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阿维菌素荧光衍生反应影响因子的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
论文研究与探讨了不同温度(-20℃、0℃、20℃、40℃、60℃)、光照(0 Lux,123.8 Lux,1665.5 Lux,1108.2 Lux)、反应时间(1~720 m in)、衍生试剂浓度等因子对阿维菌素荧光衍生反应的影响。研究结果表明,环境温度对衍生反应影响不显著;衍生反应对太阳光线敏感,其机理是阿维菌素衍生产物易快速发生光解;高浓度的衍生试剂对反应表现一定抑制作用;衍生反应在30 m in左右达到峰值,其产物在室温、避光条件下8 h内保持稳定。 相似文献
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建立了大白菜、甘蓝和西兰花3种蔬菜中的锐劲特残留量分析方法。以乙腈为提取溶剂,使用弗罗里硅土SPE小柱净化,最后利用GC-ECD进行检测,仪器最小检测量为5×10-13g,最低检出浓度为0.0005 mg/kg。在大白菜中平均回收率为85.11%~89.81%,RSD为3.8%~6.8%;甘蓝中平均回收率为91.39%~102.92%,RSD为5.2%~8.3%;西兰花中平均回收率达到91.92%~101.64%,RSD为4.5%~6.8%。 相似文献
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建立了黄瓜和苹果中氟啶虫酰胺及其3种代谢产物[N-(4-trifluoromethylnicotinoyl)glycine(TFNG)、4-tri-fluoromethylnicotinic acid(TFNA)和4-trifluoromethylnicotinamide(TFNA-AM)]同时测定的液相色谱-串联质谱分析方法。样品用磷酸盐缓冲液提取两次,调节pH值至1.5~2.0后,再用乙酸乙酯提取,液相色谱-串联质谱分析。采用Acquity BEH C18色谱柱分离,0.1%甲酸水-甲醇作为流动相进行梯度洗脱,电喷雾正离子(ESI+)模式电离,多反应监测(MRM)模式检测,外标法定量。氟啶虫酰胺、TFNG、TFNA和TFNA-AM的检出限分别为0.17、0.20、0.35和0.60 μg/kg。在黄瓜和苹果样品中添加5.0~2000 μg/kg水平的氟啶虫酰胺、TFNG、TFNA和TFNA-AM,其平均添加回收率在82.9%~104.1%范围内,批内分析相对标准偏差(RSD)在3.6%~6.9%之间。4种物质的峰面积与其浓度在0.50~200 μg/L范围内均呈良好的线性关系,线性回归系数均大于0.998。前处理步骤仅用有机溶剂6 mL。整个方法具有高灵敏度、准确、稳定的特点。 相似文献
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随着激光技术的快速发展,激光光源在光谱辐射和光学特性测量中得到了广泛的应用。与传统的灯光源相比,激光光源具有高功率、宽光谱和极低的波长不确定度等优点。建立了一套基于宽波段可调谐激光光源的光电探测器响应定标装置,其中激光光源的光谱覆盖范围为190 nm~4000 nm,激光脉冲宽度约130 fs,重复频率约80 MHz。为了避免高峰值功率脉冲光对探测器定标的影响并提高测量的线性度,利用光纤的固有特性成功研制了一种可将脉冲光转换成连续光的转换器。同时基于激光光源搭建了一套激光准直和扩束光路,在波长λ=550 nm时得到了非均匀性为0.29%的单色均匀辐射场。该单色均匀辐射场在高精度的探测器定标应用中具有重要的作用,围绕其搭建的定标测量装置在计量领域具有一定的参考价值。 相似文献
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<正>Epitaxial growth of semiconductor films in multiple-wafer mode is under vigorous development in order to improve yield output to meet the industry increasing demands.Here we report on results of the heteroepitaxial growth of multi-wafer 3C-SiC films on Si(100) substrates by employing a home-made horizontal hot wall low pressure chemical vapour deposition(HWLPCVD) system which was designed to be have a high-throughput,multi-wafer(3×2-inch) capacity. 3C-SiC film properties of the intra-wafer and the wafer-to-wafer including crystalline morphologies,structures and electronics are characterized systematically.The undoped and the moderate NH3 doped n-type 3C-SiC films with specular surface are grown in the HWLPCVD,thereafter uniformities of intra-wafer thickness and sheet resistance of the 3C-SiC films are obtained to be 6%~7%and 6.7%~8%,respectively,and within a run,the deviations of wafer-to-wafer thickness and sheet resistance are less than 1%and 0.8%,respectively. 相似文献