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锰结核中硅,铝,铁,镁,磷,钾,锰,钛的XRFA 总被引:1,自引:0,他引:1
本文叙述了用XRF分析锰结核中Si、Al、Fe、Mg、P、K、Mn和Ti的方法。按照通常锰结核的主次成分制备6个人工合成标准,根据Sherman方程计算了已知成分(二元系统)的相对强度。用L-T方求得了互致元素校正的理论α系数(基本的、混合的、修正的),用DATAFLEX151B计算机以BASIC语言汇了“PRA,APU”计算机程序。然后进行非线性回归分析了锰结核样品得到了满意的结果。 相似文献
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To incorporate an acceptor type polythiophene segment onto a supramolecular block copolymer for potential light harvesting applications, effective synthetic routes for the end‐functionalized and acceptor‐substituted polythiophenes are critical. The Ullmann coupling reaction can be utilized to obtain electron‐deficient polythiophenes and to attach terminal thiophene units that carry functional groups. In this article, the reactions involving a 2,5‐dibromothiophene monomer containing an electron‐withdrawing fluorinated ester and 5‐bromo‐2‐thiophenecarboxaldehyde (the end‐capper) were studied in detail. It was found that the Ullmann coupling reaction of the dibromide is very fast (completed in a few minutes) and the terminal bromine group does not survive long under the reaction condition. These findings lead to the development of an effective procedure for aldehyde end‐capping of electron‐deficient polythiophenes. Polymers with molecular weights around 4000 Da are routinely obtained. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 45: 41–47, 2007 相似文献
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JIAO Peng ZHANG Qi-han XU Jia-xi+{**} Key Laboratory of Bioorganic Chemistry Molecular Engineering of Ministry of Education College of Chemistry Molecular Engineering Peking University Beijing China 《高等学校化学研究》2006,(6)
IntroductionN,N′-Bis [1-( hydroxymethyl) alkyl] dicarboxa-mides are important intermediates for the syntheses ofbis-oxazolines, which are a class of the most importantand widely used ligands in catalytic asymmetric reac-tions[1,2]. On determining the str… 相似文献
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本文给出了Banach空间广义分解定理的一个初等证明,并利用它来证明两个对称不等式.这是首次在Banach空间获得这样的不等式. 相似文献
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Q.-Y. Shao A.-D. Li J.-B. Cheng H.-Q. Ling D. Wu Z.-G. Liu N.-B. Ming C. Wang H.-W. Zhou B.-Y. Nguyen 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2005,81(6):1181-1185
LaAlO3 (LAO) gate dielectric films were deposited on Si substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. The interfacial structure and composition distribution were investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary-ion mass spectroscopy (SIMS), and Auger-electron spectroscopy (AES). HRTEM confirms that there exists an interfacial layer between LAO and Si in most samples. AES, SIMS, and XPS analyses indicate that the interfacial layer is compositionally graded La–Al silicate and the Al element is severely deficient close to the Si surface. Electrical properties of LAO films were evaluated. No evident difference in electrical properties between samples with and without native SiO2 layers was observed. The electrical properties are discussed in terms of LAO growth mechanisms, in relation to the interfacial structure. PACS 73.40.Qv; 81.15.Gh; 77.55.+f; 68.35.-p 相似文献
117.
一个推广的Hardy-Hilbert型不等式及其逆式 总被引:1,自引:0,他引:1
本文引入单参数λ及应用Beta函数,给一个Hardy-Hilbert型不等式以具有最佳常数因子的推广,作为应用,给出了它的逆向形式. 相似文献
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119.
梯度棒折射率分布系数的计算和验证 总被引:1,自引:0,他引:1
本文推导了用离子交换法制作的径向折射率梯度棒的g,h_4和h_6与材料特性相联系的计算公式。根据测定的材料参数,并用本文公式算出的g值与用成像法测得的g值相比较,其结果基本相符。 相似文献
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