核壳结构PAM-ZnS纳米杂化微球的制备研究

随着高新科技的发展,人们对材料的要求越来越高,纳米材料的研究和材料的杂化已成为材料发展的重点之一.近年来,有彬无机杂化材料因其具有可调的光、电、磁等特性而备受关注．有彬无机杂化材料的杂化尺度通常为纳米级,甚至小到分子水平,因而可实现不同组分性质结合于一体,并产生协同效应．纳米ZnS材料因具有热红外透明、荧光、磷光等特性已引起人们极大的兴趣,例如ZnS纳米颗粒量子点及其掺杂具有独特的光电性质,主要用于传感器和高分辨显示器．     

表面速度异向条件下定量脂润滑特性试验观察

采用球-盘点接触光干涉油膜测量仪观察了不同钢球和盘表面速度夹角下脂润滑的油膜特性. 试验发现,在表面速度异向条件下呈现出与已有定量脂润滑明显不同的两个特征:接触区入口油池的出现和油膜外形非对称性. 其中入口油池的出现使油膜厚度和润滑持续时间得到显著提升,这一发现也证明将经典的乏油边界条件应用于速度异向工况具有局限性;油膜外形的非对称性主要由滑动分量诱发的接触区温度分布不均匀引起,而且非对称性随着速度和角度的增加而变得明显. 表面速度异向条件下两表面上滚道交叉促进润滑剂回填,是入口油池形成的主要机制.      

0.6Ca0.61La0.26TiO3-0.4La(Mg0.5Ti0.5)O3介质陶瓷微波烧结的晶粒生长动力学研究

采用微波烧结制备了0.6Ca0.61La0.26TiO3-0.4La(Mg0.5Ti0.5)O3[0.6CLT-0.4LMT]陶瓷,研究烧结工艺对其显微结构和晶粒生长行为的影响,并采用线性回归方法建立了Hillert模型和Sellars简化模型,采用非线性回归方法建立了具有时间指数的Sellars-Anelli模型.结果 表明,随着烧结温度的升高、保温时间越长,晶粒尺寸越大,且烧结温度对晶粒生长的影响更为明显.对三种模型预测的晶粒尺寸与实验结果的平均晶粒尺寸进行了误差分析,发现Hillert模型对该陶瓷的预测精度最低,Sellars-Anelli模型对该陶瓷的预测精度最高.由Sellars-Anelli模型得到的0.6CLT-0.4LMT陶瓷的晶粒生长动力学方程为d4.718=d04.718 +4.516×1033×t0.888×exp[-1 059 682/(RT)],能够有效预测0.6CLT-0.4LMT陶瓷微波烧结的晶粒生长过程.     

区域物流能力与区域经济发展耦合互动机理研究

采用虚拟变量法和耦合协调度模型,利用内蒙古相关统计数据,探索了区域物流能力与区域经济发展之间的耦合互动关系.结果表明:区域物流能力对区域经济发展具有显著的正向影响,区域经济发展是区域物流能力的格兰杰原因,区域物流能力与区域经济发展之间存在耦合互动效应;不同耦合协调度等级下,区域物流能力对区域经济发展的影响程度存在较大差异.最后,基于以上研究结论提出相关政策建议,实现区域物流能力与区域经济协调发展.     

GaAs(001)图形衬底上InAs量子点的定位生长

InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件下GaAs (001)图形衬底的低温脱氧过程,低温GaAs缓冲层生长中沟槽形貌的演化过程,以及沟槽形貌对量子点形核位置的影响.发现GaAs衬底上纳米沟槽侧壁的倾斜角较小时, InAs量子点会优先生长于沟槽底部;当沟槽的侧壁倾斜角较大时, InAs量子点则会优先生长于沟槽两侧的外边沿位置.此外,本文还研究了纳米孔洞侧壁的倾斜角对量子点成核位置的影响,实现了双量子点分子和四量子点分子的定位生长.     

硅(001)图形衬底上锗硅纳米线的定位生长

纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法,在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火,实现了有序锗硅纳米线在凹槽中的定位生长,锗硅纳米线的表面晶面为(105)晶面.详细研究了退火温度、硅锗的比例及图形周期对纳米线形成与否,以及纳米线尺寸的影响.     

高纯低位错密度单晶金刚石的制备与表征

金刚石以高导热率、强抗辐射性、高的电子迁移率等优异性能，成为辐射探测器最合适的材料之一。探测器级的金刚石要求具有极低的杂质含量及位错密度等，然而实际过程中同时实现杂质和位错的控制十分困难。本研究采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法，通过前期的参数优化，在最佳生长温度780℃、最佳甲烷浓度5%条件下，在两个高质量高温高压(HPHT)金刚石衬底样品上进行了MPCVD金刚石生长，并对衬底和生长层的氮杂质含量与缺陷结构进行了综合表征与分析。电子顺磁共振谱结果表明，相比两个HPHT衬底样品的氮杂质原子百分数分别为7.1×10^-6%和4.04×10^-6%,MPCVD生长层的氮杂质原子百分数明显减少，分别为2.1×10^-7%和5×10^-8%。由X射线摇摆曲线和白光形貌术测试结果发现，尽管MPCVD生长过程中引入了部分位错，使生长层应力增加，畸变区域较多，但总体位错与高质量衬底为同一数量级。本研究制备的高纯单晶金刚石有望应用于核辐射探测及半导体领域。     

5-氯-2-甲氧基苯甲酸与1,10-邻菲啰啉稀土配合物的合成、表征及热分解机理

合成了三种稀土配合物[Ln(5-Cl-2-MOBA)3phen]2(Ln=Nd(1),Eu(2),Ho(3);5-Cl-2-MOBA:5-氯-2-甲氧基苯甲酸根;phen:1,10-邻菲啰啉),通过元素分析、热重-微分热重-差示扫描量热(TG-DTG-DSC)、红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)及摩尔电导等技术对标题配合物进行了表征.荧光光谱表明配合物(2)发出铕离子的特征荧光.用热分析/傅里叶变换红外(TG-DSC/FTIR)联用技术,阐明标题配合物的热分解反应机理,并分析了逸出气体的三维(3D)红外光谱.     

应用小波理论处理油(气)田长时压力监测数据

自90年代以来,越来越多的生产井和注入井安装了长时井底压力计.关于长时压力数据分析的主要障碍是数据中的噪音和奇异点、巨大的数据容量、不完备的信息以及缺少动态分析工具.本文以小波理论为基础,经过反复试验,寻找到了适合于处理长时压力数据的小波类型;在Chee kin(2001)的线性回归方法与小波分解的基础上,建立了剔除异常点的多重阀值法、剔除噪音的软阀值方法以及确定瞬变值的多步法;油(气)田实例说明了上述方法的有效性.     

一类多点边值问题的可解性

This paper deals with the existence of solutions for the problem
{（Фp（u′））′=f（t,u,u′）,t∈（0,1）,
u′（0）=0,u（1）=∑i=1^n-2aiu（ηi）,
where Фp（s）=｜s｜^p-2s,p〉1.0〈η1〈η2〈…〈ηn-2〈1,ai（i=1,2,…,n-2）are non-negative constants and ∑i=1^n-2ai=1.Some known results are improved under some sign and growth conditions. The proof is based on the Brouwer degree theory.