pH值对KDP晶体中散射颗粒的影响

 探讨了不同pH值对KDP晶体散射颗粒的影响。结果表明，不同pH值生长条件下生长的KDP晶体中散射颗粒的尺寸、密度呈现明显差异，pH值为5.5条件下KDP晶体中散射颗粒尺寸明显变大，分布稀疏；pH值为2.0时，散射颗粒密度高，尺寸小。其原因在于形成散射的杂质颗粒的存在形式不同。     

Characteristics of 355 nm Laser Damage in KDP and DKDP Crystals

We present the characteristics of bulk damage induced by the third harmonic of Nd：YAG laser irradiation in KDP and DKDP crystals. Bulk damage occurs as a few or a series of pinpoints consisting of a core and the deforming zone. The results of a 1-on-1 test reveal that the pinpoint size increases with incvreasing fluence, and the pinpoint density increases exponentially with increasing fluence. The results of an s-on-1 test indicate that the pinpoint density increases gradually with laser pulse number, but the size does not grow. These results are consistent with a model in which nanoabsorbers are assumed to exist in the crystal and the initiation of damage is determined by heating them to the critical temperature.     

快速生长大尺寸KDP单晶

用传统降温法生长了大尺寸KDP单晶,生长速度一般在1～2 mm/d,周期长,风险大.本文采用"点籽晶"快速生长法多次成功生长出了200 mm级的大尺寸KDP单晶,晶体生长速度达到20 mm/d,晶体生长正常.同时,摇摆曲线表明快速生长的晶体有着很好的结构完整性.     

6.5-ns actively Q-switched Nd:YVO_4 laser operating at 1.34 μm

With a plano-concave cavity,diode-pumped continuous-wave(CW) and actively Q-switched Nd:YVO4 laser operating at 1.34 μm is demonstrated.Maximum CW output power of 4.76 W and Q-switched average output power of 2.64 W are obtained with output coupler(transmission T = 3.9%).For the Q-switching operation,the theoretically calculated pulse energy and pulse width,with a pulse repetition frequency(PRF) range of 5-40 kHz,coincide with the experimental results.With a T = 11.9% output coupler,the maximum peak power of 24.3 kW and minimum pulse width of 6.5 ns are obtained when the PRF is 10 kHz.To the best of our knowledge,this is the shortest actively Q-switched pulse duration ever obtained in a 1.3-μm Nd-doped vanadate laser.     

四倍频磷酸二氘钾晶体

生长了不同氘含量的磷酸二氘钾(DKDP)晶体,切割角度统一沿Ⅰ类非临界相位匹配方向,即与晶体z轴成90与x轴成45,分别在1 064 nm和1 053 nm两种基频波长下进行了四倍频实验,通过测定氘含量与相位匹配角的联系,确定出能够实现非临界四倍频的DKDP晶体的最佳氘含量。实验发现在1 064 nm的基频波长下通过调节DKDP晶体的氘含量无法实现室温的非临界相位匹配,而在1 053 nm基频波长下实现室温的非临界相位匹配的DKDP晶体最佳氘含量为85%左右     

KDP晶体本征中性点缺陷的第一性研究

 用第一性原理研究了KH2PO4(KDP)晶体中性本征点缺陷的形成能并计算了常温下点缺陷的浓度。计算得到中性填隙氢原子的形成能为2.05 eV,进而得到298 K下的浓度约为1.21×10^-17 mol/L。由于填隙氢原子在带隙中形成缺陷能级,并使能隙降低了2.6 eV, 因此消除填隙氢原子有利于提高晶体在355 nm附近的激光损伤阈值。计算得到的氧间隙、氧空位、钾空位和氢空位的形成能分别为0.60、5.25、6.50 和6.58 eV,常温下它们在晶体中也以较高的浓度存在。钾空位使晶胞体积增大约3.2%,并可能提高晶体电导率,从而降低光损伤阈值。P取代K的反位结构缺陷形成能尽管较低(4.1 eV), 但由于晶体生长溶液中P是以PO4四面体的形式存在,故此点缺陷的存在几率很小。     

第一性原理研究Fe及其团簇缺陷对KDP和ADP晶体激光损伤的影响

由于金属杂质离子对晶体损伤性质有不容忽视的影响，受实验条件限制，Fe及其团簇缺陷对晶体的影响机制尚不明确。采用第一性原理的方法，对磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氢铵(ADP)晶体中的Fe及其团簇缺陷进行模拟研究，确定其对晶体结构及光学性质方面的影响。研究发现，Fe进入KDP和ADP晶体中主要以取代P原子形成FeO₄基团最稳定，且其稳定形式以Fe³⁺为主。磁性状态研究发现磁性条件对晶体的结构和能量影响不大，Fe对晶体的损伤主要通过引起200～300 nm范围明显的光学吸收影响损伤阈值。Fe进入晶体中形成团簇缺陷可通过电荷补偿与O空位(VO)复合，几乎不会与OH空位(VOH)复合，团簇缺陷以Fe对晶体结构和性质的影响为主。