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41.
Sub(L)中的五边形格特征及其数量不等式   总被引:1,自引:0,他引:1  
马占新  赵萃魁 《数学杂志》2002,22(4):459-463
五边形结构在刻画格的特征方面具有十分重要作用,应用格论及组合数学的方法讨论了格L与其子格格Sub(L)中所含五边形格之间的数量关系,给出了有限格L的子格格中三个元生成五边形格的充要条件,同时给出了Sub(L)所含不同五边形格数量的一个下界。  相似文献   
42.
本文给出了所有弱紧算子 ,强紧算子 ,Mackey紧算子 ,构成无穷矩阵拓扑下相同紧集的特征的刻画 .  相似文献   
43.
提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条MeV量级γ射线束及应用站,采用μm波长的红外(或远红外)激光与储存环中3.5GeV电子束进行康普顿背散射,从而获得能区为1—25MeV的康普顿背散射γ光子束,该光子束具有高强度、高极化度(线和圆极化)、准单色、方向性好的优点,可以广泛地应用于核物理和核天体物理基础研究及相关的应用研究领域.介绍了康普顿背散射的基本原理,并结合储存环参数给出了光子束性能的数值计算结果.  相似文献   
44.
 强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。  相似文献   
45.
贾亚青  朱晓农 《物理学报》2004,53(9):3065-3070
研究了由理想线偏振片和单轴双折射晶体波片组成的双折射滤光片倾斜放置时的二阶色散和 三阶色散特性,包括波片厚度、光线入射角和光轴旋转角的变化对二阶和三阶色散的影响. 还给出了双折射滤光片的群延迟表达式,并就色散特性与GT干涉仪进行了详细比较. 关键词: 双折射滤光片 群延迟 二阶色散 三阶色散  相似文献   
46.
本文进行了液体CO2在长度为0.5~5.9 m,内径为0.7 mm和2.0 mm,入出口压差为2.2 MPa和2.5 MPa的毛细管内的质量流量及临界流的实验研究.实验结果表明液体CO2在毛细管中的质量流量随毛细管内径、入出口压差的增大而增大,随长度的增加而逐渐减小;结果同时表明液体CO2在毛细管中产生了临界流现象,临界流随毛细管内径的增大而增大.在实验基础上回归出了适用于本实验条件的液体CO2在毛细管内的质量流量经验关联式,具有一定的工程指导意义.  相似文献   
47.
电子束流品质对自由电子激光小信号增益影响的计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
对电子束有一定初始能量分散或角度分散时的自由电子激光小信号增益用较简便的方法进行了分析计算,并给出了一个渐近公式,结果与用计算机模拟解自由电子激光微分方程组得到的结果一致。  相似文献   
48.
X射线衍射研究N2+注入Si   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
本文首先给出了180keV的N2+注入Si的X射线衍射(XRD)分布,然后用Levenberg-Marquardt最优化方法模拟实验曲线。根据XRD运动学理论,在我们给出的试探胁变函数和多层模型的基础上,用自编程序计算给出了晶格胁变随注入深度、剂量和退火温度的变化。最后我们对实验和计算结果进行了初步的分析讨论。 关键词:  相似文献   
49.
A novel cycloartane,named sphaerophysone A,9,19-cycloart-7β,24β,25-triol-1-en-3-one,was isolated from the ethanol extract of Sphaerophysa salsula DC.The structure was elucidated on the basis of spectral evidences and confirmed by X-ray analysis,the stereochemistry of the compound was also defined by X-ray analysis.  相似文献   
50.
蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。  相似文献   
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