In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响

采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In:ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征.通过红外透过显微成像技术观察了In:ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响.红外透过光谱分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60;,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收.然而,Ⅰ-Ⅴ测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级.同时Hall测试分析表明,In:ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的Vzn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级.对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的.     

华南沿海地区中生代岩石圈伸展的岩石制约：琼粤闽浙镁铁质岩时空分布与地球化学研究

系统总结了华南沿海琼、粤、闽、浙4省中生代镁铁质岩的时空分布与地球化学特征,分析讨论了华南中生代区域构造环境和地球动力学背景.区内主要发育6期镁铁质岩石,分别形成于早中生代和晚中生代,即245~230、180~175、165~142、130~115、110~101和95~85 Ma.早中生代印支期(245~230 Ma)镁铁质岩,出露在海南岛,伴有A型花岗岩和碱性正长岩产出,形成于印支运动后的伸展环境.在晚中生代(180~90 Ma)的镁铁质岩中,中侏罗世(180~175 Ma)的镁铁质岩石集中出露在粤北、闽西南一带,与湖南、赣南拉斑玄武岩/辉长岩 流纹岩/正长岩和A型花岗岩一起构成双峰式火成岩组合,具有裂谷型火成岩特征.晚侏罗世(165~142 Ma)镁铁质岩,主要有海南、广东一些小的辉长岩等,也与A型花岗岩、碱性正长岩等伴生.白垩纪的镁铁质岩广泛出露在福建、浙江和海南沿海地区.其中,早白垩世(130~115、110~101 Ma)的镁铁质岩常与高钾钙碱性花岗质岩混合,构成辉长岩/玄武岩 花岗岩/流纹岩等复合火成岩;晚白垩世(95~85 Ma)的镁铁质岩,在华南沿海地区形成壮观的镁铁质岩墙群,并伴有A型花岗岩产出.晚中生代镁铁质岩形成于古太平洋构造域伸展环境.华南中生代镁铁质岩石的形成,对应于华南岩石圈多期伸展事件,是华南岩石圈伸展的重要岩石学标志.     

基于色彩恒常性的敦煌典型色彩光谱样本集构建方法

该研究目的为提出一种面向我国各类文物体系的典型色彩光谱样本集构建方法。以具有1700多年历史的世界级佛教艺术文化遗产敦煌莫高窟壁画彩绘为典型研究对象,以保证文物色彩传递过程中的色彩恒常性为主要创新,最终从视觉感知角度提出基于色彩恒常性的敦煌典型色彩光谱样本集构建方法。在具体实施过程中,在敦煌研究院美术所及保护所工作人员的配合与指导下,结合现有敦煌学研究成果,研究选取了48类敦煌典型颜料并设计制备了240个代表性色彩样本。利用分光光度计获取其在360～750 nm范围内反射光谱信息,通过聚类分析法对原始色彩光谱样本集进行分类,以6类典型光源场景条件下色彩易变性指数(color inconstancy index)的综合量值为依据,结合Wilcoxon符号秩检验,确定分类数量及各子类的代表性样本,初步构建光谱样本集。随后,从色域完整性角度对初步建立的样本集进行补充,最终构建由100个样本组成的全色域光谱数据集。分析结果显示,该样本集在99%置信条件下的色彩易变性指数可低至3.28,且均匀分布于敦煌色彩体系的整个色域,因而可以为敦煌色彩再现过程中合理的选用具有高恒常性水平的色彩提供数据参考及方法依据。     

基于迭代Tikhonov正规化的三刺激值重建光谱方法研究

光谱图像中的反射率光谱数据维数高,且与光源、设备均无关,能够比较全面、真实、客观地描述图像中物体的颜色信息。针对三色相机的光谱图像获取系统中三维色度数据重建多维光谱数据产生的光谱信息丢失、以及伴随而生的颜色信息丢失问题,提出了迭代Tikhonov正规化的光谱重建方法。首先依据色度学理论中色度值与反射率光谱之间的关系,构建反射率光谱重建方程建立起相机所获三维色度数据与高维反射率光谱数据的映射关系;然后,通过反射率光谱重建方程的病态分析,在Moore-Penrose伪逆矩阵求解思想的基础上构建迭代Tikhonov正规化方法求解反射率光谱,并利用训练样本数据通过L-曲线方法训练获取迭代Tikhonov正规化的最优正规化参数,以有效控制并改善反射率光谱重建方程求解的病态、减少重建光谱的光谱信息丢失。实验通过选取样本数据对光谱重建方法进行验证。验证实验的结果表明所提出的光谱重建方法改善了三色相机的光谱图像获取系统中重建光谱的光谱信息丢失程度,使得重建光谱的光谱误差和色度误差较其他光谱重建方法均有明显降低。     

试论师范生教育实习中合作学校的指导教师的作用

针对目前师范院校教育实习工作存在的问题,剖析了中学合作学校指导实习的教师这一角色的重要意义以及扮演这一角色的某些具体做法,从内因和外因剖析了师范院校和合作学校如何进一步搞好教育实习工作并简介了国外进行教育实习活动的做法。     

磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射

降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂,测量结果显示沉积铂后样片的二次电子产额最大值由2.40降至1.77,降幅达26%.其次,用相关唯象模型对二次电子发射特性测量数据进行了拟合,获得了在40-1500 eV能量范围内能够准确描述样片二次电子产额特性的Vaughan模型参数,以及在0-50 eV能量范围内能够很好地拟合二次电子能谱曲线的Chung-Everhart模型参数.最后,将获得的实验数据和相关拟合参数用于Ku频段阻抗变换器的二次电子倍增效应功率阈值仿真研究,结果表明通过沉积铂可将部件的功率阈值由7500 W提升至36000 W,证实了所提方法的有效性.研究结果为金属材料二次电子发射特性的研究提供实验数据参考,对抑制大功率微波部件二次电子倍增效应具有参考价值.     

金纳米结构表面二次电子发射特性

使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构,并结合二次电子发射唯象概率模型,对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真,模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用;沟槽对真二次电子产额有强抑制作用,而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理,对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价值.     

Switching Characteristics of Phase Change Memory Cell Integrated with Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

A Ge2Sb2Te5 based phase change memory device cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor （MOSFET） is fabricated using standard 0.18 #m complementary metM-oxide semiconductor process technology. It shows steady switching characteristics in the dc current-voltage measurement. The phase changing phenomenon from crystalline state to amorphous state with a voltage pulse altitude of 2.0 V and pulse width of 50ns is also obtained. These results show the feasibility of integrating phase change memory cell with MOSFET.     

Au5Si2/Si Heterojunction Nanowires Formed by Combining SiO Evaporation with Vapour--Liquid--Solid Mechanism

Crystalline AusSi2/Si heterojunetion nanowires （AusSi2/SiNWs） are obtained by thermal evaporating SiO pow- ders on thick gold-coated silicon substrates in a low vacuum system. Structure analysis of the produced AusSh/Si heterojunetions is performed by employing a transmission electron microscope （TEM） and a selected area electric diffraetometer. The chemical compositions axe studied by a energy-dispersive x-ray spectroscope attached to the TEM. A two-step growth model is proposed to describe the formation of the AusSi2/SiNWs. During the first step, crystalline SiNWs are formed via a growth mechanism combining the oxide-assisted growth process with the vapour-liquid-solid model at relatively high temperature. In the second step, the temperature decreases and one segment of the preformed SiNWs reacts with the remnant Au to form single crystalline AusSi2 nanowires by a solid-liquid-solid process. The present work should be useful for the future synthesis and research of high-quality gold silicide nanowires and microelectronic devices based on the nanowires.     

高温超导薄膜J_c与微波非线性相关性研究

采用微带谐振器技术研究高温超导薄膜的微波非线性问题,介绍了微波非线性的测试方法,描述了测试现象,定量表征了微波功率非线性。将微波非线性与临界电流密度Jc大小的关联性进行分析研究,发现两者关联性弱;同时验证了功率压缩测试方法对高温超导薄膜微波非线性的研究是可行的。