15 W光子晶体光纤激光器的研究

采用多模大功率980nm半导体激光器泵浦20m 掺Yb双包层光子晶体光纤, 获得了1.09 μm,功率为15 W的激光输出.详细研究了输出功率与泵浦功率的关系.     

3.4 W光子晶体光纤激光器的研究

光子晶体光纤也称多空光纤,其光纤截面中心缺陷为光纤芯区,而包层是由具有规则分布的空气孔排列成三角形或六角形蜂房的微结构组成．光子晶体光纤的传输机理与传统光纤有着本质上的差别,因而在许多领域得到了广泛的应用．     

电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究

用电子束蒸发法制备氮化硼薄膜, 分别研究束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量的影响, 薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明, 束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量都有影响, 经过900℃氮气保护退火后, 都得到了高立方相含量的氮化硼薄膜。     

Pd/FeOx催化剂动态生成Pdδ+-Fe2+界面高效催化逆水煤气变换反应

通过一系列原位、非原位表征,包括透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、程序升温解吸/还原/氧化(TPD/TPR/TPO)、X射线光电子能谱(XPS)等,系统地研究了Pd/FeOx催化剂的逆水煤气变换反应(RWGS)。以Pd(acac)2为前驱体合成了高度分散的Pd/FeOx催化剂,在400℃下,RWGS的CO2转化率高达29%,CO选择性超过98%,在目前文献中报道的催化剂中处于领先水平。通过原位表征方法,我们进一步研究了Pd/SiO2和Pd-Fe/SiO2,并明确指出了Pd-FeOx界面对促进RWGS反应的重要作用。准原位XPS实验进一步揭示了Pd/FeOx界面上动态形成的Pd^δ+-Fe^2+物种是高效催化C=O离解的活性位点。因此,实验结果证明,反应过程中动态形成的Pd^δ+-Fe^2+界面可以显著提高RWGS的活性和选择性,对CO2吸附、C=O解离和CO脱附都起到的促进作用。     

三峡库区白衣庵滑坡地质研究

白衣庵滑坡是一个由古滑坡、老滑坡和新滑坡组成的滑坡群,是川、峡二江在奉节东西贯通形成统一的长江后,三叠系巴东组(T2b)地层在江水强烈下切侵蚀事件的持续作用下导致江岸斜坡逐渐卸荷、倾倒、崩塌和表层滑坡等多期作用形成的古崩滑体。     

力场/溶剂水模型对EGFRvⅢ抗原-MR1(scFv)抗体复合物的MM-PBSA计算精度的影响与实验验证

以表皮生长因子Ⅲ型突变体(EGFRvⅢ)抗原多肽与其抗体(MR1)及其人源化突变体的复合物结构为出发点,采用分子动力学中的6种常用力场及3种常用溶剂水模型,分别对上述抗原-抗体复合物进行100ns的分子动力学模拟与分子力学和连续介质模型计算自由能(MM-PBSA),并在实验上利用等温滴定量热(ITC)仪测定了抗原和抗体相互作用的热力学参数.通过在结构变化、能量变化及野生型与突变体比较等几个方面进行综合分析,给出了最佳的计算模型.对不同力场及水模型计算精度等相关问题进行了探讨.     

Formation and local electronic structure of Ge clusters on Si（111）-7×7 surfaces

We report the formation and local electronic structure of Ge clusters on the Si(111)-7$\times $7 surface studied by using variable temperature scanning tunnelling microscopy (VT-STM) and low-temperature scanning tunnelling spectroscopy (STS). Atom-resolved STM images reveal that the Ge atoms are prone to forming clusters with 1.0~nm in diameter for coverage up to 0.12~ML. Such Ge clusters preferentially nucleate at the centre of the faulted-half unit cells, leading to the `dark sites' of Si centre adatoms from the surrounding three unfaulted-half unit cells in filled-state images. Bias-dependent STM images show the charge transfer from the neighbouring Si adatoms to Ge clusters. Low-temperature STS of the Ge clusters reveals that there is a band gap on the Ge cluster and the large voltage threshold is about 0.9~V.     

超短脉冲光通过光折变体光栅衍射及透射光强的瞬时变化特性研究

采用Kogelnik的耦合波理论,研究了超短脉冲光通过光折变体光栅的衍射及透射光强在时域的瞬时变化特性.发现衍射和透射脉冲波形与读出脉冲宽度、光栅周期、光栅厚度及光折变材料的折射率调制大小有密切关系.通过调整这些参量的数值,可以获得需要的脉冲形状.同时还发现衍射和透射脉冲在时间轴上有一定的偏移,偏移量的大小与参量选择有关.     

Study of selectively buried ion-exchange glass waveguides using backside masking

In this Letter, we study the characteristics of a selectively buried glass waveguide that is fabricated by the backside masking method. The results show that the surface region appears when the width of the backside mask is larger than 7 mm. Here, the glass substrate is 1.5 mm thick. It is also found that the buried depth evolution of the transition region remains almost unchanged and is independent of the width of the backside mask. The loss of the transition region is only 0.28 d B at the wavelength of 1.55 μm if the surface condition is good enough.