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41.
曾林涛 《影像科学与光化学》2010,28(4):314-314
近年来,荧光化学传感器以其高选择性、高灵敏度、实时原位监测、简便快捷等优点,受到人们的普遍欢迎.开发一些具有高灵敏度、高选择性、实时原位检测性能的荧光化学传感器,特别是开发一些具有实际应用价值的荧光化学传感器,一直都是人们追求的目标.论文根据分子识别和光化学传感的基本原理,结合生物医学检测的需要,设计了几种能够在水相中识别生物医学上重要生物活性分子的荧光探针分子.主要工作和结果概述如下. 相似文献
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43.
聚苯胺对抗坏血酸的电催化氧化及磁效应 总被引:2,自引:0,他引:2
磁场对生物体系及其中物理现象和化学反应的影响历来是人们关注的焦点[1].磁场能影响分子、细胞、组织、器官乃至整个生物体系的新陈代谢功能.磁场对化学反应的影响通常是通过对自由基(对)施加作用而体现的,磁场改变了未成对电子的自旋方式,从而改变了反应的墙,进而改变化学反应的速率[2].此外,磁场对电化学体系的影响也有报导[3],外加磁场激发溶液流动,产生磁流体动力学效应(MHD)[4],增大传质速度,影响电化学进程.本文研究聚苯胺(PAN)修饰电极上抗坏血酸(AA)的电催化氧化,并讨论了膜厚、溶液pH值、AA浓度(CAA… 相似文献
44.
45.
Low-Threshold-Current and High-out-Power 660 nm Laser Diodes with a p-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R 下载免费PDF全文
We investigate a new structure of high-power 660-nm AlGaInP laser diodes. In the structure, a p-GaAs layer is grown on the ridge waveguide serving as the current-blocking layer, and nonabsorbing windows are only fabricated near the cavity facets to increase the catastrophic-optical-damage level. Stable fundamental mode operation was achieved at up to 80roW without kinks, and the maximum output power was 184roW at 22~C. The threshold current was 40 mA. 相似文献
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47.
49.
50.
The Si on SiC heterojunction is still poorly understood,
although it has a number of potential applications in electronic and
optoelectronic devices, for example, light-activated SiC power
switches where Si may play the role of an light absorbing layer. This
paper reports on Si films heteroepitaxially grown on the Si face of
(0001) n-type 6H-SiC substrates and the use of B2H_6 as a
dopant for p-Si grown at temperatures in a range of
700--950~\du. X-ray diffraction (XRD) analysis and transmission
electron microscopy (TEM) tests have demonstrated that the samples
prepared at the temperatures ranged from 850~℃ to 900~℃ are
characterized as monocrystalline silicon. The rocking XRD curves
show a well symmetry with FWHM of 0.4339° Omega. Twin
crystals and stacking faults observed in the epitaxial layers might
be responsible for widening of the rocking curves. Dependence of the
crystal structure and surface topography on growth temperature is
discussed based on the experimental results. The energy band structure
and rectifying characteristics of the Si/SiC heterojunctions are
also preliminarily tested. 相似文献