一类四阶差分边值问题解的存在性与临界点方法

利用临界点方法研究了一类四阶差分边值问题,分别得到了存在一个解和两个解的若干充分条件,展示了临界点理论在研究差分边值问题中的重要作用.     

Effect of pulse duration on generation of attosecond pulse with coherent wake emission

High-order harmonics and attosecond pulse generation with coherent wake emission are theoretically investigated for the effect of pulse duration and carrier envelope phase (CEP) of few-cycle laser pulse. We find that short pulse duration will cause the negative chirp for the high harmonics. When the laser pulse is shortened to a few cycles, the influence of the laser CEP on the chirp of the harmonics will also become more prominent.     

基于Mathematica数学软件的玻尔共振实验综合研究

对单自由度线性机械振动的研究常采用玻尔共振仪进行测量与分析,但结合该仪器进行受迫振动过程模拟仿真的研究还较少.本论文采用Mathematica数学软件编写相关仿真程序,对玻尔共振仪受迫振动的幅频特性、相频特性进行数值模拟与解析模拟,并将模拟结果与实验结果进行精度分析,从而对数值模拟和解析模拟两种仿真算法进行优劣分析.此外还使用Mathematica数学软件突破玻尔共振仪的现有实验条件功能局限,通过建立整个振动动力学过程的相图、频谱曲线等,从而可以更为深入地研究机械振动规律,拓展Mathematica数学软件在实验分析中的应用范围.     

燃烧蜡烛水中悬浮现象的研究

对燃烧蜡烛在水中悬浮的机理进行了理论与实验探究.通过建立近似垂直井结构模型,从辐射能流的角度对蜡烛的整个燃烧过程进行了理论分析.并且从实验上探究了蜡烛长度、蜡烛半径、以及配重对于蜡烛悬浮过程的影响.最后还对其振动模式进行了分析.     

KAM环面附近粘性解的正则性

给出了$u^{\epsilon}(x,P)$和$Du^{\epsilon}(x,P)$关于P的一个弱的正则性定理, 这里$u^{\epsilon}(x,P)$ 是方程(1.1)的粘性解.     

紫草素在玻碳电极上的电化学行为及应用

采用电化学测试方法测定了紫草素在玻碳电极上的电化学行为。结果表明,紫草素在玻碳电极产生一对氧化还原波,在pH为3.98及HAc-NaAc(20%乙醇)缓冲溶液中。证实该反应是以吸附控制为主的电极过程。同时,以氧化峰为对象的循环伏安法研究了峰电流与药物浓度的关系。峰值电流与紫草素浓度在2.08×10~(-8)～1.82×10~(-6)mol·L~(-1)范围内具有良好的线性关系。该方法可用于中草药紫草中紫草素及其衍生物总含量的测定,样品无需预处理即可直接测定。通过方波伏安法测出新疆特有紫草素的平均含量为9.063m·mg~(-1),相对标准偏差3.08%,证明采用此方法测定紫草素含量是可行的。     

Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed ＂Type-II＂ GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure

Type-II GaAsSb/InP DHBTs with selectively-etched InGaAsP ledge structures are fabricated and characterized for the first time. The novel InGaAsP/GaAsSb/InP DHBTs with a 20nm lattice-matched GaAsSb base and a 75 nm InP collector have a dc current gain improvement by a factor of 2 and a cutoff frequency fT of 190 GHz. The InGaAsP ledge design provides a simple but effective approach to suppress the extrinsic base surface recombination and enable GaAsSb/InP DHBTs to further increase the operating frequencies and integration levels for millimeter wave applications.