无法利用几何意义吗

学了李向忠、张钟谊二位老师在《中学生数学》2003年11月期上发表的“绝对值几何意义的应用”一文后,同学们可能会对二位老师的“提示”:“应用绝对值的几何意义去解绝对值的一些题目,能使解题过程大为简化和直观”产生共鸣,有所感悟.那么,你对二位老师的“告诫”:“当绝对值的个数多于两个,或者当x的系数不是1时,就无法利用几何意义”求解有何认识,有无困惑?你会对此提出质疑吗?你会探究进而释疑吗?     

白光干涉条纹变密的原因探讨

讨论了在测定透明介质折射率的过程中彩色条纹变密的现象，并在其基础上分析其成因：一是由于媒质折射率加大；二是由于平形板介质平行度不好造成楔形的倾角变大，最后在实验中验证了理论结果。     

若干具有[(PO4)2Mo5O15]簇骼的化合物的光谱研究

本文对所合成的具有 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼的 3种新颖的有机 磷钼酸盐簇合物(NH3CH2 CH2 NH3) 2 5[(PO4 ) (HPO4 )Mo5O1 5]·7 5H2 O (Ⅰ ) ,(H3NCH2 CH2 NH3) 3·[(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·3H2 O (Ⅱ )和(H3NCH2 CH2 NH3) 2 ·[Cu(en) ][(PO4 ) 2 Mo5O1 5]·5H2 O (Ⅲ )用FTIR ,NIR Raman ,紫外 可见漫反射光谱 (UV VisDRS)和荧光光谱等研究手段 ,对其进行光谱研究 ,探讨其结构和性能的关系。在这些化合物中 ,化合物Ⅰ和Ⅱ具有孤立的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元 ,而化合物Ⅲ的 [(PO4 ) 2 Mo5O1 5]簇骼基元是由 [Cuen]基团桥联成链 ;磷钼酸盐的特征振动频率和这些化合物的结构相关 ;UV VisDRS显示 ,在 2 0 0和 2 6 0nm左右有两个杂多化合物的特征吸收谱带 ;化合物的稳态荧光光谱中 ,观察到以 2 4 0nm激发 ,在大约 4 0 0nm附近出现的由金属氧簇Oμ→Mo跃迁激发所引起的较强的发射峰 ,在化合物 (Ⅲ )中 ,还观察到通过 [Cuen]的荷移跃迁的以 5 70nm激发所产生的 6 0 4nm的发射峰。     

广义向量均衡问题的解与解集的凸性

引进集值映射的锥真拟凹概念，讨论一类具有集值映射的广义向量衡问题解的存在性与解集的凸性。     

虚拟装配与CAD之间的信息交换

由于CAD系统与虚拟现实系统在建模以及实时应用等方面的差异，使得作为虚拟现实应用的虚拟装配系统不能直接使用CAD系统中的零件模型信息。因此有必要使用CAD系统提供的API开发—个接口程序来提取零件的模型信息供虚拟装配系统使用。虚拟装配系统需要从CAD系统提取的信息包括零件或部件的名称、零部件在装配中出现的次数、零部件在装配完成后的位置与姿态、零部件装配特征、几何参数信息以及零件或部件的图形信息。     

消色差谱相位延迟器的光谱特性测试研究

本文应用归一化偏振调制原理建立的测试系统，对常规菲涅耳菱体，改进型菲涅菱体，斜入射型以及直角棱镜组合型的消色差相位延迟的光谱特性进行了测试研究，得到了各延迟器的消色差特性曲线，并对测试结果进行了分析。结果表明改进型菲涅耳菱体以及直色棱镜组合型型消色差相位延迟器，是目前较理想的实用型消色相位延迟器。     

真空中氧化铝陶瓷沿面耐压试验

真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约，在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下，绝缘子就出现了击穿现象，即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验，对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较，并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。     

等离子体中的迁移系数

从等离子体动力学方程出发,采用玻尔兹曼碰撞项,在粒子分布函数偏离麦克斯韦分布甚小的情况下,作三级矩近似得到了等离子体迁移方程组。迁移方程组中忽略时间微分项后,得出了电子-离子等离子体的张量形式迁移系数,以及与磁场方向成平行(∥)、垂直(⊥)和交叉方向的迁移系数。导出的结果和文献[1]采用朗道碰撞项得出的结果进行了比较。结果表明,迁移系数和等离子体参数的依赖关系是一致的,但对磁场B和离子电荷Z_i值取定时,个别迁移系数要差一倍。此外,导出的迁移系数形式比文献[1]的要简单些。     

600MeV ~(18)O+~(nat)Pb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV（18）O轰击（nat）Ph（厚靶）生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果．通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较，讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制．测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较．结果表明，中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势．