一步法合成二甲醚整体式催化剂的制备及反应性能研究

以蜂窝陶瓷为载体、γ-Al₂O₃为惰性涂层、C301/HZSM-5为活性组分制备出一种整体式合成二甲醚催化剂。BET、XRD和SEM分析结果表明,活性组分均匀负载在载体表面上,催化剂具有良好的结构和织构特点。在固定床反应器中考察了整体式催化剂上CO加氢一步法合成二甲醚的反应性能,并与C301/HZSM-5颗粒（粉末）催化剂进行了比较。在温度260℃、压力4.0MPa、合成气空速1500mL/(g·h)的条件下,整体式催化剂上CO转化率达到79.62%,二甲醚选择性为70.58%,分别比C301/HZSM-5颗粒催化剂高出7.78%和9.44%。100h的稳定性实验结果表明,整体式催化剂可以保持较高的活性和选择性,而颗粒状催化剂的活性有明显的下降。
     

手性磺酰化氨基酸酰胺催化二乙基锌与芳香醛不对称加成反应

制备了一种磺酰化氨基酸和环己基胺制备的(S)-N-环己基-3-苯基-2-(对甲基苯磺酰胺)-丙酰胺(1e)手性配体,将其用于催化二乙基锌与系列芳香醛对映选择性加成反应。15mol%该催化剂能够对含有吸电子基团、供电子基团,不同位阻的芳香醛均有较好的效果,能够在比较温和的条件下获得最高达88%ee和中等程度的产率。     

纳米铂-石墨烯修饰电极电化学检测1-羟基芘

该文以氧化石墨烯和氯铂酸混合液为前驱体,采用一步电沉积法制备了纳米铂/还原氧化石墨烯修饰电极(Pt/E-rGO/GCE),通过差分脉冲伏安法对1-羟基芘进行原位富集检测。结果表明,当溶液pH 2.0,制备Pt/E-rGO/GCE的电沉积圈数为5圈时,在50～700 nmol/L范围内,1-羟基芘浓度与还原峰电流呈线性关系,相关系数(r)为0.976,检出限(S/N=3)为12.1 nmol/L。该方法的稳定性、重现性及抗干扰能力良好,将其应用于尿样的检测,回收率为99.7%～108%,相对标准偏差为3.2%～4.2%。Pt/E-rGO/GCE的良好性能对电化学传感器的构建具有一定的实用价值。     

一种四元共聚物磷酸盐粘土稳定剂的合成与性能研究

以丙烯酰胺(AM)、丙烯酸(AA)、(1-二甲氨基)-烯丙基磷酸(DMAAPA)和N-烯丙基油酰胺(CON)为原料,制备了一种水溶性磷酸盐共聚物AM/AA/DMAAPA/CON。确定了最佳合成条件:AM:AA:DMAAPA:CON=69.6:30.0:0.2:0.2(wt%)、pH=7、引发剂加量为0.2 wt%、单体浓度20 wt%、聚合反应温度40℃。对共聚物进行了IR和NMR表征。该聚合物表现出较好的增粘性、抗剪切、耐温和耐盐性能;0.8 wt%的共聚物溶液防膨率达到80.12%,与1.0 wt%的KCl复配后,防膨率达到96.54%。     

准-1幂零群

首先给出了准-A幂零群的一个刻画,然后讨论了它与幂零群的关系,最后探讨了准-1幂零群的重要性质.     

引入新元巧解题

学习数学要重点学习数学方法与数学思想,且数学方法与思想贯穿整个学习过程.换元法是很重要的数学方法,应用它可以打破常规解题,化繁为易,化不通为可行.本文举例说明如下.     

酶催化合成羟乙基淀粉/ε-己内酯接枝共聚物

淀粉可降解,是一种环境友好型材料,在造纸工业、日用化工、纺织工业、石油工业、食品等[1～2]方面应用广泛.羟乙基淀粉(HES)是用含支链淀粉比较丰富的玉米淀粉和马铃薯淀粉与环氧乙烷在碱性条件下得到的一种产物.Ahmed Besheer等[3]报道对HES进行疏水改性,即在淀粉中引入疏水基团,打破了传统淀粉亲水的单一性质,有望可以作为可降解的生物相容性材料应用于生物医药领域、缓释领域[4～5].     

中药土鳖虫中Ca、Mg、Zn和Mn 4种微量元素的含量测定

本文采用HNO3和HClO4消解土鳖虫样品,火焰原子吸收光谱法测定其中Ca、Mg、Zn、Mn含量。方法简单,精密度高,加标回收率在96.86%—102.46%之间,相对标准偏差(RSD)小于2.36%,结果令人满意。     

80keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响

室温下用80keVN离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.01014,5.01015和5.01016ions/cm2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×1015ions/cm2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势。对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论。     

Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures

The electrical characteristics of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures have been measured by using current-voltage-temperatures(I-V -T) and capacitance-voltage-temperatures(C-V -T) techniques in the temperature range of 25℃-175℃. The testing temperature dependence of the barrier height(BH) and ideality factor(n) indicates the presence of inhomogeneous barrier. Tung's model has been applied to evaluate the degree of inhomogeneity, and it is found that the 400℃ annealed sample has the lowest T0 of 44.6 K among all the Schottky contacts. The barrier height obtained from C-V -T measurement is independent of the testing temperature, which suggests a uniform BH.The x-ray diffraction(XRD) analysis shows that there are two kinds of space groups of W when it is deposited or annealed at lower temperature(≤500℃). The phase of W_2C appears in the sample annealed at 600℃, which results in the low BH and the high T_0. The 500℃ annealed sample has the highest BH at all testing temperatures, indicating an optimal annealing temperature for the W/4H-SiC Schottky rectifier for high-temperature application.