高分子科技发展史上几个重要事件给我们的启示——兼谈高分子物理概论部分的讲授

简单回顾了高分子科学的发展简史,并重点介绍了高分子科学发展过程中的几个里程碑式的事件,启示后人在科学研究上应该具备的精神和理念,点出了这些事件中涉及到的高分子物理方面的知识,并提示学生在以后的高分子物理课程的学习中去寻找答案。在高分子物理课程概论部分的讲授过程中,就日常生活中所遇到的各种涉及到高分子物理方面知识的问题提示学生带着疑问和思考去学习,以培养学生对高分子物理的学习兴趣,并培养学生的创新精神。     

4-巯乙基吡啶配基与IgG相互作用的分子模拟研究

4-巯乙基吡啶(MEP)是一种新型的疏水性电荷诱导层析(HCIC)配基,具有良好的抗体分离性能,采用分子模拟方法研究MEP配基与IgG间的分子相互作用,以探讨HCIC分离机制.先通过分子对接搜索IgG分子Fc片段A链的蛋白表面,确定12个可能与MEP结合的位点区域,然后用分子动力学模拟考察了其中6个位点的结合性能.结果表明,MEP在Fc-A链表面的结合具有疏水倾向性,pH中性条件下,MEP能稳定地结合在TYR319和LEU309附近的位点,并与两者形成氢键作用,该区域具有疏水性极强的口袋结构;其他位点的结合较不稳定,受MEP取向影响大.在pH4.0酸性条件下,原先稳定结合的MEP快速从Fc-A链表面脱离,主要原因是MEP和Fc间的静电排斥作用,以及疏水作用减弱和氢键结合的消失.通过分子模拟方法,从分子水平验证了HCIC独特的作用机理:疏水相互作用主导吸附,静电排斥作用协助解吸.     

二萘嵌苯桥联双二苯并24冠8的合成及其与富勒烯二级铵盐的组装行为

通过端基为伯胺的臂式二苯并24冠8与苝四甲酸二酐衍生物的缩合反应合成了二萘嵌苯桥联的双冠醚主体.利用核磁、荧光等手段研究了其与富勒烯二级铵盐客体形成准轮烷的组装行为.结果表明,24冠8大环可以键合二级铵盐客体,形成轮上有二萘嵌苯和轴上有富勒烯的准轮烷,KPF6和18冠6的加入可以调控准轮烷的解离和形成,并伴随着荧光强度的改变.     

聚醚环酰胺固体推进剂用键合剂的合成及使用性能

以丙三醇、环氧乙烷、环氧丙烷、氯化亚砜、异氰脲酸等为原料,合成了聚醚环酰胺键合剂。将其应用到推进剂(GAP/HMX/Al/AP)配方中,对成型后的推进剂进行力学性能测试和断面电子显微镜分析。结果表明,此类键合剂可以改善与推进剂中氧化剂的界面粘结性能,有效地提高成型后的推进剂在不同温度下的最大延伸率,但对抗拉伸强度的提高作用不明显。     

应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si_1-xGe_x的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ₂能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方 关键词： 电子谷间占有率 散射模型 锗组分 电子迁移率     

单轴〈111〉应力硅价带结构计算

基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考. 关键词： 单轴应力硅 k·p法')" href="#">k·p法 价带结构     

Fe离子注入ZnO生成超顺磁纳米颗粒

过渡族元素掺杂ZnO生成稀磁半导体, 成为近期国际材料科学研究的热点. 在本文中, 研究Fe离子注入ZnO单晶的结构和磁性变化, 目标是建立磁性和结构的对应关系, 澄清铁磁性的来源. 采用卢瑟福背散射/沟道技术 (RBS/Channelling)、同步辐射X射线衍射 (SR-XRD)和超导量子干涉仪 (SQUID), 研究注入温度和退火对样品的晶格损伤、结构及磁性的影响. 研究表明: 样品注入区损伤随注入温度升高而降低; 低温253 K注入样品中, SR-XRD未检测到新相, Fe离子分布于Zn位, ZnO (0002) 峰右侧肩峰可能属于Zn_1-xFe_xO, 5 K下测试样品不具有铁磁性; 623 K注入和823 K真空退火 (253 K注入) 样品中形成α和γ相金属Fe, 5 K下样品具有明显的剩磁和矫顽力, 零场冷却和场冷却 (ZFC/FC) 曲线和300 K下的磁滞回线显示纳米Fe颗粒具有超顺磁性. Fe离子注入ZnO的磁性源于第二相α-Fe和γ-Fe. 关键词： 离子注入 ZnO 同步辐射X射线衍射 超顺磁性     

漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响

结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si_1－βGe_β中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值. 关键词： 应变硅金属氧化物半导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型     

修正思维 完善知识

笔者在数学教学中发现,不少高中学生在解题时,往往会反复出现一些低级错误或解题误区,导致学习进步迟缓.作为学习的主体,大多数学生的学习态度和动机没什么大问题,主要原因出在思维指向性模糊,对数学的观察、分析、猜想、推理、概括、判断、验证、探究等只停留在表面,思维活动深入不下去,以致数学解题思想无法形成,解决方法无处落实.根据高中学生数学思维障碍产生的不同原因,在平时的教学中,笔者注重正视学生数学思维的差异性,因材施教,提高学生的思维能力,突破他们的思维障碍.     

基于ANP的装备质量管理风险评估模型

根据装备质量管理的特点对装备质量管理的风险因素进行了分析,依据指标体系的设计原则建立了装备质量管理风险评估的指标体系,并给出了基于网络层次分析法和粒子群优化算法的的装备质量管理风险评估指标权重值的确定方法.并给出了实例分析.