首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4940篇
  免费   894篇
  国内免费   1137篇
化学   4226篇
晶体学   64篇
力学   322篇
综合类   82篇
数学   557篇
物理学   1720篇
  2024年   13篇
  2023年   87篇
  2022年   120篇
  2021年   179篇
  2020年   198篇
  2019年   222篇
  2018年   167篇
  2017年   178篇
  2016年   237篇
  2015年   263篇
  2014年   270篇
  2013年   385篇
  2012年   429篇
  2011年   473篇
  2010年   359篇
  2009年   332篇
  2008年   377篇
  2007年   324篇
  2006年   293篇
  2005年   272篇
  2004年   191篇
  2003年   170篇
  2002年   242篇
  2001年   214篇
  2000年   161篇
  1999年   134篇
  1998年   107篇
  1997年   83篇
  1996年   49篇
  1995年   58篇
  1994年   68篇
  1993年   53篇
  1992年   55篇
  1991年   58篇
  1990年   31篇
  1989年   24篇
  1988年   17篇
  1987年   13篇
  1986年   12篇
  1985年   15篇
  1984年   8篇
  1983年   11篇
  1982年   5篇
  1981年   7篇
  1980年   3篇
  1979年   2篇
  1957年   1篇
  1943年   1篇
排序方式: 共有6971条查询结果,搜索用时 78 毫秒
31.
In this paper,the concept of the infinitesimal realization factor is extended to the parameter-dependent performance functions in closed queueing networks. Then the concepts of realization matrix (its elements are called realization factors) and performance potential are introduced,and the relations between infinitesimal realization factors and these two quantities are discussed. This provides a united framework for both IPA and non IPA approaches. Finally,another physical meaning of the service rate is given.  相似文献   
32.
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4 关键词:  相似文献   
33.
Flow, temperature, and electromagnetic (EM) fields in a radio-frequency thermal plasma torch designed for the preparation of superconducting powders or films have been analysed by using a new two-dimensional modeling approach with the electric field intensity as the fundamental EM field variable. The insertion of a stainless steel injection tube into the torch leads to large induction currents in this tube. Although such large induction currents cause pronounced changes of the EM fields near the injection tube, flow and temperature fields are little affected. There exists only one large toroidal vortex in the upper part of the present torch, while the maximum temperature appears at an off-axis location within the coil region.  相似文献   
34.
 电子直线加速器电子束能量的稳定与否取决于功率源工作频率的稳定性,磁控管在短时间内的散谱和轻微跳谱造成稳频系统的控制精度下降,最后电子束的扫描均匀度下降。引入自适应线性神经元方法(ADALINE)和噪声对消技术以消除对工作频率长期稳定性的影响,从而保证了电子束的扫描均匀度。  相似文献   
35.
姜海青  姚熹  车俊  汪敏强 《物理学报》2006,55(4):2084-2091
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS 关键词: 2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱  相似文献   
36.
In this paper, we study the extension of isometries between the unit spheres of normed space E and C(Ω). We obtain that any surjective isometry between the unit spheres of normed space E and C(Ω) can be extended to be a linear isometry on the whole space E and give an affirmative answer to the corresponding Tingley's problem (where Ω be a compact metric space).  相似文献   
37.
利用一个描述强子质量谱成功的夸克模型确定出得到的强子多重数普适质量关系〈n〉=aexp(–bm)中的参数b,发现对于介子、重子是一个普适的常数.利用这个质量公式给出计算各种粒子多重数的表达式,进而以高能e+e湮没为例计算出各种粒子多重数与实验以及其他模型做了比较,表明这个没有任何假定的质量关系同样能够解释实验.  相似文献   
38.
掺Eu3+硅基材料的发光性质   总被引:9,自引:5,他引:4  
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。  相似文献   
39.
激光穿透焊的三维数值模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对激光穿透焊进行了三维数值模拟,除考虑焊接速度影响外,还研究了Marangoni对流对熔池流动与传热的影响。将三维数值模拟结果与相应的二维模拟结果进行了比较,结果表明,Marangoni对流对熔池的形成有很大的影响,因此不可忽略。本文还给出了估计激光穿透焊中蒸气孔尺寸与焊接热效率的方法。  相似文献   
40.
枸橼酸莫沙必利的合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
分别以邻羟基对氨基苯甲醇钠,对氟苯甲醛,邻苯二甲酰亚胺为起始原料,制得3个中间体,用其中2个中间体经偶合,环化后与第3个中间体反应,再经成盐制得产品,其摩尔总收率为31.5%。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号