三次和四次代数方程析因子法及其收敛性定理

本文对三次及四次代数方程求根问题给出一种直接求二次因子的简单且收敛速度又很快的析因子法,并给出其相应的可简单地直接验证的收敛性定理.     

铁掺杂四方、三方两相共存PZN-PZT陶瓷的Raman散射分析

Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相Rl模式,确定了铁掺杂对PZN-PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响。这一结果,得到了XRD相分析的验证。因此,通过对Raman散射中三方-四方振动模式的分析,可以表征掺杂诱导的PZT基陶瓷中三方-四方相结构变化趋势。     

阴极射线投影管中微腔荧光屏的研制

提出法布里-波罗微腔结构的荧光屏.该微腔荧光屏由前反射镜、薄膜荧光粉层、后反射镜三部分组成.前后反射镜是由多层介质膜构成的布喇格反射镜,作为腔体的薄膜荧光粉层发出的光通过微腔效应在需要的颜色波段得到增强并且发光集中在较小的角度范围内,从而分别提高了图像色纯度和屏幕亮度.采用Matlab进行了蓝色微腔荧光屏的模拟设计,在TXX550电子束镀膜机上进行了实际制作.测试结果表明,微腔荧光屏的发射光谱的半高宽仅24 nm,比相应的薄膜荧光屏窄化了3.4倍,发光强度增加了8倍.实验与模拟设计基本吻合.     

铂/多壁碳纳米管修饰玻碳电极用于微分脉冲伏安法测定左旋多巴

采用微波辅助加热多元醇技术制备了载铂多壁碳纳米管复合材料,并将该复合材料分散在N,N′-二甲基甲酰胺溶液中得到悬浮液,取14μL悬浮液滴涂在玻碳电极表面,制备铂/多壁碳纳米管修饰电极(Pt/MWCNT′s/GCE)。循环伏安法研究了在0.05mol·L~(-1)硫酸支持电解质中,在0.30～0.70V(vs.SCE)电位范围内,左旋多巴在修饰电极上的电化学行为,结果表明:左旋多巴在Pt/MWCNT′s/GCE上于电位0.548V处可见明显的氧化峰,且氧化峰电流显著高于在MWCNT′s/GCE和裸玻碳电极上的氧化峰电流。提出了用微分脉冲伏安法测定左旋多巴的方法。左旋多巴的浓度在8.0×10~(-6)～2.0×10~(-1)mol·L~(-1)范围内与其氧化峰电流呈线性关系,检出限(3S/N)为1.9×10~(-6)mol·L~(-1),平均回收率为102.8%。     

场放大进样-扫集胶束电动色谱法测定金银花中的咖啡酸与绿原酸

以场放大进样-扫集胶束电动色谱法( FASI - sweeping-MEKC)测定了金银花中的咖啡酸、绿原酸.考察了SDS浓度、进样电压、进水时间与进样时间比值、进样时间以及缓冲液组成对分离效果的影响.最佳分离条件为:采用未涂层熔融石英毛细管(50 cm × 50 μm,有效柱长33 cm),缓冲体系为100 mmol...     

硅溶胶/Nano-Au固定联吡啶钌电化学发光行为的研究

研究了舒必利在硅溶胶/纳米金/联吡啶钌修饰的金电极上的电化学发光行为,建立了电化学发光法检测舒必利的新方法。在最佳实验条件下,舒必利浓度在1.0×10-6～1.0×10-4mol/L范围内与发光强度呈良好的线性关系(r2=0.9954),检出限(S/N=3)为3.4×10-9mol/L。连续平行测定1.0×10-5mol/L的舒必利溶液8次,发光强度的相对标准偏差(RSDs)为1.5%。该电极用于样品测定,回收率为97.6%～102.1%。结果表明,纳米金表现出较好的电分析活性,对联吡啶钌具有较好的电催化作用,并可应用于舒必利药物的测定。     

La7O6(BO3)(PO4)2:Eu3+/Tb3+荧光材料的制备及其光致发光性能

采用优化的高温固相方法制备了稀土离子Eu³⁺和Tb³⁺掺杂的La₇O₆（BO₃）（PO₄）₂系荧光材料,并对其物相行为、晶体结构、光致发光性能和热稳定性进行了详细研究。结果表明,La₇O₆（BO₃）（PO₄）₂：Eu³⁺材料在紫外光激发下能够发射出红光,发射光谱中最强发射峰位于616 nm处,为⁵D₀→⁷F₂特征能级跃迁,Eu³⁺的最优掺杂浓度为0.08,对应的CIE坐标为（0.610 2,0.382 3）;La₇O₆（BO₃）（PO₄）₂：Tb³⁺材料在紫外光激发下能够发射出绿光,发射光谱中最强发射峰位于544 nm处,对应Tb³⁺的⁵D₄→⁷F₅能级跃迁,Tb³⁺离子的最优掺杂浓度为0.15,对应的CIE坐标为（0.317 7,0.535 2）。此外,对2种材料的变温光谱分析发现Eu³⁺和Tb³⁺掺杂的La₇O₆（BO₃）（PO₄）₂荧光材料均具有良好的热稳定性。     

脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析

金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素.为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制,通过TCAD构建了40, 90以及180 nm 3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真,得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件及其对NMOS晶体管工作状态的影响.结果表明:1)脉冲γ射线在辐射瞬时诱发NMOS晶体管内部阱电势抬升是导致纵向寄生三极管开启的主要原因; 2)当纵向寄生三极管导通时, NMOS晶体管内部会产生强烈的二次光电流影响晶体管的工作状态; 3) NMOS晶体管内部纵向寄生三极管的电流增益随工艺节点的减小而减小.研究结果可为电子器件的瞬时电离辐射效应机理研究提供理论依据.     

不同参数多壁碳纳米管太赫兹谱特性

探索不同管径和长度的多壁碳纳米管(MWCNT)的太赫兹(THz)谱特性,采用透射型太赫兹时域光谱系统研究了5个不同管径和长度的MWCNT样品的太赫兹吸收谱和折射率谱,并对比和分析了它们的差异。结果表明:在0.2~2.0THz内,多壁碳纳米管太赫兹吸收没有特征吸收峰,吸收强度随着频率的增加而增加,并可以拟合为不同斜率的直线,且MWCNT在THz波段的吸收强度与管径和长度成正比。折射率随着频率的增加呈指数衰减,同时,管径是影响其折射率的一个重要因素,而长度对其影响不大。