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41.
扭王字块是一种重要的港口防波堤护面块体,其断裂失稳过程与所受水流冲击力密切相关。文章以基于连续介质力学的离散元方法(CDEM)为基础,通过引入FVM算法及半弹簧-半棱联合接触模型,分别实现了大位移下单元变形的准确计算及单元接触的快速更新。基于改进后的CDEM方法,通过在扭王字块表面施加按流速方向逐渐增加的动态面力,对均匀水流冲击下单扭王字块的断裂过程及扭王字块群的失稳滑移过程进行了数值分析。通过分析,不同方向水流冲击下单扭王字块的主要断裂模式为沿着根部的折断,其断裂流速约为21~25m/s;不同吨位下扭王字块群的失稳模式为扭王字块单体从群体中跳出,其失稳流速约为4~11m/s。 相似文献
42.
从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手,较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元的影响.通过对复合薄膜紫外-可见-近红外光谱及表面增强拉曼散射光谱的分析,指出绝缘性的Al2O3介质薄膜能够起到良好的表面电场定域效果,且不会引入附加的光吸收损失;而导电性的ITO薄膜则会引入表面价电子的溢出损失,加速了表面电场的衰逝,同时引起长波方向上显著的光吸收损失.研究还表明致密的Al2O3介质薄膜能够起到良好的屏蔽作用,且纳米Ag颗粒表面等离子激元特性仅受最近邻材料特性的影响.研究结果为在硅基薄膜太阳电池中实现对纳米Ag颗粒的阻挡、寄生光吸收损失的降低以及表面高能电场的利用,提供了一条有效的解决途径. 相似文献
43.
44.
Influence of local environment on the intensity of the localized surface plasmon polariton of Ag nanoparticles 下载免费PDF全文
A combined Ag nanoparticle with an insulating or conductive
layer structure has been designed for molecular detection using
surface enhanced Raman scattering microscopy. Optical absorption
studies revealed localized surface plasmon resonance, which shows
regular red shift with increasing environmental dielectric
constant. With the combined structure of surface enhanced Raman
scattering substrates and rhodamine 6G as a test molecule, the
results in this paper show that the absorption has a linear
relationship with the local electromagnetic field for insulating
substrates, and the electrical property of the substrate has a
non-negligible effect on the intensity of the local electromagnetic
field and hence the Raman enhancement. 相似文献
45.
本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜;Hall测量表明,较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性,可归于晶粒长大和晶体质量提高.40min沉积时间(膜厚为1250nm)制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构,其晶粒尺寸为300~500nm,电阻率为7.9×10-3Ω·cm,迁移率为26.8cm2/Vs. 相似文献
46.
采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响.结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变.电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大.不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同.另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移. 相似文献
47.
Research on the boron contamination at the p/i interface of microcrystalline silicon solar cells deposited in a single PECVD chamber 下载免费PDF全文
This paper studies boron contamination at the interface between the
p and i layers of μ c-Si:H solar cells deposited in a
single-chamber PECVD system. The boron depth profile in the i layer
was measured by Secondary Ion Mass Spectroscopy. It is found that
the mixed-phase μ c-Si:H materials with 40% crystalline
volume fraction is easy to be affected by the residual boron in the
reactor. The experimental results showed that a 500-nm thick μ
c-Si:H covering layer or a 30-seconds of hydrogen plasma treatment
can effectively reduce the boron contamination at the p/i interface.
However, from viewpoint of cost reduction, the hydrogen plasma
treatment is desirable for solar cell manufacture because the
substrate is not moved during the hydrogen plasma treatment. 相似文献
48.
49.
50.