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静电放电(electro-static discharge, ESD)防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数,但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险.本文研究了ESD防护结构N沟道金属-氧化物-半导体(N-channel metal oxide semiconductor, NMOS)在30—195℃的工作温度下的维持特性.研究基于0.18μm部分耗尽绝缘体上硅工艺下制备的NMOS器件展开.在不同的工作温度下,使用传输线脉冲测试系统测试器件的ESD特性.实验结果表明,随着温度的升高,器件的维持电压降低.通过半导体工艺及器件模拟工具进行二维建模及仿真,提取并分析不同温度下器件的电势、电流密度、静电场、载流子注入浓度等物理参数的分布差异.通过研究以上影响维持电压的关键参数随温度的变化规律,对维持电压温度特性的内在作用机制进行了详细讨论,并提出了改善维持电压温度特性的方法. 相似文献
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利用密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-31G(d,p)方法优化了一系列顺式与反式偶氮苯衍生物分子,在此基础上结合有限场(FF)方法和密度泛函理论对分子非线性光学(NLO)性质及电子光谱进行了计算分析,结果表明:顺式与反式结构的变化对其偶极矩、分子内电荷分布与转移以及前线轨道跃迁都造成影响,从而影响分子的第一超极化率.同时相对于顺式偶氮苯衍生物分子,反式分子具有较大的二阶非线性光学系数. 相似文献
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利用平面波展开法和时域有限差分法,模拟研究了基于自准直条件下的高斯光束入射光子晶体Kretschmann结构时发生的同时具有正向和负向Goos-H¨anchen位移的双束反射现象.研究表明,反射光束中具有一束较小的正向位移,而另一束具有较大的负向位移,发现当Kretschmann结构支持的泄漏的表面模式被激发时才出现这一特殊现象;表面模式的场分布说明介质波导中存在着强局域稳态场,大的位移来自于表面模式与自准直体模式间的强耦合,同时探讨了表面模式与光子晶体自准直体模式之间发生耦合的条件和影响参数.本文负向位移最大达到?23.23a (a为晶格常数),对应入射光波长的4.99倍,是束腰半径的1.1615倍. 相似文献
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以席夫碱碳腙类配体H2L自组装合成了一个新的M4[2×2]四方格子状结构锌(Ⅱ)配合物[Zn4(HL)4](ClO4)4·2MeCN·2MeOH(H2L=1,5-bis(1-(pyridine-2-yl)ethylidene)carbonhydrazi-de),并对其进行了元素分析、红外光谱、紫外可见光谱和X-射线单晶衍射法表征。单晶结构分析结果表明配合物中,Zn(Ⅱ)离子具有N4O2型扭曲的八面体配位构型,4个配体分别失去1个质子后以醇式与金属离子配位,由4个酚氧原子桥连4个Zn(Ⅱ)离子形成[2×2]格子状结构四核配合物。固态荧光测试表明配合物在530nm附近有强的荧光发射峰。 相似文献
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基于低温下量子系统的相关实验多是在体积、能量和粒子数都可变的外场束缚下进行的事实, 由体积、能量和粒子数可变的完全开放系统的统计分布(N-E-V分布)研究了弱磁场中弱相互作用费米系统的热力学性质. 首先求出了一般情况下由费米积分表示的内能和热容的解析表达式. 在此基础上, 又给出了在低温极限条件下内能与热容的解析表达式和数值计算结果, 并将N-E-V分布(粒子数密度变化)的结果与赝势法(粒子数密度不变)的结果进行了比较. 结果表明: N-E-V分布方法的计算结果总是补偿赝势法计算结果的过度偏差. 由N-E-V 分布方法所得结果最特异之处在于: 在低温条件下, 弱磁场中弱相互作用费米系统存在一相变温度tc, 其正处于费米系统发生玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)和费米原子形成库珀对的超流状态(BCS)相变及BEC-BCS跨越的温度范围内, 且不随反映弱相互作用大小和特征的散射长度a (a<0引力, a>0斥力)变化, 但随弱磁场的加强而降低, 即弱磁场可调节该相变温度. 磁场为零时, 相变温度最高, 为费米温度的0.184倍. 相似文献
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为了探讨活细胞工作站温度变化对激光扫描共聚焦显微镜(Confocal laser scanning microscope,CLSM)成像的影响,进行了升温和降温条件下铃兰草切片的动态图像采集实验,同时结合Zeiss LSM880的完美聚焦(Definite Focus)功能,采用局部荧光表达动态分析(Mean ROI),分别分析了升温和降温过程中图像的平均明场亮度及荧光强度。结果表明,使用Definite Focus功能前后,活细胞工作站升温和降温均引起了焦点漂移,影响了图像明场亮度和荧光强度,图像质量并未得到改善;活细胞工作站温度达到设定值后还会继续变化,需经过约20min才能稳定,温度稳定后,焦点漂移现象可减弱,对图像明场亮度及荧光强度的影响也随之减小。因此,在激光扫描共聚焦显微镜成像过程中,一定要维持活细胞工作站温度及整个仪器工作环境温度的稳定,并同时采集明场图像,排除温度变化引起的焦点漂移及荧光强度变化,以便更好地提供准确的样品信号。 相似文献
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LD抽运Nd:YVO4/KTP复合腔和频黄光激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
在LD抽运的三镜复合腔Nd:YVO4激光器中,采用Ⅱ类临界相位匹配的KTP晶体对1064 nm和1342 nm两种波长激光进行和频,获得593 nm黄光连续输出.理论上从速率方程出发,导出1064 nm激光谐振腔和1342 nm激光谐振腔腔长之间的关系以及两个腔的腔镜透过率之间的关系.实验中,当808 nm抽运光的功率为12 W时,和频输出的黄光功率为340 Mw.光-光转换效率为2.8%.结果表明,采用三镜复合腔结构进行腔内和频是实现593 nm黄光输出的一种有效方法. 相似文献
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分析了1.06 μm半导体可饱和吸收镜(SESAM)结构及被动锁模基本原理,利用SESAM实现了脉冲式Nd:YAG激光器1.06μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出,脉冲序列的能量为45mJ.实验上还研究了腔长对SESAM锁模效果的影响.提出一种基于迈克耳逊干涉仪的皮秒光脉冲测量方法--二次谐波自相关单次测量法,分析这种测量方法的原理并构建实验装置对SESAM被动锁模Nd:YAG激光器的皮秒激光脉冲进行测量,测得激光脉冲宽度为43.6 ps.二次谐波单次测量法具有精度较高,操作简单等优点. 相似文献
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采用高温固相法结合超声波技术合成了红色荧光粉KYyEu1-y(WO4)x(MoO4)2-x系列,探讨了其合成工艺条件,确定了最佳烧结温度为750℃,烧结时间为5 h;并确定了当x=0.5,y=0.1时样品的相对发光亮度达到最大值为118.2,发射峰的位置处在615nm附近(Eu3+离子的5Do→7F2跃迁),色纯度高,显色性能好.经过研究发现,随着钨酸盐的浓度增加,以466 nm波长激发时,Eu3+的5Do→7F2跃迁发射强度也相应增加,当Mo/W=3时亮度达到最大值. 相似文献