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931.
932.
In this paper, the GaN based epitaxial wafer is fabricated on big 1 mmx1 mm chips, and packaged with a special technology. At working current 350 mA and working voltage 3.74 V, the full viewing angle, the axial brightness and the output integral power of the 465 nm LED can reach 125? 210, 000 cd/m2 and 1.5 1m, respectively. The LED with such good performances has promising application potential in the fields of display, traffic and the development of solid-state white light source. 相似文献
933.
Enhanced confinement has been achieved by the centre fuelling of pellet injection on the HL-2A tokamak. The energy confinement time increases from 50ms to 140ms after the pellet injection. Experimental results show that the improvement of the confinement is related to the decrease of the electron heat transport. Several phenomena which may lead to the improved confinement have been observed in the experiments. After the pellet injection the hollow electron temperature profile and the peaked electron density profile can be sustained for about 200ms, but the improved confinement remains at about 500ms. Sawtooth features and MHD modes have been observed by soft x-ray array and the Mirnov probes. The weak (or reversed) magnetic shear is thought to be an important cause of the low electron heat transport. 相似文献
934.
935.
936.
从约束的环向等离子体中观察到粒子与能量的损失率远比新经典输运理论所预言的损失率要大得多,该状态取决于平均等离子体参数与库仑碰撞。若干类型的等离子体湍流提供了附加的等离子体输运。等离子体参数的涨落将通过静电涨落和磁涨落引起输运。该涨落所驱动径向粒子通量为: 相似文献
937.
微波干涉仪测量等离子体电子密度是一种常规监测工具,利用这种工具可以给出电子密度随时间变化的波形图。等离子体电子密度和微波干涉仪测出的相位差之间的关系为: 相似文献
938.
介绍了在HL-2A装置上远红外激光干涉诊断系统第一镜的溅射和沉积实验。比较了实验前后第一镜反射率的变化,分析了污染后的第一镜表面杂质成分,提出了用挡板防护第一镜的方法。 相似文献
939.
940.
RF磁控溅射条件对ZnO薄膜结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用RF磁控溅射法在Si(001)衬底上制备ZnO薄膜。研究发现了工作中溅射频率、氧气和氩气流量比对样品结构的影响。样品的XRD图谱显示了强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长。比较不同条件下制备的ZnO薄膜,研究发现当氧气和氩气的流量比相同时,随着溅射功率的增加,样品的(002)衍射峰增强,半高全宽变小。而当溅射功率相同时,随着氧气和氩气的流量比增加,样品的(002)衍射峰也增强,半高全宽同样变小。此外,本文还分析了溅射工艺和薄膜晶体质量之间关系,发现在相同的功率条件下,溅射率低时晶粒尺寸更大且薄膜的结晶性更好。 相似文献