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1.
Resonant tunnelling diodes(RTDs) have negative differential resistance effect,and the current-voltage characteristics change as a function of external stress,which is regarded as meso-piezoresistance effect of RTDs.In this paper,a novel micro-accelerometer based on AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs RTDs is designed and fabricated to be a four-beam-mass structure,and an RTD-Wheatstone bridge measurement system is established to test the basic properties of this novel accelerometer.According to the experimental results,the sensitivity of the RTD based micro-accelerometer is adjustable within a range of 3 orders when the bias voltage of the sensor changes.The largest sensitivity of this RTD based micro-accelerometer is 560.2025 mV/g which is about 10 times larger than that of silicon based micro piezoresistive accelerometer,while the smallest one is 1.49135 mV/g.  相似文献   
2.
选用三水醋酸铅、乙酰基丙酮酸锆、四异丙氧基钛、乙酰丙酮作初始材料,用同样的方法分别制备了锆钛酸铅(PZT)和钛酸铅(PT)两种固体前驱物. 采用改良型的溶胶-凝胶工艺技术,分别在不同的Pt-Ti-Si3N4-SiO2-Si基底上,按照不同的组合方式,制备了三种多层薄膜:PZT、PT/PZT-PZT/PT、PT/PZT/-/PZT/PT. 较详细地讨论了薄膜制备的工艺技术,发现当凝胶通过烧结和干燥后变成固态物质时,薄膜内部存在着较大的残余应力,当薄膜在600 ºC下退火时其内部残余应力可以被减小. 通过拉曼  相似文献   
3.
In this paper, a novel antenna is proposed for high-temperature testing, which can make the high-temperature pressure characteristics of a wireless passive ceramic pressure sensor demonstrated at up to a temperature of 600°C. The design parameters of the antenna are similar to those of the sensor, which will increase the coupling strength between the sensor and testing antenna. The antenna is fabricated in thick film integrated technology, and the properties of the alumina ceramic and silver ensure the feasibility of the antenna in high-temperature environments. The sensor, coupled with the ceramic antenna, is investigated using a high-temperature pressure testing platform. The experimental measurement results show that the pressure signal in a harsh environment can be detected by the frequency diversity of the sensor.  相似文献   
4.
设计并制作了一种应用于细胞排列的介电泳微流控芯片,以实现细胞的非接触、批量排列。芯片主要包括PDMS微通道和“台阶”形ITO微电极。运用仿真软件COMSOL分析了微电极所形成的电场分布,确定了最大电场强度的位置;利用MEMS加工工艺制备了ITO微电极和PDMS微通道,PDMS微通道与带有ITO电极的载玻片经过氧等离子表面处理后,对准键合获得最终的微流控芯片。通过不同频率下的介电泳实验,实现了酵母菌细胞的介电泳运动,并确定了正、负介电泳运动的电场频率。结果表明,酵母菌细胞在溶液电导率为60μS/cm的环境下,1~10 kHz时,发生负介电泳运动;0.5~10 MHz时,发生正介电泳运动;50 kHz时,没有发生介电泳运动。并在施加8 Vp-p,5 MHz交流电压信号的条件下,实现了酵母菌细胞沿“台阶”形电极边缘直线排列。  相似文献   
5.
选用三水醋酸铅、乙酰基丙酮酸锆、四异丙氧基钛、乙酰丙酮作初始材料,用同样的方法分别制备了锆钛酸铅(PZT)和钛酸铅(PT)两种固体前驱物.采用改良型的溶胶-凝胶工艺技术,分别在不同的Pt-Ti-Si3N4-SiO2-Si基底上,按照不同的组合方式,制备了三种多层薄膜:PZT、PT/PZT—PZT/PT、PT/PZT/-/PZT/PT.较详细地讨论了薄膜制备的工艺技术,发现当凝胶通过烧结和干燥后变成固态物质时,薄膜内部存在着较大的残余应力,当薄膜在600℃下退火时其内部残余应力可以被减小.通过拉曼衍射和XRD分析,发现PT/PZT—PZT/PT结构的薄膜具有较好的结晶性和较小的残余应力.XRD分析表明,多层混合薄膜的衍射峰是PZT和PT两种薄膜衍射峰的叠加.  相似文献   
6.
高声压级激励下,由于非线性效应的存在,穿孔板消声器的吸声特性将发生改变,而改变量的大小与穿孔板的结构参数(穿孔率,孔径,板厚)密切相关。本文设计搭建了实验平台来研究结构参数的变化对穿孔板消声器的吸声特性的影响。根据实验结果发现:随着声压级的升高,由于穿孔板结构的非线性加剧,其声阻抗将发生变化,导致穿孔板消声器的吸收峰值降低,但吸收频带却拓宽了;在穿孔率一定的情况下,孔径越小的穿孔板消声器更适合低声压级环境工作;在孔径一定的情况下,穿孔率越低的穿孔板消声器也更适合低声压级环境工作。  相似文献   
7.
在研究微球腔和锥形光纤耦合的基础上,介绍了耦合系统中外界空气流动等带来的振动噪声对耦合距离的影响,并系统地分析了耦合距离与系统耦合状态的关系.为进一步验证外界各种振动噪声对系统稳定性的影响并解决这些因素对谐振谱线造成的干扰,采取了两种方法来进行抑制;一种是设计了隔离罩将耦合系统与外界环境隔离,另一种是用紫外胶将锥形光纤...  相似文献   
8.
根据高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS)系统的要求, 本文提出了一种新型敞开式直流电晕放电化学离子源. 该离子源主要由内线电极、外筒电极和牵引电极组成, 内、外电极半径分别是0.08、2 mm. 筒壁电极上开有对称的4个槽, 用于通入样品和牵引离子. 质谱实验结果表明, 该离子源能够在敞开环境下很好地离子化丙酮、乙醇、苯胺、N,N-二甲基甲酰胺、甲基磷酸二甲酯(DMMP)、乙酸乙酯、甲酸、乙酸、苯酚等正、负电性物质. 静电计测试实验结果说明该离子源能够稳定地产生离子电流. 通过分析不同时刻的谱图发现, 在不同时间点上产生的主要离子相同, 具有很好的稳定性. 利用感应耦合等离子体(ICP)工艺在硅片上加工了该离子源, 从而验证了该结构可以由微机电系统(MEMS)加工技术实现. 该离子源具有体积小、结构简单、无辐射、工作稳定等特点, 不仅可以满足FAIMS系统的要求, 还可用于敞开式质谱、微型质谱仪、离子迁移谱(IMS)等仪器.  相似文献   
9.
分析和阐释了POF光纤的包层模受抑全内反射(CMFTIR)效应及其传感机制。提出利用光纤宏弯导致模场畸变从而激发光纤包层模式的方法获得显著的CMFTIR效应并利用其实现液位传感。实验表明CMFTIR效应相对微弱,极易淹没于强背景噪声中,为此通过噪声分析提出利用宏弯耦合获得暗场信号以进一步提升信噪比。设计了双绞宏弯耦合型液位探头及其封装结构。实验结果表明,暗场耦合信号具有明显的信噪比优势,实现传感器液位区分度大于3.7 dB。相较于同类液位探头,该传感器鲁棒性好,制作更加简单且成本更为低廉。  相似文献   
10.
王建  张文栋  薛晨阳  熊继军  刘俊  谢斌 《中国物理》2007,16(4):1150-1154
This paper reports the current-voltage characteristics of [001]-oriented AlAs/InxGa1-xAs/GaAs resonant tunnelling diodes (RTDs) as a function of uniaxial external stress applied parallel to the [110] and the [1^-10] orientations, and the output characteristics of the GaAs pressure sensor based on the pressure effect on the RTDs. Under [110] stress, the resonance peak voltages of the RTDs shift to more positive voltages. For [1^-10] stress, the peaks shift toward more negative voltages. The resonance peak voltage is linearly dependent on the [110] and [1^-0] stresses and the linear sensitivities are up to 0.69 mV/MPa, -0.69 mV/MPa respectively. For the pressure sensor, the linear sensitivity is up to 0.37 mV/kPa.  相似文献   
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