激光干涉测速技术在内弹道弹丸速度测量中的应用研究

 利用任意反射面激光干涉测速（VISAR）系统以及全光纤位移干涉仪（FDI）,测量了线膛炮弹丸速度,获得了线膛炮弹丸在0~491 μs内从零加速到140 m/s的速度历史,弹丸运动了20.7 mm,出炮口时的弹丸速度为817 m/s。实验结果表明,影响激光干涉测速技术在内弹道测量中应用的主要因素是炮口烟。研究结果对于深入探索激光干涉测速技术在内弹道测量中的应用有重要的参考意义。     

离子注入对C60薄膜结构的影响

利用高能离子注入技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对Ｃ６０薄膜结构的影响，并利用Ｒａｍａｎ光谱对其结构进行分析．结果表明：中等能量的离子注入会影响Ｃ６０薄膜的结构，使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象，但上述现象的出现与注入离子的剂量大小有关，并存在一注量阈值，只有在此阈值之上，Ｃ６０薄膜结构才发生改变，研究表明这与注入离子同Ｃ６０分子之间互作用方式有关     

光纤位移干涉仪在爆轰加载飞片速度测量中的应用

利用光学多普勒效应和外差方法搭建了一台光纤位移干涉仪。装置采用光通信行业中已经发展成熟的器件，主要由带尾纤的半导体激光器、三端口环形器、光纤探头、宽带探测器以及宽带高采样率示波器等构成。整个装置结构简单，价格便宜，采用了信号光和参考光同轴结构，实现了任意反射面的速度测量，克服了偏振模式色散的影响，能够实现长量程测量，量程达到20 mm。利用该装置进行了爆轰加载下飞片速度测量，测量最高速度达到1 300 m/s，工作距离达到20 mm，同时利用VISAR对飞片速度进行了对比测量，结果表明用两种不同方法所测得的速度曲线吻合很好。     

a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制备技术

文章回顾了a—Si：H薄膜的发展历程，并介绍了其近10年的研究状况、为提高a—Si：H薄膜的沉积速度，还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR—CVD)技术，该技术的特点是：不含电极，可避免电极溅射造成的污染；等离子区离子密度高，对硅烷能高度分解，从而可显著提高薄膜生长速率；改变磁场位形和结构，可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量，文章还分析了其制备a—Si：H薄膜存在的问题，提出了今后的研究方向。     

Semi-quantitative study on the Staebler-Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system

The method of numerical simulation is used to fit the relationship between the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and process rule of kinds of different charged defect states during illumination are revealed. It is found surprisingly that the initial photoconductivity determines directly the total account of photoconductivity degradation of sample.     

C60薄膜的离子注入损伤研究

在200 keV重离子加速器上，用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C₆₀薄膜．对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析．结果表明，不同离子注入C₆₀薄膜后，C₆₀的1469 cm^-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降，同时在1300—1700 cm^-1范围出现非晶碳峰，并逐渐增强，最终完全非晶化．而且1469 cm^-1拉曼峰的强度及C₆₀薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关．进一步的分析表明，C₆₀分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成，与电子能量转移无关．H离子注入C₆₀薄膜后，1469 cm^-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽，这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C₆₀分子发生聚合的结果. 关键词：     

薄膜物理及其应用讲座：第三讲 非晶半导体薄膜最新进展

介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能，给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。     

织构C60薄膜的生长与光致发光特性

用Hot Wal方法，在氟金云母单晶上生长出了（111）织构的C₆₀薄膜．用X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了织构C₆₀薄膜的结晶质量和结构特性．测量了织构C₆₀薄膜在室温300K和低温77K的光致发光光谱．对所得结果进行了分析与讨论 关键词：     

立方氮化硼薄膜研究的新进展

低压下沉积ｃ－ＢＮ薄膜是近年来凝聚态物理和材料科学研究的热门课题之一．我们应用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积技术，在多种衬底上沉积了ＢＮ薄膜，并系统研究了热丝温度、衬底温度和射频电压等工艺参数对ＢＮ薄膜中立方相含量的影响．     

光电倍增管脉冲性能研究

采用外腔式电光开光,调制主动照相探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器受长时间强激光照射.对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高4.5倍.该技术对其他光敏探测有借鉴意义.