SiC埋层的制备及其红外吸收特性

采用metal vapor vacuum arc离子源的离子束合成方法，对单晶Si衬底注入C^＋离子，获得不同剂量下的SiC埋层．C^＋离子束的引出电压为50kV，注入的剂量为3.0×10¹⁷—1.6×10¹⁸cm^-2．通过红外吸收谱的测试和分析，表明SiC埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于400℃）得到含立方相结构的SiC埋层． 关键词：     

解直角三角形中的方程思想

我们知道,在解直角三角形时,必须知道除直角外的2个元素(至少有1个是边),才能求出其它的未知元素.如果只知道除直角外的1个元素时,往往要运用方程思想,即通过已知和未知的联系,建立起方程或方程组,通过解方程或方程组,求出未知量,从而使问题得到解决.下面举例加以说明.     

C+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱

利用metal vapor vacuum arc离子源产生的C⁺离子，注入单晶Si衬底，得到了SiC埋层.利用X射线光电子能谱，研究了SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱.结果表明：Si2p的特征能量损失谱依赖于SiC埋层中C原子的浓度分布，并且与SiC埋层的有序度对应. 关键词：     

BN纳米管——一种新型的纳米材料

文章综述了BN纳米管的最新进展，介绍了BN纳米管的结构和制备技术发展情况，包括电弧放电，电弧熔融，激光烧蚀，机械球磨，碳纳米管取代反应答经学反应法，探讨了BN纳米管的机械和电学性质，并展望了BN纳米管的应用前景，提出了BN纳米管的发展方向。     

第14届国际非晶半导体科学和技术会议简介

第14届国际非晶半导体科学和技术会议,于1991年8月 19至23 日在德国最南部Garmisch-Partenkirchen市举行.来自中国、德国、美国、日本、原苏联、英国、法国等30多个国家和地区的516名学者出席了本届年会,著名英国科学家、诺贝尔奖金获得者英特教授(N.F.Mott)出席了本届会议,并作了重要学术报告.大会接受了428篇论文,大会报告分口头报告和张贴两类,其中有18个邀请报告.已出版了一本会议文摘集,而正式文稿将在J.Non-Cryst.Solids刊物上发表.中国有10名代表出席了本届大会,提供论文11篇.另外,中国在国外的访问学者和留学人员约17人也出席了…     

金属Sn薄膜的高温氧化与表面特征

侧重研究了高温氧化（300－550℃）引起金属Sn薄膜的表面显微形貌和表面氧化状态的变化．利用原子力显微镜（AFM）的测量，观察到金属Sn薄膜表面的金属晶粒呈现近似方形的显微形貌，但是金属Sn氧化薄膜表面的金属氧化物颗粒却具有近似圆形的显微形貌，因此，金属晶粒的高温氧化是一个各向异性的过程．在X射线光电子能谱（XPS）测量的基础上，不仅发现在金属Sn薄膜和金属Sn氧化薄膜的表面都存在大量的吸附氧粒子，而且发现吸附氧粒子的吸附形式与表面的氧化程度有关 关键词：     

对激光干涉测速中信号丢失现象的分析

分析了当应用任意反射面速度干涉仪(VISAR)测量强冲击波作用下样品自由面速度时丢失部分测量信号的问题。除了普遍的光电系统有限频率响应以及数字示波器采样率的影响,主要考虑了干涉仪延迟时间、多模光纤的多模色散对测量信号的影响。干涉仪延迟时间导致速度历史与一个宽度为延迟时间的矩形函数进行卷积,使速度历史的高频细节丢失;多模色散导致干涉信号与某一梳状函数进行卷积,使高频干涉条纹丢失。对丢条纹的整数性进行了分析。     

多级柱面炸药内爆磁通量压缩技术研究

柱面内爆磁通量压缩发生器是利用炸药内爆压缩其内部磁通量至轴线附近小体积内从而实现超高磁场,传统的单级装置因受到金属套筒内爆失稳等影响性能指标受限。开展了多级内爆磁压缩技术研究,突破多项关键技术,包括研制特殊结构的密绕螺线管、脉冲功率源及大电流放电开关等,具备在直径135 mm套筒空间内实现20 T以上初始磁场产生能力,并建立了动态磁光测量系统。利用磁流体力学编码SSS-MHD开展多级装置设计,计算显示,设计的多级装置能够将约42%的初始磁通量压缩至轴线附近直径7 mm的空间内。最终研制成功多级内爆磁压缩装置CJ-150,在亚立方厘米以上空间实现轴向峰值磁场强度906 T,数据不确定度5.35%。10余发动态考核实验显示,CJ-150装置工作稳定,能够满足物理实验需要。利用经实验验证的磁流体模型计算显示,CJ-150具备1 000 T以上超强磁场产生能力,能够对大尺寸样品实现500 GPa以上的准等熵加载。     

Electronic states and molecular orientation of ITIC film

ITIC is the milestone of non-fullerene small molecule acceptors used in organic solar cells. We study the electronic states and molecular orientation of ITIC film using photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy. The negative integer charge transfer energy level is determined to be 4.00 ± 0.05 eV below the vacuum level, and the ionization potential is 5.75 ± 0.10 eV. The molecules predominantly have the face-on orientation on inert substrates as long as the surfaces of the substrates are not too rough. These results provide the physical understanding of the high performance of ITIC-based solar cells, which also afford implications to design more advanced photovoltaic small molecules.