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合成了七个含四氮杂十四元大环配体过渡金属配正离子与双(N-氰基亚胺基二硫代甲酸)合镍负离子的加合物[ML][Ni(cdc)2](cdc=N-氰基亚胺基二硫代甲酸根; L=hmtade,hmta, dmtade, tmtate; M=Cu, Ni, Zn), 通过元素分析、红外光谱、电子光谱、磁化率和顺磁共振谱对加合物结构进行了表征。测定了[Ni(hmtade)][Ni(cdc)2]的晶体结构, 其晶体属单斜晶系, C2/c空间群, 晶胞参数: a=1.1883(2), b=1.1753(2),c=2.0482(4)nm, α=90°, β=100.19(1)°, γ=90°,V=2.8154nm^3, Mr=630.19, Dx=1.482g/cm^3, Z=4, 对正负离子间的相互作用进行了讨论。 相似文献
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针对当前基于Web服务的空间信息格网(Spatial Information Grid, SIG)系统无法获取资源中间状态的缺点,探讨了一种基于Web服务资源框架(Web Service Resource Framework, WSRF)构建SIG的实现技术,而使SIG成为一种能够提供资源中间状态(stateful)的系统,有利于客户端与服务端的持久交互和状态回溯.在介绍了WSRF框架及其实现方式的基础上,探讨了基于WSRF构建空间信息服务的流程和关键,即确定系统中状态化的资源种类和空间信息服务.以地理坐标转换为例示范了状态化服务资源的创建过程,并提出了基于WSRF的SIG服务框架. 相似文献
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量热生物传感器及其发展趋势 总被引:1,自引:0,他引:1
与其它类传感器相比较,量热生物传感器有其独特的优点.经过多年的研究,这类传感器已经从简单系统阶段发展到了微型及杂合系统阶段,并且日渐趋向于智能化.有越来越多的分析生物学家正对此领域表现出极大的兴趣.目前,这类传感器被广泛应用于临床检测、工业过程控制、环境监测等方面.本文就量热生物传感器的基本原理、器件设计以及发展趋势等方面进行了较为详细的论述. 相似文献
75.
(5,7,7,12,14,14—六甲基—1,4,8,11—四氮杂环十四—4,11—二烯)合镍… 总被引:3,自引:0,他引:3
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合成了O,O′-二(4-甲苯基)二硫代磷酸N,N-二乙铵([Et2NH2][(4-MeC6H4O)2PS2],NOP),采用元素分析、红外光谱、核磁共振谱和单晶X射线衍射测试技术对其结构进行了表征,同时研究了NOP的热稳定性和缓蚀性。 NOP晶体属单斜晶系,P21/n空间群,晶胞参数为:a=1.424 1(3) nm,b=2.008 7(4) nm,c=1.436 6(3) nm,V=3.959 9(15) nm3,Dc=1.286 Mg/m3,Z=8,F(000)=1.632,μ(MoKα)=0.360 mm-1,S=1.001,(Δ/σ)max=0.001,R1=0.077 6,wR2=0.174 9(I>2σ(I))。 NOP的不对称结构单元中包括2个独立的子单元,2个子单元之间通过N-H…S氢键形成了一维链结构。 在H2SO4溶液中,NOP能有效抑制Q235钢的腐蚀,是一种抑制阳极反应为主的高效混合型缓蚀剂;NOP在Q235钢表面的吸附符合Langmuir吸附等温式,属自发进行的物理和化学吸附。 CCDC813309 相似文献
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Pressure effects in AlAs/Inx Ga1-xAs/GaAs resonant tunnelling diodes for application in micromachined sensors 下载免费PDF全文
This paper reports the current-voltage characteristics of [001]-oriented AlAs/InxGa1-xAs/GaAs resonant tunnelling diodes (RTDs) as a function of uniaxial external stress applied parallel to the [110] and the [1^-10] orientations, and the output characteristics of the GaAs pressure sensor based on the pressure effect on the RTDs. Under [110] stress, the resonance peak voltages of the RTDs shift to more positive voltages. For [1^-10] stress, the peaks shift toward more negative voltages. The resonance peak voltage is linearly dependent on the [110] and [1^-0] stresses and the linear sensitivities are up to 0.69 mV/MPa, -0.69 mV/MPa respectively. For the pressure sensor, the linear sensitivity is up to 0.37 mV/kPa. 相似文献
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