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981.
设D是单位圆{z||z|<1},T为单位圆周{z||z|=1}.对于f∈C(T),我们记L_n(f,z)为在n 1次单位根{e~(2kπ/n 1)i}~n_k=0上对f(z)的n次插值多项式.自然的L_n(f,z)在D内解析,因此,当f不能解析延拓到D内时,就不可能保证L_n(f,z)一致收敛于f.甚至,存在着f∈C(T),且f是某个D内解析函数的边值,但L_n(f,z)在T上发散. 相似文献
982.
In this paper classical approaches are used to study the detailed processes of photoion-ization in an intense laser field. The analytic expression of the ionization rate is derived. Finally, the results obtained are compared with existing theories such as Landau's tunnel theory and Keldysh-Faisal-Reiss theory. 相似文献
983.
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。
关键词: 相似文献
984.
SXDG—1型汽车前照灯全自动检测仪是用于检测汽车前照大灯光轴的偏斜情况及发光强度并进行定量检验的专用设备。它可以自动测出有关参数,并予以数字显示和打印输出。本文介绍了该仪器的主要性能、工作原理及微机控制系统(包括硬件结构和软件设计思想等)。 相似文献
985.
986.
Shayesteh S. Farjami B. Soltani M. A. Solimany 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》2002,23(12):1691-1697
We present and discuss infrared magnetoplasma reflectivity and surface polariton modes in Ga1–xNxAs. It assumed that the sample is characterized by a magnetoplasma dielectric tensor. Surface polariton dispersion for two component magnetoplasma was calculated from reflectivity spectra data. We detect transverse optic phonon of GaN sublattice in 470 cm-1. The origin of sharp feature in p-polarization reflectivity about 300 cm–1 as well as LO phonon frequency of GaAs sublattice is due to Brewster mode. An interesting feature of surface modes in Voigt geometry is nonreciprocalicity, which means that the frequency changes when the direction of propagation is reversed. Also, the infrared magnetoplasma reflectivity of GaNAs should be providing determination of the electrons and heavy holes effective mass and carrier's concentration. 相似文献
987.
字节全加器及其在无线电测控系统中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
对全加器概念进行了推广,并在此基础上给出了使用字节全加器网络的无线电抗干扰算法。通过在实际的无线电测控系统中的应用,结果表明该算法具有良好的无线电抗干扰效果。 相似文献
988.
989.
990.
在紧束缚近似下,利用自洽总能计算给出了Zn/GaAs(110)系统的表面几何结构.证明了低覆盖下Zn/GaAs(110)表面弛豫是一普遍现象,它对准确地描述费密能级钉扎位置十分重要.由于吸附Zn原子的高局域s轨道与表面Ga原子sp3悬挂键轨道的杂化,使成键态位于能隙中距价带顶0.73eV处.进一步给出了与其它元素吸附和清洁GaAs(110)表面的理论与实验结果之比较 相似文献