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本讨论了高Tc超导体细圆柱情形线性交流响应,给出了交流磁化率χ的表达式,并且得到了磁化率虚部χ″峰值时所满足的方程。 相似文献
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利用激光溅射的方法,在射频离子阱中产生并囚禁了Cn^+(n=3,4,5)进而利用了子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点,在其中开展了C^+n同O2的化学反应研究,得到了反应物的速率常数和反应产物分支比,根据热化学计算,分析了反应进行的主要通道。 相似文献
4.
这属奥林匹克竞赛在芬兰的赫尔辛基举行。每个国家派5名学生参加。这届的规模出以往各届都大,共有来自37个国家的178名参赛,而我也能够成为这次盛大竞赛的参加之一! 相似文献
5.
计算全息检测非球面干涉场的理论分析与实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
本文应用光学全息术及傅里叶光学的理论对计算全息图干涉检测非球面面形的光路及干涉场进行了理论分析,提出了其干涉场为不定域干涉的观点,并在实验中予以证实. 相似文献
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根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中.
关键词:
反极性电晕补偿充电法
铁电驻极体
充电电流
热刺激放电 相似文献
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Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
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The frequency stability of an all-solid-state Nd:YVO4 laser is significantly improved by means of a specially designed Fabry-Perot (F-P) interferometer used for the frequency standard in the frequency-stabilizing system. The temperature of the F-P cavity is accurately controlled by a set of thermoelectric cooler (TEC) modules attached on th ody of the cavity and the electronic feedback circuit. We find that the long-term unidirectional frequency shift of the output laser, resulting from the slow increase of the cavity length under the effect of the temperature integration on the cavity body, is essentially eliminated. The frequency stability of the output laser with the power of 530 mW is better than ±200 kHz in 1 minute and ±2.3 MHz in 40 minutes, respectively. The fluctuation of output power is smaller than ±0.5% over one hour. 相似文献