高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

从模拟和实验两个方面对高迁移率In_0.6Ga_0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层对Ino_0.6Ga_0.4AsMOSHEMT的特性具有重要影响.与Ino_0.6Ga_0.4As MOSFET相比,Ino_0.6Ga_0.4As MOSHEMT表现出优异的电学特性.实验结果表明,In_0.6Ga_0.4As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm²/V.s^-1,是In_0.6Ga_0.4As MOSFET的3.2倍.0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.     

机载侦察设备目标定位数据处理方法

机载侦察设备对目标定位时受到的影响因素较多,目标定位数据中存在的系统误差和随机误差会影响定位结果。提出采用圆概率误差处理目标定位数据时,需分析判断圆概率误差的不同适用条件。根据圆概率误差的定义和圆概率误差方程式的一般形式,推导了6种不同适用条件情况下的圆概率误差简化计算公式。用两种圆概率误差简化计算公式对某目标定位数据进行了对比计算分析,在采用适用条件下计算公式的数据处理精度优于0.95,达到了CEP定义50％的数据概率要求,能够准确分析处理机载侦察设备的目标定位结果。     

冷却润滑对纯铁车削刀具磨损的影响机理

合适的冷却润滑方式是改善切削摩擦,降低切削温度和切削力,提高刀具寿命的关键技术.采用干切、水冷、微量润滑(Minimum quantity lubrication,MQL)以及菜籽油润滑等四种方式进行了不同工艺参数下纯铁材料的车削试验,研究了冷却润滑方式对纯铁车削刀具磨损的影响机理.结果表明:纯铁车削时刀具磨损形态以主、副切削刃处的沟槽磨损和后刀面磨损为主,前刀面上黏结有工件材料并形成积屑瘤;MQL条件下的刀具寿命最长,而水冷时最小;扩散磨损、氧化磨损和黏结磨损是纯铁车削刀具的主要磨损机理;四种冷却润滑方式下切削力、前刀面与切屑间平均摩擦系数和表面显微硬度的显著差异是造成刀具寿命明显不同的根本原因.     

烧成工艺制度对钒尾矿基泡沫陶瓷性能的影响

采用商洛钒尾矿、钾长石和粘土为原料制备泡沫陶瓷,在确定原料配方的基础上,研究烧结温度、升温速率和保温时间对泡沫陶瓷体积密度和抗压强度的影响,确定最优烧成工艺参数,制得质量轻、强度高、导热系数低的高性能泡沫陶瓷材料.结果表明:8℃/min从室温至1000℃,再以3℃/min的升温速度烧至1135 ℃保温30 min,在此烧成工艺条件下制备的泡沫陶瓷试样的体积密度为420 kg/m3,抗压强度为3.1 MPa,导热系数为0.09 W/(m· K).     

分层分区布料工艺制备轻质保温发泡陶瓷的研究

目前采用固体废弃物制备轻质保温发泡陶瓷成为研究热点,但关于发泡陶瓷布料工艺的研究寥寥无几.本文采用钼尾矿为主要原料,分别加入不同含量发泡剂SiC,然后采用分层分区布料方式烧制轻质保温发泡陶瓷.研究发泡剂含量、布料工艺对发泡陶瓷试样性能的影响.最终制得发泡均匀,体积密度0.44 g/cm3,抗压强度3.9 MPa,导热系数0.15 W/(m·k)的发泡陶瓷试样.本研究采用分层分区布料工艺烧制发泡陶瓷,为缩短发泡陶瓷烧成周期提供了一条可行的途径.     

C_(60)二取代化合物与环状二卟啉相互作用研究

通过紫外-可见吸收光谱研究了环状二卟啉与trans-2,trans-3,trans-4和e型4种吡咯烷二取代C60衍生物(bis-C60)异构体之间的弱相互作用。研究表明,吡咯烷取代基团的引入使富勒烯与二卟啉的结合常数按C60单取代C60二取代C60的顺序降低。4种bis-C60与二卟啉的结合常数变化顺序为trans-2trans-3≈trans-4e,表明2个取代基间的相对位置对二取代C60与环状二卟啉间作用有一定影响,分析认为主、客体分子间空间位阻效应的差异是导致这一变化的主要原因。以trans-3 bis-C60/二卟啉复合物为代表,通过密度泛函理论模拟了其几何结构和吸收光谱。     

新型超支化大分子季铵型抑制剂的制备及性能评价

以二乙醇胺、丁二酸酐为原料,合成端羟基超支化大分子；用环氧丙基三甲基氯化铵进行末端基团改性，引入季铵盐阳离子基团制备了一种新型季铵盐抑制剂HBP-TAC，其结构经红外光谱、核磁和元素分析表征。考察了端基取代度与浓度对抑制膨润土水化膨胀性能影响，并对滚动回收率及与钻井液配伍性进行了评价、实验结果表明：该类抑制剂对膨润土的水化膨胀有一定抑制作用，加入1%多取代HBP-T2，抑制效果能达到95.31%；在高温130℃条件下，页岩滚动回收的一次回收率为91.8%，二次回收率为80.1%；抑制剂与水基钻井液体系相容性较好，并对滤失性有一定改善效果。      

结构可靠性分析高效自适应重要抽样方法

提出了一种基于自适应Metropolis算法和快速高斯变换技术的结构可靠性分析高效自适应重要抽样方法. 该方法首先利用自适应Metropolis算法高效生成结构失效域样本, 然后运用自适应宽核密度估计方法构造重要抽样密度函数, 最后采用快速高斯变换加速重要抽样过程中核函数的计算. 与传统方法相比, 自适应Metropolis算法能够在相同计算量下提供更多结构失效域信息从而改善计算精度, 即为求得给定精度问题的解, 可有效减少样本生成过程中的结构分析次数, 提高方法的计算效率; 快速高斯(Gauss)变换大幅降低核密度估计的计算复杂度从而大幅缩减重要抽样的计算耗时. 通过数值算例可以看出该方法具有较高的计算精度和效率.      

聚合物稳定液晶材料研究进展

聚合物稳定液晶材料在显示传感、温度调控、智能材料等方面表现出优异性能,成为液晶材料领域的研究热点.针对向列相液晶、胆甾相液晶、铁电相液晶、蓝相液晶和其他相态液晶,分别介绍了聚合物网络在不同相态液晶中的作用,阐述了不同聚合物稳定液晶材料的特点及光学性能,综述了聚合物稳定液晶材料的研究进展,并指出了聚合物稳定液晶材料面临的...     

Effect of the Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer on the device performance of In0.4Ga0.6As MOSFETs grown on semi-insulating GaAs substrates

In0.4Ga0.6As channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with and without an Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer grown on semi-insulating GaAs substrates have been investigated for the first time. Compared with the In0.4Ga0.6As MOSFETs without an In0.49Ga0.51P barrier layer, In0.4Ga0.6As MOSFETs with an In0.49Ga0.51P barrier layer show higher drive current, higher transconductance, lower gate leakage current, lower subthreshold swing, and higher effective channel mobility. These In0.4Ga0.6As MOSFETs (gate length 2 μm) with an In0.49Ga0.51P barrier layer exhibit a high drive current of 117 mA/mm, a high transconductance of 71.9 mS/mm, and a maximum effective channel mobility of 1266 cm2/(V·s).