Admissibility of Linear Estimators in the Growth Curve Model with Respect to Inequalitv Restriction

For the growth curve model with respect to inequality restriction： Y = XBZ ＋ε,ε（0, σ2V I）, trNB ≥0, this paper gives some necessary and sufficient conditions for the linear estimator of KBL to be admissible in the class of homogeneous linear estimators LH and nonhomogeneous linear estimators LI, respectively, under the quadratic loss function tr（d（Y） - KBL）＇（d（Y） - KBL）.     

超大型取水头海上浮运沉放施工中的稳定性分析

嘉兴电厂二期取水工程位于海象条件异常复杂的杭州湾海域，工程采用海上浮运沉放的工艺进行施工，其中取水头为外径25m，高16．6m，空气中重约4700T的圆桶形结构，结构偏心、重心高、稳定性差，对海上浮运沉放施工极为不利。针对取水头起浮、海上浮运和加水下沉的各个阶段的进行稳定性分析，为确定最优的吊沉方案，确保取水头精确就位提供理论依据，成果也可为其它类似工程提供借鉴与参考。     

功能梯度材料动态断裂力学的径向积分边界元法

采用径向积分边界元法分析功能梯度材料动态断裂力学问题. 该方法使用与弹性模量无关的弹性静力学开尔文基本解作为问题的基本解,在导出的边界-域积分方程中含有由材料的非均质性和惯性项引起的域积分,通过径向积分法将域积分转化为等效的边界积分,得到只含边界积分的纯边界积分方程;从而建立只需边界离散的无内部网格边界元算法. 采用候博特方法求解关于时间二阶导数的系统离散的常微分方程组. 最后通过数值算例验证本文方法的精度和有效性.      

边界元中计算任意高阶奇异线积分的直接法

提出了一种精确计算任意高阶奇异曲线积分的直接计算法.首先将曲线单元上的各种几何量用投影线上的几何量来表示,然后通过幂级数展开和解析的方法显式地消除了积分的奇异性.还导出了计算等参坐标对局部直角坐标偏导数的表达式.由于这种方法涉及到的是总体尺度间的坐标变换,操作起来直观明了,可以处理二维问题边界元分析中出现的任意高阶奇异边界积分.最后用具体算例验证该方法的正确性.      

基于有限变形理论的数值流形方法研究

原有数值流形方法通过积累每一时步的小变形而得到结构最终的大变形,然而,当结构发生大变形、大转动时往往产生较大计算误差. 针对该问题,从动量守恒方程以及应力边界条件的积分弱形式出发,引入流形方法的插值函数,建立了基于有限变形理论的数值流形方法. 通过对比改进前后流形方法的计算迭代格式,指出了原有流形方法计算大变形问题时的误差来源. 最后,通过大变形悬臂梁和旋转块体算例对有限变形流形方法进行了验证. 数值结果表明,改进后的流形方法能够很好地处理大变形大转动问题,消除了转动所带来的计算误差,其计算结果与解析解及ABAQUS 软件求得的数值解相吻合.      

粉煤灰表面形貌和组成的电子显微镜/能量色散谱、聚焦离子束分析

用超级场发射电子显微镜(FE—SEM),扫描电子显微镜／能量色散谱(SEM／EDS)和聚焦离子束测试仪(FIB)等,对粉煤灰进行了表面形貌和元素组成分析。FIB显示粉煤灰大多为咖0．3～0．5μm的球状微粒;FE-SEM则显示约有88％的粉煤灰为φ0．3～1μm的球状微粒,表面凹凸不平,主要为铝、硅、铁等元素的氧化物,其中铝、硅、铁和氧的质量分数分别为20．5％、23．6％、1．4％和50．9％。     

素理想(p)在Q(μl1/m)中的分解

设Q为有理数域,令ψ为由奇素数p生成的有理数域Q的p-adic赋值,R为与其相对应的赋值环,(p)为R的极大理想(素理想).本文用扩张平移的方法讨论了素理想(p)在Q的lm次根扩张Q(μl1/m)(μ∈R)中的分解问题,并完全解决了该问题.     

基于电流选择器预加重的CML驱动电路设计

为提升基于PIN电学结构载流子注入式硅基电光调制器性能, 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计一种新型预加重驱动电路. 该电路采用电流模逻辑(CML)结构, 并引入低压差分信号(LVDS)型电流选择器, 在实现提升响应速度和工作带宽的同时, 降低整体平均功耗. 仿真结果表明: 基于PIN电学结构载流子注入式硅基电光调制器的电压响应时间同时受预加重驱动信号过冲幅度和持续时间影响. 当预加重驱动信号过冲幅度和持续时间分别取值为2V和0.2ns时, 基于PIN电学结构载流子注入式硅基电光调制器的电压响应时间缩减了16.7%, 工作带宽扩展至4.34倍, 且根据不同的开关活动性需求, 平均功耗最高降低了60%.     

Impact of neutron-induced displacement damage on the single event latchup sensitivity of bulk CMOS SRAM

Since the displacement damage induced by the neutron irradiation prior has negligible impact on the performance of the bulk CMOS SRAM, we use the neutron irradiation to degrade the minority carrier lifetime in the regions responsible for latchup. With the experimental results, we discuss the impact of the neutron-induced displacement damage on the SEL sensitivity and qualitative analyze the effectiveness of this suppression approach with TCAD simulation.