乙醇胺功能化石墨烯及其PVB复合材料的制备

采用乙醇胺对石墨烯进行改性,一步合成了乙醇胺功能化石墨烯(EFG),探讨了实验条件对该过程的影响.结果表明,乙醇胺在对石墨烯进行功能化的同时还能起到还原氧化石墨烯(GO)的作用,反应产物的吸光度随着乙醇胺的用量、反应温度、反应体系pH值和反应时间的增加而增加,而产物中N元素的含量则随之减小,最佳合成条件为:乙醇胺与GO的质量比为4.0,反应温度50℃,体系pH 7.0,反应时间12 h.然后分别采用溶液共混法和原位还原法,制备了两种不同的EFG/聚乙烯醇缩丁醛(PVB)复合材料,研究了EFG的添加量和加入方式对PVB性能的影响.结果表明,EFG的引入可以极大的提高PVB的导电率、紫外线屏蔽能力和力学性能,且采用原位还原法的效果更好.当EFG添加量为3.0 wt%时,复合材料的导电率较PVB升高了约6~7个数量级;当EFG的添加量仅为1.0 wt%时,复合材料对紫外线的屏蔽能力就到达了90%以上.     

AlmN(m=2～9)团簇结构与稳定性的DFT研究

用密度泛涵理论 (DFT)的 B3LYP方法在 6-31G水平上对 AlmN(m=2～ 9)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了理论研究.给出了以 Alm团簇作为设计 AlmN类结构的母体,考虑在不同位置上结合 N原子的结构,可以较快找到 AlmN类团簇基态结构的一种方法.通过对基态结构的几何参数分析发现, m< 4的结构只存在 Al- N键; m≥ 4的结构 , Al- N键和 Al- Al键共存.对基态结构的绝热电离能讨论结果表明,只存在 Al- N键的 Al2N和 Al3N团簇较稳定.     

Mn的价态对La0.8Ba0.2MnO3电磁性能的影响

在2—390K温度之间研究了La_0.8Ba_0.2MnO₃的 磁矩、磁电阻与温度的关系.发 现以不同价态的Mn元素引入得到的La_0.8Ba_0．2MnO₃ ，性能虽然都存在金属 —绝缘体转变，以及在磁场作用下居里温度附近电阻率变化非常显著的特点，但是价态对磁 性转变温度T_C，金属—绝缘体转变温度T_mi，以及磁电阻极大 值温度T_MR的影 响都非常显著.三种价态相比较，使用二价Mn的电阻率最低以及磁性转变温度更接近室温.认 为影响材料性能的主要因素是材料制备时引进的Mn元素的价态，由于原料价态的不同而形成 的氧空位浓度变化，进而影响了Mn⁴⁺/Mn³⁺的比. 关键词： 价态 磁电阻 居里温度 金属—绝缘体转变     

Mn的价态对La0.8Ba0.2MnO3电磁性能的影响

在2-390K温度之间研究了La0.8Ba0.2MnO3的磁矩、磁电阻与温度的关系.发现以不同价态的Mn元素引入得到的La0.8Ba0.2MnO3,性能虽然都存在金属-绝缘体转变,以及在磁场作用下居里温度附近电阻率变化非常显著的特点,但是价态对磁性转变温度TC,金属-绝缘体转变温度Tmi,以及磁电阻极大值温度TMR的影响都非常显著.三种价态相比较,使用二价Mn的电阻率最低以及磁性转变温度更接近室温.认为影响材料性能的主要因素是材料制备时引进的Mn元素的价态,由于原料价态的不同而形成的氧空位浓度变化,进而影响了Mn4+/Mn3+的比.     

有机化学气相沉积的钛酸铅铁电薄膜的拉曼光谱研究

有机化学气相沉积的钛酸铅铁电薄膜的拉曼光谱研究马文辉，张明生，孙力，尹真，陈强，陈延峰，闵乃本（南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京２１００９３）ＲａｍａｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉＳｓｔｕｄｙｏｆＰｂＴｉＯ＿３ＴｈｉｎＦｉｌｍｓｂｙＭｅｔａｌｏｒ...     

耳蜗中tip-link张力与静纤毛运动动力学研究

诠释耳蜗的主动感音放大机制一直是未解的医学难题.这种机制与耳蜗中外毛细胞顶端的静纤毛运动密切相关,静纤毛运动又受到tip-link张力与淋巴液流体力的调节.因此,研究静纤毛运动过程中tip-link张力是诠释耳蜗的主动感音放大机制的重要环节.本文把静纤毛视为变形体,基于泊肃叶流动理论并结合分布参数模型,推导了静纤毛运动的解析解.研究了盖膜剪切荷载作用下静纤毛和淋巴液相互作用的动力响应以及tip-link张力的变化规律.研究发现:当静纤毛的杨氏模量减小时,在小于峰值频率的区域,tip-link张力显著增大,f₂的峰值频率减小.以往的研究将静纤毛作为刚体,势必导致低频声音信号作用减弱.当系数c=0 (无黏性阻力)时,f₂频率选择特性存在;当μ=0(无压力)时,f₂频率选择特性消失,因此淋巴液可能是通过在静纤毛间产生压强的方式来调节毛束的频率特性的.另外,盖膜剪切荷载频率越高,静纤毛轴弯曲越明显,发束内外域的压强差也越大.     

Ga高掺杂对ZnO的最小光学带隙和吸收带边影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了纯的和四种不同Ga掺杂量的ZnO超胞模型, 分别对模型进行了几何结构优化、能带结构分布、态密度分布和吸收光谱的计算. 结果表明, 在本文限定的Ga掺杂量2.08 at%–6.25 at%的范围内, 随着Ga掺杂量的增加, 掺杂后的ZnO体系体积变化不是很大, 但是, 掺杂体系ZnO的能量增加, 掺杂体系变得越来越不稳定, 同时, 掺杂体系ZnO的Burstein-Moss 效应越显著, 最小光学带隙变得越宽, 吸收带边越向高能方向移动. 计算结果和实验结果相一致. 关键词： Ga高掺杂ZnO 电子结构 吸收光谱 第一性原理     

陡峭山坡风场数值模拟方法研究

地形起伏是造成山地风场复杂多变的主要原因,其风场特性与基于均匀粗糙平面的风场有很大的区别.为准确模拟山坡地形风场,以坡角45°的简化陡峭山坡为研究对象,采用CFD数值模拟方法进行了流场分析,通过与风洞试验和各国规范对比,详细分析了网格分辨率、湍流模型和坡顶局部光滑处理等因素对数值模拟风场精度的影响.结果 表明,采用基本网格尺度布置以及Realizable k-ε湍流模型,在坡顶位置的风压系数值与风洞试验存在一定偏差;在坡顶分离点处采用具有二阶连续性的曲线进行局部光滑,可使得数值模拟所得风速比和风压系数与试验结果更好地吻合,且光滑曲线的过渡段水平距离越短,模拟效果相对越好,坡顶位置的地形加速效应模拟结果与文献试验、中国以及澳大利亚规范具有更好的一致性.     

Band offset and electronic properties at semipolar plane Al N(1ī01)/diamond heterointerface

Tailoring the electronic states of the Al N/diamond interface is critical to the development of the next-generation semiconductor devices such as the deep-ultraviolet light-emitting diode, photodetector, and high-power high-frequency field-effect transistor. In this work, we investigate the electronic properties of the semipolar plane Al N(1ˉ101)/diamond heterointerfaces by using the first-principles method with regard to different terminated planes of Al N and surface structures of diamond(100) plane. A large number of gap states exist at semi-polar plane Al N(1ˉ101)/diamond heterointerface, which results from the N 2 p and C 2 s2 p orbital states. Besides, the charge transfer at the interface strongly depends on the surface termination of diamond, on which hydrogen suppresses the charge exchange at the interface. The band alignments of semi-polar plane Al N(1ˉ101)/diamond show a typical electronic character of the type-II staggered band configuration. The hydrogen-termination of diamond markedly increases the band offset with a maximum valence band offset of 2.0 e V and a conduction band offset of 1.3 e V for the semi-polar plane N–Al N(1ˉ101)/hydrogenated diamond surface. The unique band alignment of this Type-II staggered system with the higher CBO and VBO of the semi-polar Al N/HC(100) heterostructure provides an avenue to the development of robust high-power high-frequency power devices.