| Zn/GaAs(110)系统的表面弛豫及其对费密能级钉扎的影响 |
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| 引用本文： | 王恩哥.Zn/GaAs(110)系统的表面弛豫及其对费密能级钉扎的影响[J].物理学报,1997,46(1):117-122. |
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| 作者姓名： | 王恩哥 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室;中国科学院凝聚态物理中心 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金及中国科学院“百人计划”资助的课题. |
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| 摘 要： | 在紧束缚近似下，利用自洽总能计算给出了Ｚｎ／ＧａＡｓ（１１０）系统的表面几何结构．证明了低覆盖下Ｚｎ／ＧａＡｓ（１１０）表面弛豫是一普遍现象，它对准确地描述费密能级钉扎位置十分重要．由于吸附Ｚｎ原子的高局域ｓ轨道与表面Ｇａ原子ｓｐ３悬挂键轨道的杂化，使成键态位于能隙中距价带顶０.７３ｅＶ处．进一步给出了与其它元素吸附和清洁ＧａＡｓ（１１０）表面的理论与实验结果之比较
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SURFACE RELAXATION AND ITS INFLUENCE ON THE-FERMI LEVEL PINNING OF Zn/GaAs(110) |
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| WANG EN-GE.SURFACE RELAXATION AND ITS INFLUENCE ON THE-FERMI LEVEL PINNING OF Zn/GaAs(110)[J].Acta Physica Sinica,1997,46(1):117-122. |
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| Authors: | WANG EN-GE |
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