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Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
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Spiral patterns are obtained in a dielectric barrier discharge system with water electrodes. The dynamics of spiral formation and transition is investigated. Wavelength characteristic of spiral patterns is also studied. Correlation measurements indicate that the wavelength of spiral pattern increases with the increasing gas gap width and oscillates with the increasing drive frequency. 相似文献
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基于平稳小波变换及奇异值分解的湖底回波分类 总被引:6,自引:0,他引:6
提出一种水下目标回波的特征提取方法。该方法根据平稳小波变换的冗余性和奇异值的稳健性,将湖底回波信号的平稳小波变换系数矩阵的奇异值作为特征向量。它本质上是利用平稳小波变换将信号分解到多个子空间,再采用K-L变换实现对子信号的特征压缩。实测数据分析表明,本文方法与子带能量特征法相比: (1)在相同的样本集和类内距条件下,得到的类间距大于后者, (2)不论所选测试样本和训练样本是否属于同次湖试所得,分类正确识别率均高于后者, (3)随样本集的变动,其正确识别率抖动程度远小于后者。因此,该方法能得到更加稳健、有效的特征以及更好的分类效果。 相似文献
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Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
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In this note, we study convergence rates in the law of large numbers for independent and identically distributed random variables under sublinear expectations. We obtain a strong L^p-convergence version and a strongly quasi sure convergence version of the law of large numbers. 相似文献