考虑到束-波相互作用的速调管离子噪声二维模拟

采用粒子模拟的方法并考虑电子束与电磁波的相互作用，首次直接得到了速调管输出信号的离子噪声图像，阐述了束电子、二次电子、离子、电磁场之间的相互作用的动力学过程. 指出离子噪声所表现出来的相位波动是由电子束速度的波动引起的，电子束速度的变化来源于管内离子数量的变化，离子的数量的变化又与电子束状态变化相互影响，这是离子噪声产生的根本原因. 二次电子对离子噪声产生过程的影响甚微，但是其行为却反映了离子噪声的形成机理. 离子噪声引发的输出信号幅度波动取决于电子束速度和半径的改变，与离子行为密切相关. 关键词： 离子噪声 速调管 粒子模拟 电子束     

164Lu的三轴超形变核态的研究

利用TRS方法对双奇核¹⁶⁴Lu的位能面进行了计算,确认了¹⁶⁴Lu核的一条三轴超形变带,结果与实验较好地符合,同时指出了三轴超形变带的一个具体的组态     

二维非正交坐标斜方格金属光子带隙结构

金属光子带隙结构在高能加速器、微波真空电子器件和太赫兹波源等方面具有重要的应用前景.基于实空间传输矩阵理论，详细研究了非正交坐标系下二维斜方格金属光子带隙结构，给出了计算横电模、横磁模完全带隙结构的一般公式，并分析了填充系数、任意斜角及金属柱横截面对带隙结构的影响.计算结果在退化为正方格情况下时，与其他方法的计算结果取得很好的一致. 关键词： 光子晶体 金属光子带隙 传输矩阵法 微波真空电子器件     

ZrO2在Cu-ZnO-ZrO2甲醇水蒸汽重整制氢催化剂中的作用

通过对一系列Cu-ZnO-ZrO2甲醇水蒸汽重整(SRM)催化剂的XRD、TEM和BET表征及催化性能测定,研究催化剂中ZrO2对催化剂粒径、比表面以及对SRM反应性能的影响.结果表明,ZrO2的加入,使催化剂的粒径从15 nm降至10 nm（其中CuO和ZnO的平均粒径分别从7.7和10.4 nm降至3.9和8.7 nm）,BET比表面从60 m2•g－1增至78 m2•g－1.随着催化剂含ZrO2量不同,甲醇的转化率和H2、CO2的选择性均产生变化,当催化剂中Zr含量为24.0％(w),反应温度为220 ℃,水、醇摩尔比为1.3时,甲醇的转化率达到51.6％, H2和CO2的选择性达到100％(CO和CH4在产物气体中的体积分数小于10－4),这一结果对甲醇燃料电池甲醇重整器的应用具有重要的意义.     

高负载率纳米Pt-Ru/C催化剂的制备和表征

以Vulcan XC-72R碳黑为载体, 通过在含十二烷基硫酸钠(SDS)的乙二醇溶液中直接还原氯铂酸和三氯化钌, 制备了负载率为60%的纳米PtRu/C催化剂. 透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)分析结果表明, SDS的加入可显著改善PtRu纳米颗粒在载体表面分散性, 平均粒径达到2.7 nm. 电化学循环伏安法(CV)测试的结果显示, 利用这种方法制备的纳米PtRu/C催化剂对于甲醇氧化具有较强的抗中毒能力和较高的电催化活性.     

D-氨基葡萄糖Schiff碱及其金属配合物的抗菌活性

The effects of D-glucosamine schiff base and its metal complexes on the growth of Aerobacter aerogenes were investigated by the microcalorimetry. Among the substances tested. Zn-SG was shown to be the most bacteriostasic, followed by Zn-o-VG and SG (with the Ic50 of 242, 287 and 320 μg•mL-1, respectively). Cu(Ⅱ)-SG showed less inhibitory effect on Aerobacter aerogenes over the concentration rang of 50~300μg•mL-1.     

电化学合成镍配合物的研究

采用金属镍为“牺牲”阳极，首次在无隔膜电解槽中，电化学溶解金属镍一步 制备了纳米NiO前驱体Ni(Oet)2,Ni(Obu)2,Ni(Oet)2(acac)2，Ni(Obu)2(acac)2 [acac为乙酰丙酮基].产物通过红外光谱（FT-IR）、拉曼光谱（Raman spectrum） 进行表征。同时讨论了影响电合成镍醇盐及其配合物的关键因素。实验表明，防止 阳极钝化，温度控制在30-40℃，采用有机胺溴化物为导电盐，可以提高电合成效 率。     

铁掺杂TiO2纳米管阵列对不锈钢的光生阴极保护

在含FeSO4的HF、H2SO4/HF、NaF/Na2SO4溶液中,通过电化学阳极氧化直接在纯钛表面制备Fe 掺杂的TiO2(Fe-TiO2)纳米管阵列. 应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、X 射线光电子能谱(XPS)等手段对纳米管阵列的结构、形貌及化学组成进行表征. 利用光电化学测量研究Fe-TiO2纳米管阵列在不同波长范围内的光电响应特性和光生阴极保护行为. 考察了温度、时间、掺杂含量等参数对TiO2纳米管阵列的几何尺寸、形貌和光电性能的影响. 结果表明, Fe掺杂可有效减缓TiO2纳米管阵列载流子的复合, 窄化TiO2带隙宽度, Fe-TiO2在410-650 nm范围显示强吸收, 并使光谱响应扩展到波长大于400 nm 的可见光区. 实验结果还表明, Fe-TiO2纳米管阵列对316不锈钢(316L)具有良好的光生阴极保护作用, 暗态下阴极保护作用可继续维持.     

A flexible carbon nanotube field emitter fabricated on a polymer substrate by a laser separation method

The fabrication of a sparsely networked carbon nanotube (CNT) thin film on a polycarbonate substrate as the conductor electrode and the emitting cathode by a newly proposed laser separation method is reported. Based on this approach, numerous surface protruding tube tips can be structured straightforwardly, which results in favorable field-emission characteristics. A flexible field emitter with a low turn-on voltage of 1.0 V/μm can be obtained. This method also demonstrates the abilities for fabricating a film with precision patterns and varying CNT concentrations as well as the flexibility of direct film formation on a curved surface. Moreover, all fabrication steps are executed in the ambient environment and at room temperature.     

Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy

This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire （0001） substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature （HT） A1N layer and a low-temperature （LT） A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer.