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21.
P波对具有不等深度凹陷地形的散射 总被引:2,自引:0,他引:2
采用曲线坐标的分析方法研究稳态P波对凹陷地形散射的边值问题。利用曲线坐标描述整个凹陷半空间,应用复变函数方法给出凹陷地形中波场解答的函数逼近序列。进一步将待解的问题转化成无穷代数方程组,利用正交展开得到问题的解答。研究表明:应用曲线坐标的方法研究P波对凹陷地形的散射是一个可行的新方法。 相似文献
22.
采用Marx发生器结合水介质同轴线设计了高压脉冲功率源,在X射线二极管负载上可产生数MV高压输出。通过电压波过程分析,给出了在负载上获得最大电压输出条件下的形成线、传输线的阻抗设计原则。通过集中参数电路模型分析,给出了一定预脉冲幅值下形成线、传输线电长度及中储设计原则。结合水介质正极性耐压Martin经验公式进行绝缘设计,二极管采用径向均压绝缘堆结构,给出了整个装置初步方案设计。基于Pspice的全系统电路模拟表明:当中储运行电压为2.6MV时,对3Ω形成线充电电压为3.3MV,并最终在40Ω负载上获得4MV电压输出,且充电过程中负载脉冲幅值约为形成线充电电压的1.2%,在现有条件下,该平台设计指标能够满足实验预期。 相似文献
23.
有限环上的齐次重量与M(o)bius函数 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了有限环上齐次重量、M(o)bius函数和欧拉phi-函数等函数之间的关系.在有限主理想环上给出了这些函数的易于计算的刻画,对于整数剩余类环把它们还原成了经典的数论M(o)bius函数和数论欧拉phi-函数. 相似文献
24.
本文简单介绍了SOI和 DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及 DSOI MOSFET的热阻模型。进而对体硅,SOI MOSFET器件,特别是DSOI MOSPET的热学特性进行数值计算,比较并分析了其数值计算结果。 相似文献
25.
26.
27.
以邻氨基苯乙酮(2)为原料,经过连续的重氮化-还原-缩合反应序列制得3-甲基-1H-吲唑(3);3经(Boc)2O保护亚氨基后以NBS进行甲基溴代反应制得1-叔丁氧羰基-3-溴甲基-1H-吲唑(5);5与2-羟基异丁酸乙酯缩合得醚2-(1-叔丁氧羰基-1H-吲唑-3-基)甲氧基-2-甲基丙酸乙酯(6);6经HCl/乙酸乙酯溶液脱Boc保护制得关键中间体7;在叔丁醇钾存在下,7与溴苄缩合并水解合成了MCP-1抑制剂宾达利,总收率37.3%,其结构经1H NMR,13C NMR和MS确证。 相似文献
28.
建立了基于纳米金凝聚变色效应的检测T4多聚核苷酸激酶(T4 PNK)活性的方法。鉴于寡核苷酸链标记的纳米金能够稳定存在于一定浓度的盐离子缓冲溶液中,利用5’羟基修饰的发夹型探针作为金标探针,有T4 PNK存在时,金标探针5’羟基磷酸化,λ核酸外切酶被激活,酶切发夹型探针茎部双链DNA片段,接着在RecJf核酸外切酶作用下降解纳米金上修饰的残余的单链DNA,使得纳米金在一定盐离子浓度下团聚,溶液变成蓝紫色。结果表明,T4 PNK激酶检测的线性响应范围为0.5~4.0 U/mL,检测下限为0.24 U/mL。 相似文献
29.
本文研究了任意有限域Fq上的两个线性码的外积及其有关性质;并给出了由两个线性码构造的外积码的Hamming谱的第1个谱值的界以及最后一个谱值。 相似文献
30.
采用沉淀法制备了SnO2催化剂,以SnO2催化臭氧氧化降解糖蜜酒精废水脱色为探针反应,对催化剂的活性进行了评价.采用X射线衍射、红外光谱及热分析(TG-DSC)等技术对催化剂进行表征,研究了沉淀剂及焙烧温度等制备参数对SnO2催化臭氧氧化活性的影响.结果表明,SnO2催化剂对臭氧氧化降解糖蜜酒精废水脱色具有较高的催化活性,反应60 min后,糖蜜酒精废水的脱色率从单独臭氧氧化的43.04%提高到60.24%.沉淀剂对SnO2催化剂的活性影响很大,其中以氨水为沉淀剂制备的SnO2催化剂去羟基化反应程度高,所制得的催化剂活性最大.催化剂适宜的焙烧温度为723 K.SnO2吸附吡啶的红外光谱表明,催化剂表面存在L酸中心.臭氧在SnO2表面吸附的红外光谱表明,通过臭氧的末端氧原子与表面羟基及L酸中心成键,生成的活性氧可氧化降解糖蜜酒精废水. 相似文献