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971.
972.
(Tm,Ho):YLF微片激光器的实验研究 总被引:2,自引:1,他引:1
报道了一台连续792 nm Ti:Al2O3激光器纵向抽运的(Tm,Ho):YLF微片激光器.在室温条件下,当抽运功率为680 mW时,激光器在2.06 μm波长的输出功率达到90 mW.激光器阈值为380 mW,光光转换效率为13%,斜率效率为26%. 相似文献
973.
974.
975.
Extremely low density InAs quantum dots (QDs) are grown by molecular beam droplet epitaxy. The gallium deposition amount is optimized to saturate exactly the excess arsenic atoms present on the GaAs substrate surface during growth, and low density InAs/GaAs QDs (4× 10^6 cm^-2) are formed by depositing 0.65 monolayers (MLs) of indium. This is much less than the critical deposition thickness (1.7 ML), which is necessary to form InAs/GaAs QDs with the conventional Stranski-Krastanov growth mode. The narrow photoluminescence linewidth of about 24 meV is insensitive to cryostat temperatures from IO K to 250K. All measurements indicate that there is no wetting layer connecting the QDs. 相似文献
976.
977.
978.
Enhanced photoluminescence (PL) at room temperature from thermally annealed a-Si:H/SiO2 multilayers is observed through the step-by-step thermal post-treatment. The correlation between the PL and the crystallization process is studied using temperature-dependent PL, Raman, cross section high-resolution transmission electron microscopy (XHRTEM) and x-ray diffraction (XRD) techniques. An intensified PL band around 820 nm is discovered from the sample annealed near the crystallization onset temperature, which is composed of two peaks centred at 773 nm and 863 nm, respectively. It is found that the PL band centred at 863 nm is related to the pseudo nanocrystal (p-nc-Si) silicon, and the PL band centred at 773 nm is attributed to Si = O bonds stabilized in the p-nc-Si surface. 相似文献
979.
980.