不同材料CMOS阵列电串扰特性的分析及比较

从传感器的响应及电子扩散原理分析了影响CMOS阵列串扰特性的几个主要因素。选择了锗、硅、砷化镓这几种常见的光电材料,分析并比较了材料特性对CMOS阵列串扰特性的影响。具体分析了三种光电材料在各自光谱响应峰值波长下,不同入射条件和结构参数对应电串扰的输出情况。结果表明:在相同条件下,锗材料制作的CMOS阵列具有最大的电串扰输出,在结构条件一致的前提下,入射光的功率在200μW时,锗材料CMOS阵列的串扰比硅和砷化镓材料分别高了58.97 mV、115.81 mV。结构参数对不同材料CMOS阵列具有相同的影响规律,但是锗材料CMOS的串扰变化最为显著,在其他参数不变的情况下,耗尽层宽度为1μm时,锗材料CMOS的串扰输出比硅和砷化镓材料的分别高了56.67mV、121.84 mV。分析结果为CMOS阵列材料的选择及串扰抑制技术提供了参考数据。     

Fractal空间上自迴避行走的吸收问题

本文运用严格重整化群理论研究了两种Fractal空间上自迴避行走的吸收问题。计算所得的交跨指数φ和相关长度指数ν的严格解结果表明,de Gennes的推测公式φ=1—ν并不成立。相变流图与欧几里德空间中相应问题的流图定性相同。唯一而重要的差别在于Fractal空间中的吸收相变在无穷小吸收作用的硬壁影响下就可发生,而在欧几里德空间只是在一定大小的吸收作用下才会发生。 关键词：     

小参数广义Lienard型耗散方程周期及三角多项式定常解

本文沿文献[1]提出的,借待定系数法确定Fourier级数的途径,讨论了直接求出小参数广义Lienard型耗散方程定常振动的Fourier级数形式的周期解的可能性和力法.也讨论了非线性自由振动这一特殊情况.找到了求Fourier系数A_(2K-1),B_(2K+1)(K=1,2,…)及非线性角频率ω的公式及方法,这些公式将它们表为复合导数f_t~(K)(x_0),g_t~(K)(x_0)(K=0,1,…)的线性组合.于是,这两类方程的求解,便简化为求各阶复合导数问题.但由于求高阶复合导数的复杂性,本法只能用于求三角多项式近似解.     

Vertical profiles of aerodynamic size distribution for airborne particles over Yangtze River Delta

Based on the aircraft observations in the summer of 2003, we have studied the aerodynamic size distributions of airborne particles at altitudes ranging from 400 m to 2800 m over the central and southern areas of Jiangsu province located in Yangtse River Delta of China. The sizes of airborne particles are measured to be in a range of 0.47- 30 μm with 57 channels, and their number concentrations, surface area concentrations and mass concentrations are also measured. The results show that the concentrations of airborne particles are very low above an altitude of 2000 m and the size distributions present a specific multi-peak mode by using insufficient samples. Below 1000 m, however, the concentrations of particles increase obviously, and their size distribution is similar to that at the ground level. The study also indicates that the concentrations, size distributions and median diameters of airborne particles above and below the boundary layer are very different, displaying different pollution features. Meanwhile, the results also show that the pollution level of airborne particles has a descending tendency with altitude increasing.     

基于小分子化合物分析的MALDI-TOF MS新型基质研究进展

基质辅助激光解吸附离子化-飞行时间质谱(MALDI-TOF MS)是一种新型的软电离生物质谱,近十年来得到了快速发展,在小分子化合物的分析检测中发挥了重要作用。其基质的选择一直是关注的重点,目前,研究者们已开发出多种新型MALDI-TOF MS基质,主要分为纳米材料和新型有机化合物两大类,基质性能的完善与提高使得MALDI-TOF MS的检测结果有了更高的准确度和灵敏度,更小的背景噪音,更干净的谱图,但目前尚处于研究阶段,现阶段仍无法替代传统有机基质。该文通过对新型基质的研究进展进行整理,总结出不同种类基质的优点、特性及适用对象,并对未来的MALDI-TOF MS基质研究作出了展望。     

反相HPLC法分析红豆杉树皮和树叶中紫杉醇及其类似物含量的研究

建立了红豆杉树皮和树叶中紫杉醇及四种类似物１０－脱乙酰浆果赤霉素Ⅲ（１０－ｄｅａｃｅｔｌｙ－ｂａｃｃａｔｉｎⅢ）浆果赤霉素（Ｂａｃｃａｔｉｎ（Ⅲ），脱乙酰－７－表－紫杉醇（１０ｄｅａｃｅｔｙｌ－７－ｅｐｉ－ｔａｘｏｌ）和Ｃｅｐｈａｌｏａｎｎｉｎｅ）的梯度和等梯度高效液相色谱分析方法。     

一种改进的制备手性氨基醇的方法

采用NaBH4／Ticl4还原体系，在THF溶剂中，将手性氨基酸还原制备相应的氨基醇，具有相对经济、操作简便、可大量制备等优势．     

锆—钙—茜素S异多核络合物极谱吸附波的研究

报道了锆－钙－茜素Ｓ异多核络合物的形成及该异多核络合物极谱吸附波测定锆的最佳实验条件，用此法测定了矿石样品中的微量锆，并探讨了该极谱法的性质的电极反应机理，在单扫描示波极谱上用单纯形法和斜率比法测得该体系异多核络合物的组成比为：ｎｚｒ（Ⅳ）：ｎｃａ＾２＋；ｎＡＢＳ＝１：１：４．用分光光度法测定亦得到相同的结论。     

配位聚合物[Cu(pa)(vim)2]n的合成、晶体结构和电化学性质研究

本文合成了一种新型配位聚合物[Cu(pa)(vim)2]n(pa为邻苯二甲酸阴离子,vim为1-乙烯基-1H-咪唑),并用x射线单晶衍射仪和元素分析表征了其单晶结构。晶体属单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数分别为：a＝1.6527(3) nm, b＝0.81800(16) nm, c＝1.4463(3) nm, β＝113.19(3)°, V＝1.7973(7) nm3, Z＝4, Dc＝1.537 g?cm－3。 [I＞2σ(I)]时：R1＝0.0476, wR2＝0.1235,对所有数据：R1＝0.0693, wR2＝0.1355。配合物的结构中存在沿着c轴的zigzag聚合链。每个铜原子位于晶体中心,与两个N原子和两个O原子进行配位,形成了扭曲的平面结构。电化学研究表明在配合物中Cu2+/Cu+的氧化还原是一个单电子的准可逆过程。     

准相位匹配周期极化掺镁铌酸锂490 nm倍频连续输出

在室温下通过外加电场极化法,首次用较低的极化开关电场～5.5 kV/mm,在厚为1 mm、长为20 mm、宽为18 mm的掺镁铌酸锂基片上成功的制备了周期为4.8～5.2 μm的一阶准相位匹配倍频光学微结构;并在室温下,以波长为980 nm的半导体激光器为基频光源,对所研制的微结构样品进行倍频通光实验,在入射基频光为800 mW时,产生约40 mW的490 nm的倍频光,其对应转换效率为5%,实验过程中未见绿致吸收光折变现象.