全文获取类型
收费全文 | 66009篇 |
免费 | 14678篇 |
国内免费 | 5660篇 |
专业分类
化学 | 62666篇 |
晶体学 | 706篇 |
力学 | 2398篇 |
综合类 | 354篇 |
数学 | 5364篇 |
物理学 | 14859篇 |
出版年
2024年 | 69篇 |
2023年 | 656篇 |
2022年 | 741篇 |
2021年 | 1309篇 |
2020年 | 2478篇 |
2019年 | 3776篇 |
2018年 | 2078篇 |
2017年 | 1785篇 |
2016年 | 4781篇 |
2015年 | 4956篇 |
2014年 | 5069篇 |
2013年 | 6270篇 |
2012年 | 5720篇 |
2011年 | 5103篇 |
2010年 | 4820篇 |
2009年 | 4652篇 |
2008年 | 4447篇 |
2007年 | 3692篇 |
2006年 | 3148篇 |
2005年 | 2956篇 |
2004年 | 2430篇 |
2003年 | 2195篇 |
2002年 | 2972篇 |
2001年 | 2165篇 |
2000年 | 1925篇 |
1999年 | 1097篇 |
1998年 | 665篇 |
1997年 | 587篇 |
1996年 | 562篇 |
1995年 | 467篇 |
1994年 | 483篇 |
1993年 | 372篇 |
1992年 | 349篇 |
1991年 | 329篇 |
1990年 | 230篇 |
1989年 | 179篇 |
1988年 | 155篇 |
1987年 | 124篇 |
1986年 | 116篇 |
1985年 | 105篇 |
1984年 | 70篇 |
1983年 | 66篇 |
1982年 | 46篇 |
1981年 | 34篇 |
1980年 | 35篇 |
1979年 | 18篇 |
1978年 | 10篇 |
1977年 | 8篇 |
1975年 | 7篇 |
1973年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 919 毫秒
101.
关于《线性代数》教材改革的几点想法 总被引:11,自引:1,他引:10
随着现代科学技术的迅猛发展,尤其是计算机技术的广泛应用,我们应当在工科数学课程的教学内容、教学方法和教学手段上积极改革,与时俱进,以改进教学方法,提高教学质量,使得工科学生能借助于计算机,学好本专业所需的数学知识.在这篇短文中,我们想就《线性代数》的教学内容的改革 相似文献
102.
5‐Amino‐4‐methyl‐2‐phenyl‐6‐substitutedfuro[2,3‐d]pyrimidines ( 2a‐c ) were reacted with 2,5‐dimethoxytetrahydrfuran to afford the pyrrolyl derivatives 3a‐c . Compound 3a was chosen as intermediate for the synthesis of poly fused heterocycles incorporated furopyrimidines moiety 4–11 . Some of the synthesized compounds were screened for their antibacterial and antifungal activities. 相似文献
103.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
104.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
105.
Xuguang Lu 《Journal of statistical physics》2006,124(2-4):517-547
The paper considers macroscopic behavior of a Fermi–Dirac particle system. We prove the L
1-compactness of velocity averages of weak solutions of the Boltzmann equation for Fermi–Dirac particles in a periodic box with the collision kernel b(cos θ)|ρ−ρ
*|γ, which corresponds to very soft potentials: −5 < γ ≤ −3 with a weak angular cutoff: ∫0
π
b(cos θ)sin 3θ dθ < ∞. Our proof for the averaging compactness is based on the entropy inequality, Hausdorff–Young inequality, the L
∞-bounds of the solutions, and a specific property of the value-range of the exponent γ. Once such an averaging compactness is proven, the proof of the existence of weak solutions will be relatively easy. 相似文献
106.
107.
FTIR光谱遥测红外药剂的燃烧温度 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用遥感FTIR光谱,对红外药剂的燃烧特性进行了研究。在分辨率为4cm^-1时,收集4700-740cm^-1波段的光谱。从HF等燃烧产物发射的分子振转基带精细结构的谱线强度分布,可以对燃烧温度进行遥感测定,并给出了燃烧温度随时间的变化关系,实验结果表明燃烧表面附近温度梯度很大,存在着急剧的变化温度场,同时也说明,在不干扰火焰温度场的情况下,利用遥感FTIR光谱对剧烈的、非稳态快速燃烧的火焰温度进行连续实时的遥感测量,是一种快速、准确、灵敏度高的测温方法,显示了它在燃烧温度测量、产物浓度测试以及燃烧机理研究等方面的应用前景。 相似文献
108.
本文以一道题为例对研究性教学中的习题环节进行了实例研究.大致按照事件发生的顺序叙述以再现现场情景. 相似文献
109.
110.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献