Microstructure and photoluminescence of Er-doped SiOx films synthesized by ion beam assisted deposition

Er-doped SiO_x films were synthesized at 500℃ by ion beam assisted deposition technique and annealed at 800 and 1100℃ for 2h in the air atmosphere. The analysis by using energy dispersive x-ray spectroscopy showed that the ratio of Si to O decreased from 3 in the as-deposited films to about 1 in the annealed films. The investigation by using transmission electron microscopy and x-ray diffraction indicated that annealing induces a microstructure change from amorphous to crystalline. The grain sizes in the films were about 10 and 40nm when annealed at 800 and 1100℃, respectively. The films annealed at temperatures of 800 and 1100℃ exhibited a sharp photoluminescence (PL) at 1.533μm from the Er centres when pumped by 980nm laser. The influence of microstructure and grain size on the PL from Er-doped SiO_x films has been studied and discussed.     

反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析

采用反应射频磁控溅射方法，在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO/MgO多量子阱.利用X射线反射、X射线衍射、电子探针，光致荧光光谱等表征技术，研究了ZnO/MgO多量子阱的结构、成份和光致荧光特性.研究结果表明，多量子阱的调制周期在1.85—22.3 nm之间，所制备的多量子阱具有量子限域效应，导致了室温光致荧光峰的蓝移，并观测到了量子隧穿效应引起的荧光效率下降.建立了基于多声子辅助激子复合跃迁理论的室温光致荧光光谱优化拟合方法，通过室温光致荧光光谱拟合发现，ZnO/MgO比ZnO/ZnMgO多量子阱具有更大的峰位蓝移，探讨了导致光致荧光光谱展宽的可能因素. 关键词： ZnO/MgO 多量子阱 磁控溅射 光致荧光 量子限域效应     

电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析

采用阴极还原方法，在透明导电玻璃(ITO)上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜等表征技术，研究了沉积电流对ZnO薄膜的结构、应力状态及表面形貌的影响；利用光致荧光光谱及透射光谱等分析方法，探讨了沉积电流变化对ZnO薄膜的光学性能的影响.研究结果显示：各沉积电流下均可制得高c轴取向的ZnO薄膜；薄膜表面形貌受电流的影响较大；从透射谱可以看出，薄膜在可见光波段有较高透射率，且薄膜厚度随沉积电流的增大而增大.光致荧光测量表明，电化学沉积的ZnO薄膜具有明显的带隙展宽.而且，随着沉积电流的增加，带隙发光强度逐渐减弱，缺陷发光逐渐增强.     

强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体

利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照，并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明，强流脉冲电子束能够诱发位错圈、孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷，并且三种不同类型的空位簇缺陷的形核过程并不同时发生，三种空位簇缺陷存在着密切的关系.根据实验结果提出了堆垛层错四面体形成与生长机理.     

Yb掺杂对Er/Yb共掺Al2O3薄膜光致荧光性能的影响

采用反应射频磁控溅射技术,通过调整溅射靶面上金属Er和Yb的面积比例制备出了不同Yb含量的Er／Yb共掺Al2O3薄膜,重点探讨了薄膜制备过程中Er、Yb成分比例控制的可靠性及Yb的掺杂浓度对Er／Yb共掺Al2O3薄膜室温光致荧光谱强度及峰型的影响。利用卢瑟福背散射谱(RBS)和电子能谱(EDX)对薄膜成分进行的分析表明：薄膜中Er、Yb成分的比例与实际的Er、Yb靶面积比基本一致。薄膜经过1000℃退火2h的室温光致发光谱表明：Yb掺杂显著提高了薄膜的光致荧光强度,当Yb／Er靶面积比为4：1时,光致荧光强度和半峰全宽最大。研究结果表明：对于Al2O3薄膜,合适的Yb／Er浓度,不仅可以显著改善薄膜的发光效率,而且可以增加频带带宽。     

聚乳酸包载5-氟尿嘧啶靶向超微粒子对人胃癌转移瘤的靶向性和控制释放研究

使用w／o／w复乳法制备聚乳酸载5-氟尿嘧啶超微粒子,使用透射电镜、激光粒度仪和紫外分光光度计对超微粒子进行表征,并考察其体外释药性质。将^99mTc标记的连有VEGF121单克隆抗体的超微粒子通过尾静脉注射到SCID裸鼠体内,观察它对胃癌转移瘤的靶向效果和治疗效果。结果显示超微粒子成圆球形,平均粒径为195.2nm,多分散系数为0.148,靶向载药超微粒子的载药率为8．23％,包封率为24．71％。聚乳酸载5-Fu超微粒子在PBS缓冲溶液中具有较好的控释效果,累积释放量Q与时间平方根t^1/2基本呈线性关系．尾静脉注射靶向超微粒子两小时以后可看到大部分超微粒子集中到肿瘤部位。在所有的实验组中,含5-Fu靶向载药超微粒子组的疗效最好,说明本靶向载药超微粒子具有抑制肿瘤的血管生成并在肿瘤组织释放化疗药物抑制肿瘤生长的双重作用。     

Cu掺杂ZnO薄膜的光学性质

采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了Cu掺杂ZnO薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛函理论计算的结果进行了对比。研究结果显示:Cu掺杂ZnO薄膜均具有高的c轴择优取向,无Cu及其氧化物相关相析出,掺杂对晶格参数的影响较小,与理论计算结果一致。Cu掺杂显著改变了ZnO薄膜在近紫外及可见光波段的吸收特性,其光学带隙随着Cu掺杂量的增加有所减小,带隙宽度的变化趋势与理论结果有着很好的一致性。Cu掺杂显著降低了ZnO薄膜的发光效率,具有明显的发光猝灭作用,但并不影响光致发光的发光峰位。说明Cu掺杂导致的吸收特性的改变可能与杂质能级有关,这与能带结构计算发现的Cu-3d电子态位于价带顶附近的禁带中是一致的。     

蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能

采用反应磁控溅射方法,在(0001)蓝宝石单晶衬底上,制备了纳米多晶Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能;实验结果表明,GDC薄膜为面心立方结构,在所研究的衬底温度范围内,均呈强(111)织构生长;薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化:衬底温度由室温升高到300℃时,对应球形生长岛到棱形生长岛的转变,当完全为棱形岛生长时(300℃),生长岛尺寸显著增大;从400℃开始,则发生棱形生长岛到密集球形生长岛的转变,球形生长岛尺寸明显减小.生长形貌的转变反映着薄膜生长初期不同的成核机理,很可能与蓝宝石(13001)面的表面结构随温度变化有关;GDC多晶电解质薄膜的复平面交流阻抗谱主要源于晶界的贡献,根据Arrhenius图求得电导活化能Ea在1.2-1.5 ev范围内,接近于晶界电导的活化能值,并且随衬底温度升高Ea减小(Ea300 > Ea400> Ea600 );电导活化能以及晶粒尺寸不同,导致GDC薄膜电导率随测试温度的变化规律不同.     

退火温度对Er/Yb共掺Al2O3薄膜的光致荧光光谱的影响

通过对不同退火条件下Er/Yb共掺Al_２O_３薄膜光致荧光(PL)光谱的 系统分析，研究了高Er/Yb掺杂浓度所导致的晶体场变化对薄膜PL光谱的影响，并结合薄膜结构分析，探讨了Al_２O_３薄膜的结晶状态在Er^３＋激活、PL光谱宽化 中的作用及可能的物理机理.研 究结果表明：退火处理所导致的Er^３＋ PL光谱的变化与薄膜的微观状态之 间有着密 切的联系.在600—750℃范围内，薄膜呈非晶态结构，薄膜荧光强度的增加主要是薄膜内缺 陷减少所致；在800—900℃范围内，γ-Al_２O_３相的出现是导致荧 光强度明显增加的主 要原因；当退火温度为1000℃时，Er，Yb的大量析出致使荧光强度的急剧下降.此外，对PL 光谱线形分析表明，各子能级跃迁的相对强度变化是导致荧光光谱宽化的主要因素. 关键词： Er/Yb共掺 ２O_３薄膜')" href="#">Al_２O_３薄膜 光致荧光     

光催化合成金属Ag纳米颗粒的生长机制——晶核密度控制的生长模式转换

利用AgNO₃水溶液,通过严格控制TiO₂薄膜的化学活性,系统研究了在TiO₂表面光催化合成金属Ag纳米颗粒的生长行为。研究发现,光催化合成金属Ag纳米颗粒存在着两个完全不同的生长机制,分别对应着金属Ag纳米颗粒的各向同性和各向异性生长。当溶液浓度较低时,Ostwald熟化（OR）机制主导着金属Ag纳米颗粒的长大过程;当溶液浓度较高时,取向附生（OA）机制决定着金属Ag纳米颗粒长大成纳米片。原位消光光谱分析表明,OR机制和OA机制生长的前期具有相近消光特征,决定金属Ag纳米颗粒生长模式的关键是AgNO₃溶液的浓度,更准确地说是金属Ag初级晶核的局域密度。在此基础上提出了有关光催化合成金属Ag纳米颗粒的生长模型。