首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   948篇
  免费   353篇
  国内免费   214篇
化学   377篇
晶体学   21篇
力学   162篇
综合类   33篇
数学   208篇
物理学   714篇
  2024年   8篇
  2023年   19篇
  2022年   32篇
  2021年   20篇
  2020年   21篇
  2019年   41篇
  2018年   31篇
  2017年   34篇
  2016年   46篇
  2015年   34篇
  2014年   54篇
  2013年   46篇
  2012年   74篇
  2011年   65篇
  2010年   80篇
  2009年   78篇
  2008年   73篇
  2007年   74篇
  2006年   90篇
  2005年   54篇
  2004年   64篇
  2003年   42篇
  2002年   39篇
  2001年   34篇
  2000年   41篇
  1999年   23篇
  1998年   10篇
  1997年   23篇
  1996年   18篇
  1995年   17篇
  1994年   29篇
  1993年   33篇
  1992年   30篇
  1991年   14篇
  1990年   21篇
  1989年   14篇
  1988年   18篇
  1987年   18篇
  1986年   4篇
  1985年   20篇
  1984年   6篇
  1983年   6篇
  1982年   3篇
  1981年   4篇
  1979年   3篇
  1964年   1篇
  1960年   1篇
  1959年   1篇
  1957年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有1515条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
本文建立了双模糊概率集和3-值r-模糊集之间的联系。首先,研究了3-值r-模糊集的定义和运算,说明了3-值r-模糊集与r-直觉模糊集是一一对应的。然后,给出了3-值r-模糊集合套的概念,证明了双模糊概率集是3-值r-模糊集合套的等价类。  相似文献   
52.
选用不同形状的{100}金刚石籽晶面,以NiMnCo合金为触媒,利用温度梯度法在压力为5.5 GPa、温度为1260~1300℃的条件下,合成Ib型金刚石大单晶。通过光学显微镜和电子显微镜对晶体的形貌进行表征。研究发现,将合成籽晶的{100}晶面切割成不同形状,只会令晶体的长宽比发生改变,晶体并不会因籽晶形状的改变而偏离{100}晶体的正常形貌。晶体的合成质量受到籽晶长宽比的影响:在籽晶长宽比较小的情况下,晶体的合成质量能够得到保证;但当籽晶长宽比过大时,合成晶体的下表面出现较多缺陷。关于籽晶形状对晶体生长情况影响的研究,揭示了籽晶形状与合成晶体形貌之间的关系,有利于更深入理解晶体的生长过程和外延生长机理,对于今后合成不同形貌的金刚石具有借鉴意义。同时此项研究有助于扩大籽晶的选取范围,降低籽晶的选择难度,提升工业级金刚石的利用率,为合成金刚石大单晶的籽晶选取提供了技术支持。  相似文献   
53.
为了提高半导体激光器的封装质量和效率,引入管式炉利用夹具进行批量封装。由于封装质量的好坏直接影响半导体激光器的输出特性和使用寿命,利用MOCVD生长808 nm芯片,重点分析了管式炉温度和封装时间对半导体激光器巴条双面金锡封装质量的影响。利用X射线检测、结电压、光电特性参数和smile效应测试手段,确定了管式炉封装半导体激光器巴条的最优封装条件,为以后的产业化提供了指导意义。  相似文献   
54.
本文利用时间切片离子成像技术对OCS分子进行了真空紫外波段的光解动力学研究. 在四个光解光波长(从129.32到126.08 nm)下测量了硫原子解离产物S(3PJ=2,1,0)、S(1D2)、S(1S0)的速度影像,并从中清晰地发现了四个主要的解离产物通道:S(3PJ=2,1,0)+CO(X1Σ+),S(3PJ=2,1,0)+CO(A3π),S(1D2)+CO(X1Σ+)和S(1S0)+CO(X1Σ+). 在实验影像中,产物CO分子的部分振动态结构能够得到分辨. 实验还获取解离产物总平动能谱,产物分支比和角分布. 对实验结果进行分析显示除绝热解离通道S(3PJ=2,1,0)+CO(A3π)之外,在其他三个产物通道中非绝热效应都起到非常重要的作用.  相似文献   
55.
To extract the dynamic parameters from single molecule manipulation experiments, usually lots of data at different forces need to be recorded. But the measuring time of a single molecule is limited due to breakage of the tether or degradation of the molecule. Here we propose a data analysis method based on probability maximization of the recorded time trace to extract the dynamic parameters from a single measurement. The feasibility of this method was verified by dealing with the simulation data of a two-state system. We also applied this method to estimate the parameters of DNA hairpin folding and unfolding dynamics measured by a magnetic tweezers experiment.  相似文献   
56.
近年来,二维半导体材料由于其独特的材料结构和电子输运特性得到了科学界的广泛关注,被应用于光电器件、催化和生物传感器等领域。本文系统概述了传统二维材料以及新兴二维材料石墨炔的发现和发展历程。重点聚焦在二维材料在光探测器领域中的应用,探讨了不同二维材料体系及器件结构对光探测器性能的影响;并详细介绍了新兴二维材料——石墨炔,及其合成和应用。展望了传统二维材料及石墨炔在光电转换器件的应用中所面临的机遇和挑战。  相似文献   
57.
以培养的原发性肝癌细胞HepG2和正常肝细胞L02为研究对象,采用细胞裂解液提取总蛋白,用PNGase F酶解释放N-糖链,以微晶纤维素柱结合石墨碳柱纯化分离N-糖链,通过电喷雾电离质谱(ESI-MS)和串联质谱(MS/MS)对N-糖链进行序列鉴定,以β-环糊精为内标对2种细胞系的N-糖链进行了定量比较分析.结果表明,在肝癌细胞系HepG2和正常细胞系L02中共检测到26种N-糖链,与L02相比,HepG2的大多数高甘露糖型糖链、唾液酸化糖链和岩藻糖基化糖链的数量都明显升高,其中有15种糖链在数量上具有极显著性差异(p0.01),1种糖链具有显著性差异(p0.05).本研究为进一步探索肝癌中各类N-糖链的表达特点及发现早期肝癌糖链标志物提供了参考.  相似文献   
58.
对限制在两个光滑的疏水板间的水进行了分子动力学模拟,观察到了两种晶体结构,都满足冰规则.在1GPa的压强和1.0nm的板间距下获得的新的冰相是平坦的六边形-四边形三层冰.在此结构中,靠近板的两层(外层)中的水分子形成六边形环,中间层的水分子形成四边形环.对于外层的水分子,其四个氢键中的三个在同一层中,另一个氢键与中间层连接.对于中间层的水分子,四个氢键中的两个在同。层中,而另外两个氢键与两个不同的外层相连.虽然三层的形状不同,但其面密度却接近相等.另一种结构是在0.8nm的板问距和100MPa的侧向压下获得的平坦的六边形双层冰.模拟中的相变既有一阶相变,也有连续相变.  相似文献   
59.
针对嵌入式系统设计中专用的串行外设接口SPI数量不能满足要求的问题,提出一种基于双移位器的FlexIO来模拟SPI通信总线的全新方案,首先阐述了FlexIO的硬件架构,然后在分析标准SPI通信协议的基础上,通过对其内部定时器,移位器与芯片引脚的合理配置并结合少量的软件编程设计,最终模拟出拥有全双工,同步功能的SPI通信总线。通过与标准SPI从机通信的实验,表明了用FlexIO模拟的SPI通信总线具有硬件配置灵活,软件需求少且通信可靠的优点,同时也对用它来模拟其他类型的串行通信总线提供了一定的参考价值。  相似文献   
60.
黄艳平  袁健美  郭刚  毛宇亮 《物理学报》2015,64(1):13101-013101
基于密度泛函理论的第一性原理计算, 研究了硅烯饱和吸附碱金属元素原子的稳定性、微观几何结构和电子性质, 并与纯硅烯及其饱和氢化结构进行了对比分析. 研究发现复合物SiX(X=Li, Na, K, Rb)的形成能都是负的, 相对于纯硅烯来说可以稳定存在. Bader电荷分析表明, 电荷从碱金属原子转移至硅原子. 从成键方式来看, 硅烯与氢原子形成共价键, 而与碱金属原子之间形成的键主要是离子性成键, 但还存在部分共价关联成分. 能带计算表明, 锂原子饱和吸附在硅烯形成的复合物SiLi是直接带隙的半导体, 带隙大小为0.34 eV. 其他碱金属饱和吸附在硅烯上形成的复合物都表现为金属性.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号