多原边脉冲变压器的优化设计及应用

通过对脉冲变压器原副边回路参数、绕组结构、铁心材料的优化设计,实现了小尺寸变压器对大电流三电极开关的触发。变压器空载输出可达40 kV,增加中间储能环节后,在大电流触发管的触发极可产生百A数量级的触发电流,可以实现触发管在较低的欠压比下稳定触发。通过对脉冲变压器绝缘结构的优化设计,确保了脉冲变压器在与触发管配合过程中可以承受其输出电缆折返射造成的过电压与反灌电流。     

3-氨基-1,2,4-三氮唑对铜的缓蚀性能和吸附行为

采用电化学和表面增强拉曼光谱(SERS)方法研究了新型环境友好型金属水处理剂3-氨基-1,2,4-三氮唑(ATA)对铜在3% NaCl溶液中的缓蚀性能和吸附行为. 结果表明, ATA对铜有较好的缓蚀作用, 其中ATA浓度为0.24 mmol·L-1时对铜的缓蚀效率最高, 为97.65%, 其吸附行为符合Langmuir吸附等温式, 吸附机理是典型的化学吸附援SERS表明, ATA分子通过很强的吸附于铜表面达到抑制其腐蚀的作用, 是ATA-与Cu+形成配合物来阻止氯离子化合物(CuCl-2)的生成.     

微波消解-FAAS法测定元胡中的镁

采用微波消解法溶解样品,火焰原子吸收分光光度法（FAAS）测定了元胡中的镁,探讨了微波消解预处理的条件,优化了FAAS测定参数。结果表明,该法具有良好的准确度和精密度,加标回收率在93．25％-96．25％范围内,相对标准偏差（RSD）1．16％,线性范围在0．5～3．5μg·mL^-1之间,为研究金属元素在元胡中的功能提供了有用的数据。     

新型对称烷基咪唑离子液体介质中酶催化合成l-乙酸薄荷酯

设计合成三种新型对称烷基咪唑六氟磷酸盐离子液体——1,3-二正丁基咪唑六氟磷酸盐([DnBIM][PF6]), 1,3-二异丁基咪唑六氟磷酸盐([DiBIM][PF6])和1,3-二仲丁基咪唑六氟磷酸盐([DsBIM][PF6]). 以脂肪酶pseudomonas cepacia催化l-薄荷醇和乙酸酐的酯化过程为模型反应, 分别考察不同介质中酶的活性、反应性和稳定性, 结果表明作为反应介质三种新型离子液体均优于经典离子液体1-正丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐和有机溶剂正己烷. 在三种新的离子液体中, [DiBIM][PF6]具有最好的亲生物性而被选择作为模型反应介质. 此外, 影响l-薄荷醇转化率的各种因素(包括反应温度、底物投料比、离子液体用量和含水量)及酶的重复利用性也被详细研究. 在最佳反应条件下, l-薄荷醇转化率达到97.4%, 酶促反应速度、平衡转化率和半衰期分别是正己烷中的12.7, 4.6和15.1倍. 脂肪酶重复使用10次后催化活性没有明显减少. 由于三种新型离子液体互为同分异构体, 以上事实还表明除憎水性和亲核性以外离子液体的空间构型也是影响酶行为的一个重要因素.     

聚天冬氨酸与钨酸钠复配对黄铜缓蚀作用的光电化学研究

应用光电化学的方法研究了两种环境友好型缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)和钨酸钠(Na2WO4)的单一配方及其复配对黄铜在含硼砂硼酸缓冲溶液的模拟水中的缓蚀作用. 结果表明, 在光电流循环伏安测试中, 单一的PASP与Na2WO4均能够使黄铜表面Cu2O膜引起的p-型光电流响应增大, 这说明缓蚀剂增大了Cu2O膜的厚度, 使黄铜的腐蚀速率减小. 单一的PASP与Na2WO4的最佳添加浓度分别为20与25 mg•L－1. 若以总浓度为20 mg•L－1时对两者进行复配, 当PASP与Na2WO4的质量比为1∶1时, 两者复配比单一使用时的p-型电流光响应都更大, 黄铜的腐蚀更小, 即缓蚀剂的效果更好.     

液态锂实验装置中水冷效率模拟

应用商业软件CFX 计算了液态锂流速、热通量、冷却水的速度和温度对自由流动液态锂在热负荷作用下液态锂温度和水冷效率的影响。结果表明：液态锂温度随液态锂流速的增大而降低。热通量小于2MW·m^-2 时,水冷能够满足对液态锂温度控制的要求;在更大热通量作用下,水冷却显现出冷却能力不足。增大冷却水流速是降低液态锂温度、提高冷却效率的有效途径;冷却水温度对液态锂温度和冷却效率的影响较小。     

水中脉冲放电产生过氧化氢及其影响因素

采用介质涂覆的球-筒电极结构,用以脉冲电压条件下在水中产生放电,通过比色法检测放电产生的过氧化氢,研究了不同电压脉冲幅值、脉冲宽度(储能电容的大小)、水的电导率以及脉冲频率对过氧化氢产生速率的影响,实验结果表明过氧化氢的产率随电压脉冲幅值的增大而增大。当电压脉冲幅值足够高时,水中放电由流注放电形式转换为电弧放电形式,此时过氧化氢产率也大幅提高,而在相同电压条件下,随水的电导率的增大,过氧化氢的产率减小。在相同电压下,脉冲频率的增大,导致放电平均功率增大,水中放电产生过氧化氢的浓度提高。在3.3 W功率时,120 min后水中过氧化氢浓度达到0.2 mmol/L,从而证明了所用电极结构的优越性。     

一种用于触发引燃管的脉冲电源

设计了一种单电源的变压器型高电压、大电流脉冲源。该电源只有一套放电电容,以晶闸管作为放电开关,单原边双副边的脉冲变压器作为传输线。利用二极管的单向导通特性,使变压器根据负载不同的工况运行在不同的状态,分时输出高电压、大电流脉冲。该设计利用变压器在空间上将高压输出回路和低压控制回路隔离,与一般的双电源设计方式相比,降低了驱动电路的成本,减少了装置的体积,有利于设备的小型化和紧凑化。试验结果表明:当原边18 μF的储能电容充电电压为700 V时,通过晶闸管开关控制电容向2 ∶2 ∶20的单原边双副边脉冲变压器放电,副边开路时输出幅值7.6 kV、上升沿432 ns的开路电压,副边短路时输出幅值690 A、半高宽15.6 μs、前沿7.0 μs的短路电流,满足NL37248引燃管的触发要求。     

材料力学中一个较真的问题 ——梁在集中力作用点处的剪力分析

大多数材料力学教材在分析梁的剪力时,将集中力视为作用于一点的力,没有讨论在集中力作用点处截面剪力的情况.为了简单分析这一问题,本文采用力系等效方法,将集中力等效为关于其作用截面对称的分布载荷,从而得出了与实际情况更为接近的结论:在梁受集中力作用点处截面上的剪力是连续的,并可以确定该截面上的剪力.     

Reversible Carriers Tunnelling in Asymmetric Coupled InGaN/GaN Quantum Wells

Temperature-dependent photoluminescence （PL） and time resolved photoluminescence （TRPL） are performed to study the PL characteristics and carrier transfer mechanism in asymmetric coupled InGaN/GaN multiple quantum wells （AS-QWs）. Our results reveal that abnormal carrier tunnelling from the wide quantum well （WQW） to the narrow quantum well （NQW） is observed at temperature higher than about lOOK, while a normal carrier tunnelling from the NQW to the WQW is observed at temperature lower than 100 K. The reversible carrier tunnelling between the two Q Ws makes it possible to explore new types of temperature sensitive emission devices. It is shown that PL internal quantum efficiency （IQE） of the NQW is enhanced to about 46% due to the assistant of the abnormal carrier tunnelling.