基于十倍光学拉伸的5GHz微波信号模数转换研究(英文)

利用光学时间拉伸法对微波信号进行降频处理,提高了后端电子模数转换器的有效模拟带宽和有效采样速率.设计了一套对5GHz微波信号十倍降频的光学时间拉伸模数转换系统.对色散导致的信号功率损耗特性以及调制引起的谐波失真进行了理论分析和数值仿真,结果表明:当系统带宽为5GHz时,光学时间拉伸引入的信号噪声失真比不会劣化后续电子模数转换器的有效位数,该模数转换系统的有效模带宽可达8GHz,有效采样率为200GS/s.     

全固态单纵模脉冲Nd:YVO_4环形激光器

设计并研制了全固态调Q脉冲单纵模Nd:YVO4环形激光器。利用880nm激光二极管端面抽运Nd:YVO4晶体,通过四镜环形谐振腔中插入声光调Q晶体、标准具,并优化激光谐振腔的结构,获得了重复频率为200Hz、脉宽为26.6ns的单纵模脉冲1.064μm激光输出。当泵浦功率为15 W时,单纵模激光输出的单脉冲能量为570μJ、脉冲能量稳定性优于3%。     

聚氨酯类反应型高分子表面活性剂的研究进展

反应型高分子表面活性剂兼有反应型表面活性剂可以以牢固的共价键键合到聚合物粒子上,有效避免了表面活性剂在聚合物膜中迁移的优点和高分子表面活性剂性质稳定、耐水性好、低毒或无毒的优点,是一种备受关注的新型表面活性剂,其中含有双键的聚氨酯类可聚合型高分子表面活性剂因其软硬度可调、反应活性高等优点而成为此类研究的一个新热点。本文综述了国内外聚氨酯类反应型高分子表面活性剂最新研究概况,简述了其合成路线和应用性能,并对未来的研究方向进行了预测。     

倒装芯片塑料球栅阵列封装器件在外应力下的失效机理

倒装芯片塑料球栅阵列(FC-PBGA)封装形式独特而被广泛应用, 分析研究其在实际应用过程中, 在高温、电、水汽等多种综合环境应力条件作用下的失效机理对提高其应用可靠性有重要意义. 本文对0.13 μm 6层铜布线工艺的FC-PBGA FPGA器件, 通过暴露器件在以高温回流焊过程中的热-机械应力为主的综合外应力作用下的失效模式, 分析与失效模式相对应的失效机理. 研究结果表明, FC-PBGA器件组装时的内外温差及高温回流焊安装过程中所产生的热-机械应力是导致失效的根本原因, 在该应力作用下, 芯片上的焊球会发生再熔融、桥接相邻焊球致器件短路失效; 芯片与基板之间的填充料会发生裂缝分层、倒装芯片焊球开裂/脱落致器件开路失效; 芯片内部的铜/低k互连结构的完整性受损伤而影响FC-PBGA器件的使用寿命.     

巧用Excel处理大学物理实验数据

以霍尔元件测量磁场为例,介绍了用Excel软件对实验数据进行分析处理的一般过程.结果表明利用Excel处理物理实验数据能大大减轻学生繁杂的数据计算及处理步骤,有效避免了手工处理所带来的误差,并且能满足一般的实验作图要求,适宜在大学物理实验数据处理方面推广应用.     

Inversion formula and Parseval theorem for complex continuous wavelet transforms studied by entangled state representation

In a preceding letter (2007 Opt.Lett.32 554) we propose complex continuous wavelet transforms and found Laguerre-Gaussian mother wavelets family.In this work we present the inversion formula and Parseval theorem for complex continuous wavelet transform by virtue of the entangled state representation,which makes the complex continuous wavelet transform theory complete.A new orthogonal property of mother wavelet in parameter space is revealed.     

利用光纤光栅在双侧悬臂梁中的啁啾实现对挠度和应力的传感研究

报道一种利用双侧悬臂梁展宽光纤光栅带宽实现对挠度和应力线性传感的新方法,理论研究与实验结果表明,光纤光栅的带宽对挠度及外力均很敏感,并呈线性关系,实验上传感范围超过17nm,传感灵敏度分别达到0．658nm/mm及5．32nm/N。     

类氦离子1,3P激发态Schrodinger方程的直接解

利用相关函数（CF）-超球谐（HH）-广义Laguerre(GLF)方法直接求解类氦离子n1,3P（n=1,2,3）低躺激发态的Schrodinger方程,得氦原子的本征能量分别为-2.13317Eh (13P),-2.12383Eh(11P),-2.05810Eh(23P),-2.05516Eh(21P),-2.03235Eh(33P)和-2.03109Eh(31P),它们与文献值在........第6位上很好地吻合。这说明CFHHGLF方法也适用于类氦离子1,3P激发态。还给出了总角动量L=1的对称超球谐基函数和有关矩阵元的解析式。     

Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation

The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the comparison of the transfer characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to a total dose of 2.7 Mrad(SiO₂. The experimental results show that the implantation of silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon implantation play an important role in the remarkable improvement in radiation hardness of SIMOX SOI wafers.