激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜

在等离子体增强化学气相淀积系统中，采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上，使用KrF准分子脉冲激光为辐照源，对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照，使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明，经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成，晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光（PL）特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响. 关键词： 脉冲激光 多层膜 限制结晶     

空间有源消声的微机控制

本文讨论用通用微机控制空间有源消声．以修正的PID（比例、积分、微分）算法加上逻辑判断构成的控制软件，使得系统收敛迅速，跟踪速度快，消声效果令人满意，而且系统工作稳定可靠，     

射流式单重态氧发生器研究

单重态氧O2 (a1Δg)是迄今唯一能用纯化学反应高效产生的具有长寿命的亚稳激发态分子 .为了考察提出的用两个O2 (1Δ)能量汇集反应生成氧第二单重激发态O2 (b1Σ+ g)以实现近可见短波长化学激光方案的现实性 ,设计和实验了一个氯流量为 3～ 10mmol/s的射流式单重态氧发生器 (JSOG) .考察了三种具有不同孔径和孔数目的喷头、氯气流量和脱水冷阱温度等对JSOG出口的O2 (1Δ)浓度、O2 (1Δ)分压、氯利用率及水蒸气含量的影响 .发现用聚氯乙烯管作冷阱时 ,最佳冷阱介质温度为 - 140～ - 15 0℃ ,对此提出了O2 (1Δ)表面脱活与脱水互相竞争的解释 .在最佳条件下 ,可将O2 (1Δ)气中水分压降低至 4Pa ,这一结果是首次报导     

D—AKNS族的换位表示

本文根据曹策问教授的想法,求得了与D-AKNS族发展方程相联系的特征值之泛函梯度与Lenard算子对;并由此得到了D-AKNS族非线性发展方程的换位表示。文末还讨论了换位表示与定态D-AKNS方程之间的关系.     

Effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 films for phase change random access memory

The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge₂Sb₂Te₅ film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge₂Sb₂Te₅ film. The addition of Si in the Ge₂Sb₂Te₅ film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge₂Sb₂Te₅ film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge₂Sb₂Te₅ film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory.     

紫外波段CH2I2分子的光解离动力学研究

利用离子速度成像方法,研究CH2I2分子在277—305nm范围内若干波长处的光解离动力学.通过同一束激光经(2+1)共振多光子电离(REMPI)过程探测光解碎片I(2P32)和I(2P12),得到了不同激发波长处的离子速度分布图像,从而获得CH2I2光解产物的能量分配和角分布.实验发现,碎片CH2I自由基有很高的内能激发,约占总可资用能的80%,该能量分配可以较好地用冲击模型来解释.实验还发现,产物I(2P32)和I(2P12)具有很不相同的平动能分布,结合所得到的碎片能量分配和角分布,我们对碎片I(2P32)和I(2P12)生成机理进行了分析,指出CH2I2分子电子激发态的绝热和非绝热解离决定了碎片的平动能分布. 关键词： CH2I2 离子速度成像 绝热和非绝热解离     

NOESY技术在地胆草倍半萜内酯化合物结构鉴定中的应用（I）

明确从地胆草中分离得到的两对牦牛儿内酯型的立体异构体即地胆草种内酯（scabertopin）、异地胆草种内酯（isoscabertopin）、异去氧地胆草内酯（isodeoxyelephantopin）和去氧地胆草内酯（deoxyelephantopin）的C-2相对构型；方法 NOESY技术，并结合这4个化合物的¹H NMR，¹³C NMR，HMQC谱；结果 两对立体异构体的NOESY谱有明显差异；结论 通过分析NOESY谱，找寻H-1相关信息，若发现H-1与H-8，H-9β和14-CH₃有NOE相关，可以判断化合物的C-2为α构型，若H-1与H-5，H-7，H-3α及H-9α之间有NOE相关，则化合物的C-2为β构型.     

Detection of low caloric power of coal by pulse fast-thermal neutron analysis

This paper introduces the analysis method and principle of pulse fast-thermal neutron analysis (PFTNA). A system for the measurement of low caloric power of coal by PFTNA is also presented. The 14 MeV pulse neutron generator and BGO detector and 4096 MCA were applied in this system. A multiple linear regression method applied to the data solved the interferential problem of multiple elements. The error of low caloric power between chemical analysis and experiment was less than 0.4 MJ/kg. This revised version was published online in July 2006 with corrections to the Cover Date.