首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   102篇
  免费   37篇
  国内免费   23篇
化学   52篇
晶体学   1篇
力学   10篇
综合类   18篇
数学   16篇
物理学   65篇
  2024年   2篇
  2023年   3篇
  2022年   6篇
  2021年   1篇
  2020年   3篇
  2019年   2篇
  2018年   8篇
  2017年   6篇
  2016年   7篇
  2015年   7篇
  2014年   1篇
  2013年   5篇
  2012年   4篇
  2011年   4篇
  2010年   5篇
  2009年   8篇
  2008年   6篇
  2007年   4篇
  2006年   3篇
  2005年   2篇
  2004年   2篇
  2002年   2篇
  2001年   5篇
  2000年   5篇
  1999年   2篇
  1997年   7篇
  1996年   10篇
  1995年   3篇
  1994年   2篇
  1993年   4篇
  1992年   5篇
  1991年   2篇
  1990年   4篇
  1989年   3篇
  1987年   1篇
  1984年   2篇
  1983年   4篇
  1981年   3篇
  1980年   1篇
  1978年   1篇
  1965年   1篇
  1962年   1篇
  1960年   1篇
  1959年   1篇
  1957年   1篇
  1956年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有162条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
This paper suggests a new solid variational prin-ciple of discrete form.Basing on the true case of thediscrete analysis by the finite element method and con-sidering the variable boundaries of the elements andthe unknown functions of piecewise approximation,theunknown functions have various discontinuities at theinterfaces between successive elements.Thus,we have used mathematical technique of vari-able boundary with discontinuity of the unknown func-tions,based on the conditions that the first varia-tion vanishes immediately,to establish the solid vari-ation principles of discrete form.It generalizes theclassical and non-classical variational principles.suc-cessive equations that have to be satisfied by the un-known functions are the convergency necessary conditionsfor the finite elements method(including conformingand non-conforming).They expand that convergency ne-cessary-conditions of the compatibility conditions inthe internal interfaces.  相似文献   
52.
庞文纲  郑潮均 《光子学报》1987,16(4):9-18,21
浅油层开发中经典油井测试方法几乎都采用电测法。电测法测试资料经地面人工解释,为工程施工、油田开发方案的设计提供依据。但是,所有方法都无法获取直观资料,因而人们对各种石油开发中的问题只能囿于推理探测,至今仍有一些实际工程现象无确定的解释。  相似文献   
53.
1、前言 对于半导体中深杂质能级的研究,近年来又重新活跃起来了。尤其是GaAs、GaP等发光材料中的深杂质能级,它决定发光效率的老化特性,对器件应用也很重要。同时由于深杂质能级同晶体缺陷(主要是点缺陷)之间有关系,也是表征晶体质量的参数之一。相对过去只用浅杂质浓度和迁移率来评价晶体的电学特性来说,深杂质能级的测定将会成为今后估价晶体的有力手段,因此,有必要建立可靠而简单的测量方法。 有关深杂质能级的理论研究固体物理领域中很早就进行过,但也有很多不清楚的地方。特别是有关半导体中陷阱中心的量子力学性质还很不清楚。目前还没有关于某些中心是发光还是非发光的理论论述。有关陷阱的中心理论是五十年代碱卤化物中的色心特性,特别是关于  相似文献   
54.
介绍了液态锂回路中的净化及在线检测装置。该装置采用了冷阱法和热阱法,使回路中产生的C、O、N和氢同位素等杂质降至10wppm以下。目前,已经利用四电极测电阻法测量了放锂前后的电阻随温度的变化曲线,再经过多项式拟合,计算得到了纯锂的电阻率随温度变化的函数。  相似文献   
55.
绿色缓蚀剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀性能与吸附行为   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用电化学阻抗和极化曲线法研究了绿色缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对铜在200 mg·L-1的NaCl溶液中的缓蚀性能和吸附行为. 结果表明, 在20 ℃时, PASP使用的最佳浓度为15 mg·L-1, 缓蚀率可达到78.3%, PASP的吸附明显降低了Cl-的侵蚀, 属于阳极型缓蚀剂. 随着温度的升高, PASP的缓蚀性能下降. 在50 ℃时, PASP的缓蚀率下降至40.4%. PASP的吸附行为服从Langmuir吸附等温式,是自发的、放热的过程, 属于化学吸附.  相似文献   
56.
研究了广义微分结构中的集合方向Mordukhovich法锥、集值映射的方向上导数,以及集合和集值映射的方向序列法紧性的分析法则. 基于集合方向Mordukhovich法锥的交集法则,在方向内半紧性假设下,建立了集合的方向Mordukhovich法锥、集值映射的方向上导数的分析法则.此外,借助Asplund乘积空间中集合的方向序列法紧性的交集法则, 在方向内半紧性和相应的规范条件下,建立了集合和集值映射的(部分)方向序列法紧性的加法、逆像、复合等法则.  相似文献   
57.
建立了测定卡维地洛(CAR)新的电化学方法.结合紫外、红外光谱分析,研究了CAR与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用.实验发现,在pH4.0Britton-Robinson(B-R)缓冲溶液中,CAR在碳糊电极上产生3个不可逆的氧化峰.以0.92V处的氧化峰为研究对象,结果发现峰电流Ipa,1与CAR浓度在2.45×10-5~1.19×10-3mol/L范围呈良好的线性关系,CAR的检出限为5.6×10-6mol/L.当BSA加入CAR溶液后,CAR峰电流降低,氧化峰电流的降低值△Ipa,1与BSA的浓度在2.92×10-7~1.09×10-5mol/L范围内呈良好线性关系,BSA的检出限为4.1×10-8mol/L.电化学结果表明,CAR与BSA之间形成1∶1的结合物,结合常数为3.14×106L/mol.紫外光谱表明CAR的加入使BSA的吸收峰发生红移且有增色效应.红外光谱表明CAR与BSA分子中氨基酸残基的硫及氮原子形成键合作用.  相似文献   
58.
通过对脉冲变压器原副边回路参数、绕组结构、铁心材料的优化设计,实现了小尺寸变压器对大电流三电极开关的触发。变压器空载输出可达40 kV,增加中间储能环节后,在大电流触发管的触发极可产生百A数量级的触发电流,可以实现触发管在较低的欠压比下稳定触发。通过对脉冲变压器绝缘结构的优化设计,确保了脉冲变压器在与触发管配合过程中可以承受其输出电缆折返射造成的过电压与反灌电流。  相似文献   
59.
3-氨基-1,2,4-三氮唑对铜的缓蚀性能和吸附行为   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用电化学和表面增强拉曼光谱(SERS)方法研究了新型环境友好型金属水处理剂3-氨基-1,2,4-三氮唑(ATA)对铜在3% NaCl溶液中的缓蚀性能和吸附行为. 结果表明, ATA对铜有较好的缓蚀作用, 其中ATA浓度为0.24 mmol·L-1时对铜的缓蚀效率最高, 为97.65%, 其吸附行为符合Langmuir吸附等温式, 吸附机理是典型的化学吸附援SERS表明, ATA分子通过很强的吸附于铜表面达到抑制其腐蚀的作用, 是ATA-与Cu+形成配合物来阻止氯离子化合物(CuCl-2)的生成.  相似文献   
60.
采用微波消解法溶解样品,火焰原子吸收分光光度法(FAAS)测定了元胡中的镁,探讨了微波消解预处理的条件,优化了FAAS测定参数。结果表明,该法具有良好的准确度和精密度,加标回收率在93.25%-96.25%范围内,相对标准偏差(RSD)1.16%,线性范围在0.5~3.5μg·mL^-1之间,为研究金属元素在元胡中的功能提供了有用的数据。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号