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82.
XIANG Shiqing LOU Qihong DONG Jingxing MANG Yanping WEI Yunrong 《Chinese Journal of Lasers》1996,5(5):385-390
Generationof2-10nsExcimerLaserPulsebyOpticalSynchronizingWave-clippingXIANGShiqing;LOUQihong;DONGJingxing;MANGYanping;WEIYunr... 相似文献
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为探究光纤负五阶非线性和光脉冲预啁啾对高斯光脉冲频率啁啾和频谱的综合影响,在忽略光纤色散的情况下,利用包含三五阶非线性的扩展非线性薛定谔方程,计算和分析了啁啾高斯脉冲的频谱和总啁啾。结果表明,脉冲无预啁啾时,负五阶非线性的存在可使脉冲频率啁啾的形状由单“S”形变为双“S”形,并使脉冲的中心附近由正啁啾变为负啁啾。此外,负五阶非线性的存在使预啁啾对脉冲频谱的影响发生了较大的变化。预啁啾与非线性所致啁啾叠加后对脉冲频谱的谱峰数目影响较小,而对能量在各个谱峰上的分布影响较大,在某些最大非线性相移下,甚至会出现总啁啾减小使谱峰值数目增加的情况。该研究对光开关、光脉冲压缩以及光纤通信系统等领域的深入发展具有一定的指导意义。 相似文献
87.
利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,将能量56 keV、剂量1×1017 cm-2的Zn离子注入到薄膜中。离子注入后,薄膜在500~900 ℃的氩气中退火,利用X射线衍射谱、光致发光谱和光吸收谱研究了离子注入和退火对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。结果显示:衍射峰在约700 ℃退火后得到恢复;当退火温度小于600 ℃时,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移,超过600 ℃时,吸收边随着退火温度的提高发生红移;近带边激子发光和深能级缺陷发光都随退火温度的提高而增强。 相似文献
88.
基于Polytec激光测振仪的光存储设备振动测试分析系统 总被引:2,自引:0,他引:2
针对光存储设备振动频率高的特点,采用Polytec激光测振仪拾取振动信号,并给出了基于Polytec激光测振仪的光存储设备振动测试分析系统。可用于硬盘盘片、磁头滑块、折臂组件、光盘盘片等振动测试,为光存储设备动态特性的测试和分析建立了良好的实验基础。 相似文献
89.
本文研究了在两个耦合的量子点和腔QED系统中的双模激子的压缩性质.讨论了不同的初始光场对双模激子的正常压缩与和压缩的影响.计算表明,当初始态光场制备在相干态时,双模激子既不存在正常压缩,也不存在和压缩,这说明双模激子振辐的两个正交分量具有相同的量子涨落;然而,当初始腔场处于压缩真空态时,无论是正常压缩还是和压缩,双模激子振辐的两个正交分量总有一个存在压缩.这意味着量子噪声能被有效的得到抑制.此外,两种情形下的最大压缩都由初始腔场的压缩因子r决定.经过比较,我们还发现双模激子的正常压缩比和压缩大. 相似文献
90.
HE Meng LIU Guo-Zhen XIANG Wen-Feng Lü Hui-Bin JIN Kui-Juan ZHOU Yue-Liang YANG Guo-Zhen 《中国物理快报》2007,24(9):2671-2674
A series of amorphous and single-crystalline LaAlO3 (LAO) thin films are fabricated by laser molecular-beam epitaxy technique on Si substrates under various conditions of deposition. The structure stability of the LAO films annealed in high temperature and various ambients is studied by x-ray diffraction as well as high-resolution transmission electron microscopy. The results show that the epitaxial LAO films have very good stability, and the structures of amorphous LAO thin films depend strongly on the conditions of deposition and post-annealing. The results reveal that the formation of LAO composition during the deposition is very important for the structure stability of LAO thin films. 相似文献