波在双孔隙与单孔隙介质界面上的反射与透射

基于Biot理论和双重孔隙介质理论研究了弹性波在双重孔隙介质与流体饱和单一孔隙介质 界面的反射和透射问题，在界面上假定裂缝孔隙流体相对于固体骨架的位移为零，推导了反 射系数和透射系数的计算公式，数值讨论了反射系数和透射系数随入射角和频率的变化关 系. 同时，讨论了双重孔隙介质中3种压缩波(P-1, P-2和P-3波)和一种剪切波(S波) 的频散和衰减特性.     

正常与钙化变厚度生物心瓣应力分布的数值模拟

采用八结点超参数板壳元，对猪主动脉瓣在闭合承载状态下的应力分布进行了非线性有限元数值模拟．分析了变厚度瓣膜和等厚度瓣膜应力分布的差别，发现厚度对应力分布具有较大影响．进一步分析了正常及具有几个散布钙化点的瓣膜的应力分布，发现钙化区域应力显著增大．本文结果与临床病变瓣膜的观察结果较为符合     

用线性规划知识解一道三角题

已知3sinx 2cosy=4,求:2sinx cosy的取值范围．《中学生数学》2006年2月上《妙解一则》提供了一个解法,下面拟给出一个用线性规划知识来解的解法．     

Improvement of Electrical Properties of the Ge2Sb2Te5 Film by Doping Si for Phase-Change Random Access Memory

Si-doped Ge2Sb2Te5 films have been prepared by dc magnetron co-sputtering with Ge2Sb2Te5 and Si targets. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phasetransition temperature from face-centred-cubic （fcc） phase to hexagonal （hex） phase. The resistivity of the Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with the Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460℃ annealing increases from 1 to 11 mΩ.cm and dynamic resistance increase from 64 to 99Ω compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. This is very helpful to writing current reduction of phase-change random access memory.     

从数字特征和公式结构中找到解题路径

<正>最近学习了《中学生数学》2007年7月(上)期,受到了很多的教益,同时,引发了自己的解题灵感,下面以文[1]和文[2]中的两个例子为例谈点自己的体会.     

用DSC法分析有机化合物的纯度

前言有机化合物纯度测定对于化学制品的质量检定和控制以及研究工作都是很重要的。通常人们利用物质掺入杂质后,熔点或冰点的降低来确定杂质的含量或物质的纯度。但这种传统的分析方法不但耗时长(数小时至几天)、使用样品量大(几十至上百克),而且要求有准确的测温装置,又缺少商品化仪器,因而其应用范围受到一定限制,特别对难制备的化合物或样品量不多的情况下,这类方法的缺点更为突出。60年代     

铈对CuPNiSn非晶焊料性能的影响

报道了单辊法制备的三个系列11种CuPNISn非晶合金的晶化温度、熔化温度区间、流布面积、Cu-Cu对接接头的抗拉强度及钎缝显微组织的分析结果。发现铈的加入可明显提高钎焊接头强度,并细化晶粒。同时还发现随焊料中(Ni+Sn)含量的降低,接头从脆性断裂变为韧性断裂,其抗拉强度大大高于母材的屈服强度。     

聚对苯二甲酸乙二醇酯的DSC研究

用 DSC、动态力学方法和密度测量等手段对经不同条件热处理或拉伸的PET试样进行了研究,结果表明:DSC曲线上放热峰的位置明显地依赖于样品的结晶和取向程度。由放热峰面积算出的结晶过程的热量与试样密度无单值的依赖关系,而线性地依赖于 70℃时的力学损耗值 tanδ,后者为试样中非晶区部分多少的量度。在这一结晶阶段生成不完善的晶区并伴有密度剧增现象。     

丁二烯－甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物的阴离子聚合及表征

讨论了用阴离子方法进行了二烯与甲基丙烯酸甲酯共聚合的过程，并用ＧＰＣ、ＦＴＩＲ、ＮＭＲ和动态粘弹谱对共聚物进行了表征．证明所得聚合物为具有较高分子量、窄分布的二嵌段共聚物．