时域模态参数识别的直接特征系统实现算法

本文提出了一种新的结构模态参数识别算法,称为直接特征系统实现算法(DERA)。直接采用时域多输入多输出数据构成线性时不变离散系统的最小实现,并利用系统矩阵的特征值和特征向量求取模态参数。输入输出数据的直接应用避免了利用脉冲响应函数作原始数据的ERA、PRCE等算法的一些局限。奇异值分解技术的引入使系统的定阶和实现更方便,并具有了更良好的数值稳定性。为验证算法,构造了一个五自由度的弹簧质量系统进行数值模拟。良好的数值结果证明了本算法的有效性,并表明本算法对密集模态仍有较高的识别精度。     

关于一元向量函数的微分中值定理

本文给出了欧氏空间Ｅ２和Ｅｎ（ｎ≥３）中一元向量函数的微分中值定理．     

信息产品在非线性效用函数下的二度价格歧视研究

本中假定消费的效用函数为非线性的效用函数，垄断厂商提供同一种信息产品的两种质量版本，消费根据两类约束做出自己的消费选择。厂商通过消费的两个无差异点来对消费进行二度价格歧视，通过分析我们得出厂商的歧视条件。     

配合物[Ni（IDB）2]2·（S04）2,3CH3CH2OH·CH3OH·5H2O的合成、晶体结构及其荧光光谱的研究

标题配合物是由三齿配体N,N-二（2-苯并咪唑甲基）亚胺（IDB）与NiSO4-6H2O在甲醇-乙醇溶液中反应得到的紫色晶体．X射线衍射测定了其单晶结构．结构分析表明,镍（Ⅱ）分别与两个IDB配体中的苯并咪唑的四个氮和胺基的两个氮配位形成畸变的八面体构型．研究了纳米金和小牛胸腺DNA对配合物荧光的影响,探讨了配合物的荧光猝灭与恢复的可能机理．     

离子注入后小麦种子表皮细胞的扫描电镜观察

应用扫描电镜观察了低能氮离子注入小麦干种子后表层细胞结构的变化.结果表明,离子注入对小麦表皮细胞有明显的损伤作用.随着离子剂量的增大,离子对种子细胞的损伤程度增大,且种子表面有孔洞出现.     

纪念卢瑟福提出原子有核模型100周年

英国物理学家欧内斯特.卢瑟福(Ernest Rutherford,1871~1937)是20世纪最伟大的实验物理学家之一,他生活在从19世纪末到20世纪30年代物理学发生革命性变革的时代,是这个时代勇于进取的开路先锋之一,他在原子核物理学方面的     

关于三角形外心线的几个不等式

众所周知,三角形中有高线、中线、内角平分线等几何元素.本文将给出与这些几何元素平行的一个新概念——三角形的外心线,并通过类比三角形中与高线、中线、内角平分线相关的不等式([1]),建立了三角形中与外心线有关的几个新的几何不等式.     

基于价格持续时间的中国股市日内风险价值预测

基于高频数据度量日内交易活动的风险是目前日内金融数据与风险管理中极具挑战性的研究课题之一。本文从实时交易的角度,使用中国股市分笔交易数据,基于价格持续时间的自回归条件持续时间(ACD)模型,研究日内不规则交易数据的风险测度,利用日内不等间隔波动模型估计了日内交易的即时条件波动率,对日内不等间隔风险价值进行了预测和检验。实证结果发现日内不等间隔风险价值模型能够比较好的刻画日内交易风险,股票投资者和市场监管者可以基于该工具对日内风险做出合理的预测,达到止损避险和控制风险的目的。     

不同温度条件下单层石墨烯纳米带弛豫性能的分子动力学研究

分别采用Tersoff-Brenner势和AIREBO势,对三种长宽比的单层石墨烯纳米带在不同热力学温度(0.01—4000 K)下的弛豫性能进行了分子动力学模拟.对基于两种势函数模拟的石墨烯纳米带弛豫的能量曲线和表面形貌进行了分析对比,研究了石墨烯纳米带在弛豫过程中的动态平衡过程.模拟结果表明:单层石墨烯纳米带并非完美的平面结构,边缘处和内部都会呈现一定程度的起伏和皱褶,这与已有的实验结果相符合;石墨烯纳米带的表面起伏程度随长宽比的减小而减小,并且在不同温度条件下,系统动能对石墨烯纳米带的弛豫变形的影响很大,即系统温度越高,石墨烯纳米带的弛豫变形幅度愈大;高长宽比纳米带在一定温度条件下甚至会出现卷曲现象.最后,对采用Tersoff-Brenner势和AIREBO势进行石墨烯的分子动力学模拟进行了深入分析.     

A novel thin drift region device with field limiting rings in substrate

A novel thin drift region device with heavily doped N⁺ rings embedded in the substrate is reported, which is called the field limiting rings in substrate lateral double-diffused MOS transistor (SFLR LDMOS). In the SFLR LDMOS, the peak of the electric field at the main junction is reduced due to the transfer of the voltage from the main junction to other field limiting ring junctions, so the vertical electric field is improved significantly. A model of the breakdown voltage is developed, from which optimal spacing is obtained. The numerical results indicate that the breakdown voltage of the device proposed is increased by 76% in comparison to that of the conventional LDMOS.