一种新型单体引发转移终止剂合成精细结构功能化的聚苯乙烯

自从1982年Ｏｔｓｕ[1]等提出引发转移终止剂(Ｉｎｉｆｅｒｔｅｒ)以来,这类化合物得到了广泛的研究和发展.使用引发转移终止剂的聚合反应是实现“活性”聚合的一个重要方法.引发转移终止剂又分为热引发转移终止剂和光引发转移终止剂两种.热引发转移终止剂除了三苯甲基偶氮苯外[2],均是六取代乙烷类化合物[3～7];而光引发转移终止剂则一般是一些含二硫代氨基甲酰氧基基团的化合物,如Ｎ,Ｎ二乙基二硫代氨基甲酸苄酯(ＢＤＣ)、双(Ｎ,Ｎ二乙基二硫代氨基甲酸)对苯二甲酯(ＸＤＣ)、Ｎ乙基二硫代氨基甲酸苄酯(ＢＥＤＣ)、双(Ｎ乙基二硫代氨基甲酸…     

β-胺基丙烯酸酯衍生物的不对称催化氢化反应研究进展

综述了近年来β-胺基丙烯酸酯衍生物的不对称催化氢化反应的研究工作, 并讨论了影响氢化反应活性与对映选择性的各种因素.     

生物修复技术在重金属污染治理中的应用

随着工业的发展，重金属对环境的污染越来越引起人们的关注。生物修复技术以其投资少、效率高、可以原位修复低浓度有害污染物的特性而在环境污染治理中发挥了巨大的作用，自上世纪80年代产生以来，得到了越来越广泛的应用。本文简要介绍了几种生物修复技术在污染治理中的应用，以期进一步推动重金属污染的治理和修复工作。     

p-硝基氯苯与α氰基乙酸乙酯-α-碳负离子的电子转移反应动力学研究: 非链式的自由基机理

在p-硝基氯苯(1)与α-氰基乙酰乙酯-α-碳负离子(2)的反应过程中, 测得了反应中间体p-硝基氯苯负离子自由基(3)的ESR谱。用ESR场/频联锁技术测定了(3)的ESR吸收强度-时间曲线, 当[1]《[2]时, 其结果与连续一级反应动力学相吻合。测得了从2向1的电子转移和3的分解反应速率常数和活化参数, 反应产物为α-氰基-α-(p-硝基苯基)乙酸乙酯和微量的硝基苯。为该反应提出了非链式的电子转移-负离子自由基分解-自由基偶合机理。     

硝酸、硫化钠溶液浸取冷原子荧光法选择性测定土壤及河流沉积物中硫化汞

本文研究了饱和硫化钠溶液对土壤样品中硫化汞的浸取效率(其加标回收率达100%),以及用硝酸和硫化钠溶液对样品中汞的选择性浸取并研究了土壤中硫化汞垂直分布。提出了利用硝酸、饱和硫化钠溶液浸取,由冷原子荧光法选择性测定土壤及河流沉积物中硫化汞的新方法。用该方法对同一样品进行8次测定,其相对标准偏差为7.1%。     

含糖苷的5-氟尿嘧啶类抗肿瘤药物的合成

5-氟尿嘧啶及其衍生物是一类抗代谢抗癌药物,由于5-氟尿嘧啶的脂溶性低,选择性较差.为了提高其选择性,降低药物的毒副作用,增强原药的效果,许多药物科学家和化学工作者对其进行结构上的修饰和改造.一方面在5-氟尿嘧啶分子中引入亲脂性较大的基团,另一方面将生物体内源物质引入到5-氟尿嘧啶分子中,已成功开发了如替加氟(Tegafur)等前药.糖类物质与生命现象有着密切的关系,在细胞识别、血型区分等多种生理功能中起着重要作用,且糖苷类化合物具有一定程度的抗癌活性.基于此,我们将糖苷类物质引入到5-氟尿嘧啶分子中,设计合成了一类含糖苷的5-氟尿嘧啶衍生物,目标产物的合成路线如下:     

An Efficient and Practical Process for Pd/Cu Cocatalyzed Homocoupling Reaction of Terminal Alkynes Using Sodium Percarbonate as a Dual Reagent in Aqueous Media

A new process for the Pd/Cu co-catalyzed homocoupling reaction of terminal alkynes was developed. The reaction was carried out in aqueous media with sodium percarbonate as both a clean oxidant and a base. Meanwhile, a palladium complex immobilized on a synthetic PS-PEG400-PPh2 resin was used as the catalyst, which may be recovered by simple filtration and reused for several times with high activity.     

封装对大功率半导体激光器阵列热应力及Smile的影响

提出一种采用双铜-金刚石的"三明治"封装结构,利用有限元分析方法研究了其与传统的Cu+Cu W硬焊料封装结构激光器的热应力与Smile.对比模拟结果发现新封装结构热应力降低43.8%,Smile值增加95%.在次热沉热膨胀系数与芯片材料匹配的情况下,使用弹性模量更大的次热沉材料,可对芯片层热应力起到更好的缓冲作用.以硬焊料封装结构为例,分析了负极和次热沉厚度对器件Smile的影响.结果表明负极片厚度从50μm增加到300μm,器件工作结温降低2.26℃,Smile减小0.027μm,芯片的热应力增加22.95 MPa.当次热沉与热沉的厚度比小于29%时,Smile随次热沉厚度增加而增加;而当次热沉厚度超过临界点后,Smile随次热沉厚度增加而减小.当次热沉厚度达到临界点(2300μm)时,硬焊料封装的半导体激光器具有最大的Smile值3.876μm.制备了Cu W厚度分别为300μm和400μm的硬焊料封装976 nm激光器,并测量了其发光光谱.通过对比峰值波长漂移量,发现Cu W厚度增加了100μm,波长红移增加了1.25 nm,根据温度和应力对波长的影响率可知应力减小了18.05 MPa.测得两组器件的平均Smile值分别为0.904μm和1.292μm.实验证明增加Cu W厚度可减小芯片所受应力,增大Smile值.     

富里叶级数的收敛速度

对正弦和余弦富立叶级数,通过合并相邻同号项,使其重排成交错级数.讨论了重排形成的交错级数的敛散性.指出根据自变量x的不同取值,该交错级数可能是单调递减或周期递减的级数.按照莱布尼茨判定法提出了不同精度要求的级数项数的计算公式.选取一到三阶收敛的富立叶级数计算了不同比值精度及差值精度要求的级数项数.计算表明,在x的取值为2π的等分点时,富立叶级数的部分和随项数的增加单调地逼近其收敛值.在x的取值为其它点时,富立叶级数的部分和随项数的增加围绕收敛值上下变动,周期地逼近其收敛值.低收敛阶富立叶级数的收敛速度较慢.要达到0.01%的精度,一收敛阶富立叶级数需要数万项,二收敛阶富立叶级数也需要数百项.在不同计算点处,要达到相同的计算精度,需要的级数项数差别较大.