结势垒高度;动力学势垒高度随着入射能量的降低而降低,它的最低值接近于绝热势垒高度.在冷熔合反应中,动力学势垒的最低值所对应的入射能量可能是合成超重元素最佳入射能的选择     

关于Neuber方程的理论研究

关于Ｎｅｕｂｅｒ方程的理论研究叶笃毅，王德俊（东北大学机械工程学院沈阳１１０００６）在工程结构中疲劳破坏总是从应力集中部位（如缺口根部）开始，因此，研究缺口处的局部应力和应变分布是缺口件疲劳分析的关键。在描述缺口根部局部非线性应力和应变分布的方法中，...     

Effect of Electric Field on Spin Polarized Current in Ferromagnetic/Organic Semiconductor Systems

Considering the special carriers in organic semiconductors, the spin polarized current under electric field in a ferromagnetic/organic semiconductor system is theoretically studied. Based on the spin-diffusion theory, the current spin polarization under the electric field is obtained. It is found that electric field can enhance the current spin polarization.     

α回弯、核子关系联和形变

本文讨论了α回弯、核子关联和形变之间的关系.一般说来,规范空间中的回弯现象总是联系于形状跃迁;α回弯不仅联系于四极形状跃迁,还可能联系于其它的形状跃迁或形状变化.回弯现象也决定于同类核子对关联和n-p关联竞争的结果.综合壳模型基本上能描述核的形状及其随核子数增加而变化的过程.     

光纤测爆轰产物飞散速度的探索

本文叙述了用光导纤维测量爆轰产物飞散速度的探索过程和结果。试验装置是φ100×37°平面波发生器,加上φ100×40毫米的梯黑炸药。开始我们将光纤的受光端面接触炸药面(即零空腔)作为零时信号。但试验多次均无信号。后又将光纤受光端面稍稍离开药面,大约为零点零几个毫米(称微空腔),试验结果还是无信号。根据多次     

物理化学实验课教学模式探索研究报告

在3年教学实践的基础上,探索出"转变角色,分组循环"的物理化学教学模式,实践证明,按照该模式实施物理化学实验课教学,与传统教学模式相比,凸现出了发挥学生潜能,调动学生积极性、主动性,给学生之间、师生之间的交流创造出良好氛围的优点,对化学实验课的教学改革提供了借鉴.     

广义拟线性Schrodinger方程正解的存在性

本文利用扰动法和变分法研究一类拟线性Schrodinger方程正解的存在性.本文的新颖性在于对权函数在远离原点处的光滑性不作要求.     

2种液体间界面张力的动态测量

利用自制仪器对2种液体间界面张力进行动了动态测量,通过嵌套软件在计算机上实时记录测量过程中的电压值,避免了人工读数带来的实验测量误差,并绘制出相应的电压变化曲线.根据电压变化曲线对金属吊环在2种液体中的拉脱过程分4个阶段进行详细讨论,并通过受力分析建立了力平衡方程.以纯净水和硅油、纯净水和乙酸乙酯为样品,对其界面张力分别进行了实验测量.     

Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET

In this paper, we investigate the single event transient(SET) occurring in partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI) metal–oxide–semiconductor(MOS) devices irradiated by pulsed laser beams. Transient signal characteristics of a 0.18-μm single MOS device, such as SET pulse width, pulse maximum, and collected charge, are measured and analyzed at wafer level. We analyze in detail the influences of supply voltage and pulse energy on the SET characteristics of the device under test(DUT). The dependences of SET characteristics on drain-induced barrier lowering(DIBL) and the parasitic bipolar junction transistor(PBJT) are also discussed. These results provide a guide for radiation-hardened deep sub-micrometer PDSOI technology for space electronics applications.