氢化硅薄膜的晶化机理研究

采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在椭偏仪中用BEMA模型验证了其准确性.根据理论模型研究了热梯度对微晶和多形硅薄膜沉积机理的影响.研究薄膜厚度对晶化率的影响表明微晶薄膜底端和表面之间存在晶化梯度,而多形硅薄膜中无晶化梯度存在.采用Tauc-Lorentz模型拟合得到薄膜的结构参数表明非晶硅薄膜的致密度和有序度低,而多形硅和微晶硅薄膜的有序度、致密度相近,且明显高于非晶硅. 关键词： 氢化硅 晶化 热梯度 结构     

单晶LaB6场发射阵列的电化学腐蚀工艺

 六硼化镧（LaB₆）场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB₆场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB₆基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB₆尖锥场发射阵列。讨论了单晶LaB₆的电化学腐蚀机理。改变各种电化学腐蚀参数,包括电解液成分、电解液浓度、阳极所加电压,用电子扫描显微镜观察样品形貌。结果发现H₃PO₄是刻蚀单晶LaB₆的理想电解液,它克服了过去电化学实验中经常遇到的尖锥各向异性问题。随着电解液浓度或阳极电压的增大,尖锥高度增加,但是基底表面变得更为粗糙。另一方面,阳极电压太小时,有横向刻蚀现象产生,不利于提高发射体的场增强因子。此外,在二极管结构中初步测试了LaB6尖锥场发射阵列的电流发射特性,在真空度2×10^-4 Pa、极间距离0.1 mm、阳极电压900 V下,发射电流达到13 mA。     

修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜

采用修饰Langmuir-Blodget(LB)膜法以二十烷酸(AA) LB膜为模板, 通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合, 制备了AA/PEDOT复合LB膜. 实验分析表明薄膜具有较好的层状有序结构, 并进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性, 这与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关; 研究了薄膜导电性能, 发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变, 这与多层膜中导电通道的“渝渗”有关, 在有效导电网络连通后电导率发生了突变. 测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和十八胺-硬脂酸/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(ODA-SA/PEDOT-PSS)复合膜.     

HL-2A真空紫外光谱空间分布测量及绝对标定

A vacuum ultraviolet VUV spectrometer with spatial and temporal resolutions was presented in this paper. The sensitivity of the spectrometer has been calibrated in situ by using the VUV bremsstrahlung continuum radiation of the HL-2A plasma. The sensitivity coefficients of two gratings were given. The absolute density profile of carbon radiation was thus obtained based on the absolutely radial profile measurement of carbon radiation.     

Exciplex elimination in an organic light-emitting diode based on a fluorene derivative by inserting 4,4’-N,N’-dicarbazole-biphenyl into donor/acceptor interface

Organic light-emitting diodes (OLEDs) composed of a novel fluorene derivative of 2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline (F2Py) were fabricated, and exciplex emission was observed in the device. To depress the exciplex in an OLED for pure colour light emission, 4, 4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) was inserted as a separator at the donor/acceptor interface. It was found that the device without the CBP layer emitted a green light peaking at 542~nm from the exciplex and a shoulder peak about 430~nm from F2Py. In contrast, the OLED with CBP layer emitted only a blue light peak at about 432~nm from F2Py. Device efficiencies were calculated by a simulative mode in an injection controlled type mechanism, and the results showed that exciplexes yield much lower quantum efficiency than excitons. The device with CBP has a higher power efficiency as no exciplex was present.     

用于高效析氧反应的交联多孔镍阵列的合理构建

为应对世界能源格局的巨大变化,追求高效绿色能源技术研究始终是一个热点.通常,电化学水分解被认为是最有潜力的环境友好型能量转换策略之一.氧气释放反应(OER)作为水分解的必要过程依赖于低成本高效电催化剂的发展.目前,贵金属氧化物(如氧化铱/氧化钌)被认为是碱性溶液中最高效的OER催化剂.然而,高成本、稀缺性和不稳定性阻碍了它们的广泛应用.因此,探索成本低廉且高效的OER电催化剂成为现今工作的重点.以过渡金属为基础的催化剂因其天然丰度、较高的催化活性、低廉的成本和较好的循环稳定性受到人们的青睐.其中,包括氢氧化镍、氧化镍、硫化镍、磷化镍等在内的镍基化合物是最有代表性的研究对象.到目前为止,已有很多工作对镍基材料进行优化来增强其电子导电性和电化学活性面积,从而大大提高了OER催化性能.但是,这些非阵列的镍基材料由于物质团聚导致反应活性位点被覆盖,??g?遫圃?h??圃???遫圃????圃}圃j?遫圃????}圃悍?遫圃?h??圃肍???遫圃f???灚圃肏?遫圃??悐?肐????遫圃同时平面或者粉末状的结构使得材料表面与电解液的接触面积有限,因而催化性能受到限制.相比之下,无粘合剂的3D多孔镍结构通过增加可接触面积和电化学活性位点来改善电催化活性,交联结构也为电子传输和离子扩散提供了更丰富和更短的传输通道,从而提高了催化剂的导电性,有利于电催化性能的提高.本文通过简便的一步电沉积方法合理地设计了具有交联多孔结构的3D镍阵列作为碱性溶液中自支撑的高效OER电催化剂.SEM图清晰地展示了3D多孔镍阵列的形貌特征.3D镍与基底结合紧密且均匀有序地生长,表现出高度交联分支的多孔结构,样品由许多直径为0.5–1.5μm的镍颗粒构成,阵列的孔洞直径为5–10μm.对3D多孔镍阵列的形成机理进行了探讨.利用TEM和XRD对样品进行了微观结构和物相的进一步表征,发现镍分支由200–400 nm的纳米颗粒组成.通过晶面间距、电子选区衍射和XRD图谱确定合成了镍的纯相,并与泡沫镍的形貌和物相进行了对比.样品的电催化性能测试表明,与泡沫镍相比, 3D多孔镍表现出优越的OER电催化性能,具有较低的过电位(50 mA cm~(–2)时为496 mV)、较小的Tafel斜率(43m V dec~(–1))、较小的电阻、较大的电化学活性面积以及碱性溶液中的长期稳定性(24小时后无衰变).同时,我们在对3D多孔镍催化性能提高的原因进行了分析.本文提出的合理设计策略可为其他先进3D多孔材料的构建以及电催化剂的改进提供一个新思路.     

籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体

采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm3的CdZeTe(CZT)晶锭.根据CZT 晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1.30;分析了晶片在中红外波段内的红外透过率,发现波数在2000～4000cm-1内透过率平直且较高,超过60;,而从2000cm-1到500cm-1随波数的减小透过率急速下降至零;由钝化后的Au/CZT晶片的I-V曲线,计算得到生长态CZT晶片的电阻率ρ达到1.8×109～2.6×1010Ω·cm.     

在Sn1+1空间中具有常数量曲率的类空超曲面的高斯映射

在这篇文章中,我们研究在de Sitter空间中具有非负常值的第r个平均曲率的紧致的类空超曲面.我们证明了在合适的条件下紧致的类空超曲面是全脐的.     

国产BaF2(La)晶体闪烁性能的研究

在BaF₂中掺入1% mol的BaF₃结晶出BaF₂(La)晶体,经测试,此晶体闪烁发光快成份的强度比纯BaF₂晶体不减弱,而发光慢成份被抑制约4倍,耐辐照能力可以达到10⁶rad,表明新晶体有希望满足未来高能物理实验的要求.     

对欧阳亮著“关于双曲型方程的狄里赫利问题的两点注记”的一点意见

本信试图指出欧阳亮在数学进展(1963第6卷第3期)上所发表的“关于双曲型方程的狄里赫利问题的两点注记”一文中所存在的问题,并与欧阳亮同志商榷。为了清楚起见,我们取最简单的方程(1)(实际上,比欧阳亮所提出的方程更为一般的双曲型方程也是如此),并且力求明显,易看出问题。考虑方程欧阳亮同志在他的文章中证明了下述问题的解的唯一性: