多缺陷结构的一维磁光多层膜隔离器

由磁光介质（M）和电介质（G）周期性排列构成的磁光光子晶体会出现很强的光 局域性，最近用它来实现磁光隔离器引起人们广泛的兴趣.给出了一种可用于计算 偏振光在各向异性介质传播问题的传输矩阵方法.并用该方法计算了对称多缺陷结构磁光多 层膜隔离器的光学性质，发现随着缺陷数目的增多，旋转角及透过率的频谱响应得到改善. 当缺陷增加到一定数目时，不需要额外的反射层即可实现反射型磁光隔离器的要求. 关键词： 光隔离器 磁光效应 多层膜 光子晶体     

芳酰腙铜(Ⅱ)和锌(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构及抗菌活性

合成了一对结构类似的双核铜和锌配合物,Cu₂(L¹)₂(1)和[Zn₂(L²)₂(CH₃OH)₂] (2),其中L¹和L²分别是2-溴-N''-(2-羟基-5-甲基苯亚甲基)苯甲酰肼(H₂L¹)和2-氯-N''-(2-羟基-5-甲基苯亚甲基)苯甲酰肼(H₂L²)的二价阴离子,通过元素分析、红外光谱以及单晶X射线衍射表征了它们的结构。配合物1以三斜晶系P1空间群结晶,其晶体学参数:a=0.91411(6) nm,b=1.18004(7) nm,c=1.35936(9) nm,α=101.928(2)°,β=91.399(2)°,γ=107.873(2)°,V=1.3593(2) nm³,Z=2,R₁=0.0540,wR₂=0.1189,GOF=0.970。配合物2以单斜晶系P2₁/c空间群结晶,其晶体学参数:a=1.21697(9) nm,b=1.21496(9) nm,c=1.21283(9) nm,β=110.939(1)°,V=1.6748(2) nm³,Z=2,R₁=0.0341,wR₂=0.0689,GOF=1.024。X射线分析表明2个化合物都是中心对称的双核配合物,其中配合物1中的Cu原子是平面正方形配位构型,配合物2中的Zn原子是四方锥配位构型。还通过MTT法研究了这两个配合物的抗细菌(大肠杆菌,金黄色葡萄球菌,枯草芽孢杆菌和铜绿色假单胞菌)和抗真菌(白假丝酵母菌和黑曲霉菌)活性。     

以γ-丁内酯为溶剂的LiBOB基电解液性能的研究

双乙二酸硼酸锂(LiBOB)被认为是一种很有潜力代替LiPF6应用在锂离子电池中的新型电解质锂盐,它不仅满足了电解质对锂盐的基本要求,而且具有良好的成膜性能和热稳定性,是近年来受到人们广泛关注的新型锂盐之一.     

超高效液相色谱法测定进出口浓缩苹果汁中的吡虫啉残留量

建立了超高效液相色谱法(UPLC)测定浓缩苹果汁中吡虫啉残留量的方法.优化了样品前处理方法及UPLC分离测定条件.样品与饱和NaCl水溶液混合后,经石油醚除杂,V(乙腈):V(CH2Cl2)=90:10萃取.结果表明:在优化条件下,本法测定吡虫啉的线性范围为0.025～5.0 μg/mL,检出限0.005 mg/kg,平均加标回收率为91.3%,其线性方程为Y=9015.2ρ+131.59,R2=0.9990.该方法可满足进出口浓缩苹果汁中吡虫啉检测的要求.     

Zn(0.6Mn0.2Ni0.2Fe2O4/聚邻甲基苯胺复合物的制备和电磁性能

用化学沉淀法和原位聚合法分别制备了Zn0.6Mn0.2Ni0.2Fe2O4铁氧体纳米粒子和Zn0.6Mn0.2Ni0.2Fe2O4铁氧体/聚邻甲基苯胺复合微粒(ZMNF/POT).通过现代测试技术表征了样品组成、结构、形貌和电-磁性能.结果表明,POT对ZMNF粒子具有较好的包覆作用;复合物电导率与POT的含量成正比,而磁性能与ZMNF粒子的含量相关;在1～15MHz频段内,POT和ZMNF/POT复合物的介电损耗与其电导率表现出一致性;复合物具有可观的磁损耗,比磁介质型ZMNF的大,且ZMNF含量为31.74 wt%的复合物的磁损耗最大,有望作为屏蔽和吸收电磁波材料获得应用.     

Quantum-Mechanical Study on Surrounding-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） scales into the nanometer regime, quantum mechanical effects are becoming more and more significant. In this work, a model for the surrounding-gate （SG） nMOSFET is developed. The SchrSdinger equation is solved analytically. Some of the solutions are verified via results obtained from simulations. It is found that the percentage of the electrons with lighter conductivity mass increases as the silicon body radius decreases, or as the gate voltage reduces, or as the temperature decreases. The eentroid of inversion-layer is driven away from the silicon-oxide interface towards the silicon body, therefore the carriers will suffer less scattering from the interface and the electrons effective mobility of the SG nMOSFETs will be enhanced.     

茄黄斑螟性信息素化学的结构鉴定

本文采用TLC、.GC、微量臭氧化和GC-MS等分析方法, 从茄黄斑螟雌蛾性腺体提取物中, 分离和鉴定出性信息素反-11-十六碳烯醇乙酸酯(1a)。触角电位和田间试验证明, 天然提取物和合成样品均有强烈的生物活性。     

IONIC CONDUCTIVITY IN THE COMPLEXES OF COMB-SHAPED POLYETHER WITH LITHIUM AROMATIC SULFONATE

Complexes of comb-shaped polyether and lithium aromatic sulfonates bearing different negative charge number were prepared by in situ thermal polymerization. Their conductivity depends deeply on salt content, ambient temperature and negative charge number of the added salts. Results show that anions can be partly immobilized by increasing their negative charges at lower temperature. Against discharge time the short circuit current of the battery (Li/complex film/Li_x V_3O_8) is stabilized by increasing the anionic charge number of the complex.     

沪市股票风险与收益关系实证研究

由于我国股票市场每日报酬时间序列的非正态性和厚尾性,且呈现波动集群性,基于正态假设的静态模型存在很大的缺陷,而Arch类模型具有很好的处理厚尾的能力,能较好的描述股价等金融变量的波动特征,因此将Garch-M模型引入,通过实证分析,结果表明,Garch-M模型能显著提高预测的准确性.     

Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

在低温（15K—25K）和强磁场（0—10T）条件下，对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式，拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带S dH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的. 关键词： AlGaN/GaN异质结构 SdH振荡 磁致子带间散射 磁阻拍频