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戴伏生 《数学的实践与认识》2006,36(2):186-192
经典的D IJKSTRA和BELLM AN-F LOYD通信网络路由算法,只能根据特定网络参数得到最佳路由,却无法获得网络存在的全部可用路由,而通信网理论研究及网络管理等方面,往往需要获得节点之间的全部可用路由.研究出一种路由新算法,遵循逻辑代数运算规则、采用关联矩阵中行与行之间整合与删除方式计算,N个节点的网络只需N-1次整合及删除运算,就能得到源节点到任意节点两点之间全部路由结果.详细论证了算法的正确性与合理性,简介了算法的并行运算可行性及与经典路由算法的兼容性等问题.通过算例详细说明算法的计算过程,并验证其正确性. 相似文献
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合成了两种新型噻吩基卟啉-5,15-二(2-噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7a(45.1%)和5,15-二(2-联噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质,其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处,量子产率分别为4.1%(7a)和1.4%(7b)。 相似文献
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76.
Influence of Yb-Doped Nanoporous TiO2 Films on Photovoltaic Performance of Dye-Sensitized Solar Cells 下载免费PDF全文
Yb-doped TiO2 pastes with different Yb/TiO2 weight ratios are prepared in the sol-gel process to obtain dyesensitized solar cells (DSCs). The nanocrystalline size of Yb-TiO2 becomes smaller and the lattice parameters change. Lattice distortion is observed and dark current is detected. It is found that a part of Yb existing as insulating oxide Yb2O3 state acts as barrier layers at the electrode-electrolyte interface to suppress charge recombination. A Yb-doped TiO2 electrode applied in DSCs leads to a higher open-circuit voltage and a higher fill factor. How the Yb-doped TiO2 films affect the photovoltaic response of DSCs is discussed. 相似文献
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对经过阴极还原处理后的多孔硅样片进行了光致发光测试和稳定性测试.实验结果表明这种处理能明显改善多孔硅的发光稳定性,使其表面结构更加稳定.利用原子力显微镜对不同还原时间的多孔硅微结构及形貌进行了比较,在一定范围内随着还原时间的增长多孔硅表面粗糙度增大,PL谱增强. 相似文献
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79.
Y.-Q. Peng J.-H. Yang F.-P. Lu Q.-S. Yang H.-W. Xing X.-S. Li C.-A. Song 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2007,86(2):225-229
Based on the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation in chemically doped organic semiconductor are developed, by approximation of Coulomb traps with a rectangle potential well. Numerical calculations show that traditional Einstein relations do not hold for chemically doped organic semiconductors. Similar to physical doping, the dependence of diffusion coefficient to mobility D/μ ratio on the carrier concentration has a maximum. An essential difference between chemical doping and physical doping is that, the D/μ ratio in chemically doped organic semiconductors depends not only on carrier concentration and doping concentration, but also on the applied electric field. PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h 相似文献
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