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951.
采用正电子湮没技术(PAT)研究了照相明胶中的自由体积空穴在无电沉积过程中的作用机理。研究结果表明,活化饱和后,照相明胶的自由体积空穴的平均尺寸约减小0.011nm3,相当于一个Au原子的体积的大小,即照相明胶大分子中的每个自由体积空穴平均被填充了一个Au原子,该Au原子作为催化活性核催化铜的沉积,使物理显影生成的影像为紧密铜粒子的堆积形貌,而不是丝状形貌。铜经无电沉积饱和后,照相明胶的自由体积空穴的平均大小约减小了0.020nm3,即照相明胶的自由体积空穴对铜物理显影过程中铜的沉积没有阻碍作用,铜无电沉积近似为各向同性的球状堆积。 相似文献
952.
ICPI—AES直接测定氯化稀土和轻稀土中稀土元素 总被引:3,自引:0,他引:3
以电荷耦合器件为检测器的ICP-AES光谱仪直接测定混合稀土中的十五种稀土元素。考察十五种稀土元素的五十余条灵敏线的谱图,分析稀土元素之间的光谱干扰并利用多组分谱图拟合方法扣除空白及元素间的干扰。研究溶液酸度及仪器工作参数的影响,方法回收率为98.4% ̄101.7%,相对标准偏差小于2%。 相似文献
953.
数 列选择题1 互不相等的三正数x ,y ,z成等比数列 ,则三个数x y ,xy yz,y z成 ( )(A)等差数列 . (B)等比数列 .(C)常数数列 .(D)既非等差又非等比数列 .2 在△ABC中 ,tgA是以 - 4为第三项 ,4为第七项的等差数列的公差 ,tgB是以 13为第三项 ,9为第六项的等比数列的公比 ,则这个三角形是( )(A)钝角三角形 . (B)等腰直角三角形 .(C)锐角三角形 . (D)非等腰的直角三角形 .3 已知等比数列 {an}的公比 q =- 13,则a1 a3 a5 a7a2 a4 a6 a8等于 ( )(A) - 13. (B) - 3. … 相似文献
954.
采用X射线衍射法研究了LaNi5 .1 5 ,La(NiSn) 5 .1 4 ,La(NiSnCo) 5 .1 2 ,La(NiSnMn) 5 .1 2 ,La(NiSnCoMnAl) 5 .1 0 5种AB5 型非化学计量贮氢合金的结构。发现主物相中并未产生第二物相 ,AB5 型贮氢合金中B原子数发生正偏移时 ,晶胞体积减小 ,当B侧含有取代元素时 ,这种变化更加明显。对于非化学计量贮氢合金而言 ,少量Sn取代Ni后 ,晶胞体积大大提高。Mn ,Co和Al的加入也会影响晶胞常数。Sn ,Co ,Mn ,Al均会降低贮氢合金放氢平台压力。 相似文献
955.
纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积 总被引:7,自引:3,他引:4
利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的SiH4作为反应气体源,在覆盖有热生长SiO2层的p-(100)Si衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶Si膜(nc-poly-Si).采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征.结果表明,nc-poly-v膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数.典型实验条件下生长的Si纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm.膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-Si膜的生长. 相似文献
956.
The excimer laser-induced crystallization technique has been
used to investigate the preparation of nanocrystalline silicon (nc-Si)
from amorphous silicon ($\al$-Si) thin films on silicon or glass
substrates. The $\al$-Si films without hydrogen grown by pulsed-laser
deposition are chosen as precursor to avoid the
problem of hydrogen effluence during annealing. Analyses
have been performed by scanning electron microscopy, atomic
force microscopy, Raman scattering spectroscopy and high-resolution
transmission--electron microscopy. Experimental results show
that silicon nanocrystals can be formed through laser annealing.
The growth characters of nc-Si are strongly dependent on the laser
energy density. It is shown that the volume of the molten silicon
predominates essentially the grain size of nc-Si, and the surface
tension of the crystallized silicon is responsible for the mechanism of nc-Si growth. 相似文献
957.
958.
以α位(2,4-二特戊基)苯氧基邻苯二腈作为环合前体,制备了多种金属酞菁,产物经元素分析、紫外、红外、核磁氢谱等分析手段进行表征.并选择了部分酞菁进行溴化,其中着重研究了不同中心金属以及溴化对染料Q带吸收的影响.结果表明,酞菁染料的金属化对于其Q带吸收影响很大,多数染料金属化后会出现蓝移,而选择合适的条件进行溴化,可以使得金属酞菁的Q带吸收出现一定程度的红移,其中部分溴化金属酞菁的吸收波长与光信息产业中使用的近红外激光器很接近,具有潜在的实用价值. 相似文献
959.
本文对工作在波长为532.33nm的激发态钾(K)原子法拉第光学滤波器进行了分析与讨论。结果表明这种工作在钾4P1/2←8S1/2跃迁谱线的滤波器的峰值透过率为50%,等效带宽为4GHz。同时滤波器的传输特性跟激光泵浦功率以及外加磁场强度并不是线性相关;所需激光泵浦功率的范围为0.8~6mW*cm-2。 相似文献
960.