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51.
Spin-dependent transport induced by magnetization in zigzag graphene nanoribbons coupled to one-dimensional leads 下载免费PDF全文
We study spin transport in a zigzag graphene nanoribbon sample with two ferromagnetic strips deposited on the two sides of the ribbon.A tight-binding Hamiltonian was adopted to describe the sample connected to two onedimensional leads.Our theoretical study shows that the resonance peaks of conductance for the spin-up and spin-down electrons are separated for the parallel configuration of the ferromagnetic strips,while they are not separated for the case of antiparallel configuration.This means that giant magnetoresistance can be produced at particular energies by altering the configurations of the ferromagnetic strips,and the device can be designed as a spin filter. 相似文献
52.
N-邻羟苄基氨基酸的合成、表征及抑菌活性 总被引:1,自引:0,他引:1
将水杨醛、溴代水杨醛及二溴代水杨醛分别与4种L-α-氨基酸进行缩合反应生成相应席夫碱,不经分离直接加硼氢化钠将其还原制得N-邻羟苄基氨基酸类化合物(3)。 化合物的结构经IR、1H NMR和元素分析测试技术表征确认。 测得化合物3在质量分数为0.05%时,对金黄色葡萄球菌的抑菌率为100%,对白色念珠菌有较强的抑菌活性,对大肠杆菌有一定的抑菌活性。 氨基酸的碳链R的结构是影响化合物抑菌活性的关键因素,不同烷基R对白色念珠菌和大肠杆菌抑菌活性增强的顺序为CH(CH3)2>CH3,CH2CH(CH3)2>H,苯环上引入溴原子对目标化合物的抑菌活性影响不明显。 相似文献
53.
由壳聚糖(CS)、聚乙烯醇(PVA)和三聚磷酸钠(TPP)制备了壳聚糖/聚乙烯醇/三聚磷酸钠三元复
合微球,探讨了体系中壳聚糖含量对复合微球的影响,以及离子种类及浓度和pH值对复合微球溶胀度的影
响。采用XRD、FTIR和SEM等测试技术对微球的组分、结构和形貌进行了表征。结果表明,CS和PVA具有良好的相容性,随着CS含量的增加,PVA的结晶性逐渐降低,复合微球的粒径约为400~950 μm,表面较为粗糙;随着CS添加量的增加,凝胶平衡溶胀度先增大再减小,CS/PVA/TPP复合微球在pH值为3~8的溶胀度最大,且在同一种溶液中,随着离子浓度的增加,其溶胀度明显降低;复合微球具有溶胀 收缩可逆性,显示CS/PVA/TPP复合微球是pH/离子敏感型凝胶,可为药物缓释系统提供实验和理论依据。 相似文献
54.
A novel bis(guanidiniums)receptor for the catalytic cleavage of phosphosdiester was prepared and self-assembly architecture through hydrogen bonds and electrostatic interactions a-mong the bis(guanidiniums)receptor,the sulfate anion and water molecule was revealed by X-ray crystallographic analy- 相似文献
55.
Recently GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have
revealed the superior properties of a high breakdown field and high
electron saturation velocity. Reduction of the gate leakage current
is one of the key issues to be solved for their further improvement.
This paper reports that an Al layer as thin as 3 nm was inserted
between the conventional Ni/Au Schottky contact and n-GaN epilayers,
and the Schottky behaviour of Al/Ni/Au contact was investigated
under various annealing conditions by current--voltage (I--V)
measurements. A non-linear fitting method was used to extract the
contact parameters from the I--V characteristic curves.
Experimental results indicate that reduction of the gate leakage
current by as much as four orders of magnitude was successfully
recorded by thermal annealing. And high quality Schottky contact
with a barrier height of 0.875 eV and the lowest reverse-bias
leakage current, respectively, can be obtained under 12 min
annealing at 450°C in N2 ambience. 相似文献
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